IGBT Moduli,GD1600SGT120C3S,STARPOWER

IGBT Modul,GD1600SGT120C3S,STARPOWER

1200V 1600A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD1600SGT120C3S

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli , STARPOWER tomonidan ishlab chiqarilgan. 1200V 1600A.

Xususiyatlar

Oddiy Qo'llanish sohaları

Absolyut Maksimal Baholashlar T C =25 °C agar boshqa belgilangan

Simvol	Tavsif	GD1600SGT120C3S	Birliklar
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман C	Kollektor oqimi @ T C =25 °C @ T C =80 °C	2600 1600	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	3200	A
Ман F	Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara @ T C =80 °C	1600	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	3200	A
P D	Maksimal quvvat J = 1 75°C	8.43	кВт
T jmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	°C
T STG	Saqlanish harorati Diapazon	-40 dan +125 gacha	°C
V ISO	Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min	4000	V
O'rnatish Момент	Signal terminalning viski:M4	1.8 gacha 2.1
	Kuch terminalining viski:M8	8.0 dan 10	N.M
	O'rnatish viski:M6	4.25 dan 5.75 gacha

Elektr Xususiyatlari из IGBT T C =25 °C agar boshqa belgilangan

Xususiyatlari

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V (BR )CES	Kollektor-tarqatuvchi Жорайвий чораларни босим	T J =25 °C	1200			V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 °C			5.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 °C			400	nA

Xususiyatlar toʻgʻrisida

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch	Ман C = 64 mA ,V CE = V GE , T J =25 °C	5.0	5.8	6.5	V
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C = 1600A,V GE =15V, T J =25 °C		1.70	2.15	V
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C = 1600A,V GE =15V, T J = 125 °C		2.00		V

Xususiyatlarni oʻzgartirish

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C = 1600A, R Gon = 1,6Ω, R Goff = 0,2Ω, V GE =± 15V,T J =25 °C		601		ns
T R	O'sish vaqti			225		ns
T D (o'chirilgan )	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			830		ns
T F	Pasayish vaqti			155		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			/		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			/		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C = 1600A, R Gon = 1,6Ω,R Goff = 0,2Ω, V GE =± 15V,T J = 125 °C		665		ns
T R	O'sish vaqti			225		ns
T D (o'chirilgan )	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			970		ns
T F	Pasayish vaqti			180		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			326		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			251		mJ
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		115		NF
C o'qish	Chiqarish quvvati			6.03		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik			5.23		NF
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤ 10 μs,V GE =15 V, T J = 125 °C, V CC = 900V, V MET ≤ 1200V		6400		A
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi oʻtish			1.6		Ω
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi			15		nH
R CC+EE	Modulning oʻrni qarshilik, Chiptani terminalga oʻtkazish			0.10		mΩ

Elektr Xususiyatlari из Diod T C =25 °C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari		Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V F	Oldinga chiquvchi diod kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch	Ман F = 1600A	T J =25 °C		1.65	2.05	V
V F	Oldinga chiquvchi diod kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch	Ман F = 1600A	T J = 125 °C		1.65		V
Q R	Qayta tiklangan Muammaloq	Ман F = 1600A, V R = 600 V, R g = 0,45Ω, V GE = 15V	T J =25 °C		160		μC
Q R	Qayta tiklangan Muammaloq		T J = 125 °C		300		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi		T J =25 °C		1100		A
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi		T J = 125 °C		1400		A
E rek	Qayta tiklanish energiya		T J =25 °C		72		mJ
E rek	Qayta tiklanish energiya		T J = 125 °C		136		mJ

Issiqlik xususiyati ics

Simvol	Parametr	Tip.	Max.	Birliklar
R θ JC	Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)		17.8	K/kW
R θ JC	Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)		31.0	K/kW
R θ CS	Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog 'ilovasi) yolgʻonchi)	6		K/kW
Og'irlik	Og'irlik Modul	1500		g