GD900SGU120C3SN, IGBT Modul, 1200V 900A, STARPOWER

IGBT Modul 1200V

GD900SGU120C3SN,IGBT moduli, 1200V 900A, STARPOWER

GD900SGU120C3SN,IGBT moduli, 1200V 900A, STARPOWER

IGBT Moduli，1200V 900A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD900SGU120C3SN

kirish soʻzlari
koʻrinish

kirish soʻzlari

xususiyatlari

NPT IGBT texnologiyasi
10μsOʻzlashtirishqisqa uzilish qobiliyatioʻzlashtirish
pastOʻzlashtirishoʻzgarish yoʻqotishlari
Ultrashta ishlash bilan mustahkamoʻtish
vo(oʻtirgan) bilanOʻzlashtirishbilanOʻzlashtirishijobiyOʻzlashtirishharoratOʻzlashtirishkoeffitsiyenti
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olishOʻzlashtirishparallelga qarshi FWD
DBC texnologiyasi yordamida izolyatsiya qilingan mis po'stlang'ich

OddiyOʻzlashtirishqo'llanmalar

Oʻzgaruvchan rejimli quvvat taʼminoti
Induktiv isitish
Elektron payvandlash

AbsolyutOʻzlashtirishmaksimalOʻzlashtirishreytinglarOʻzlashtirishtc=25ocOʻzlashtirishagarOʻzlashtirishaks holdaOʻzlashtirishqayd etilgan

Oʻzlashtirish

IGBT

Oʻzlashtirish

Simvol	tavsif	qiymat	birligi
vCES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	v
vGES	Chiqargichning kuchlanishi	± 20	v
ic	Jildning oqimi @ Tc=25oc @ Tc=80oc	1350 900	a
im	Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1 ms	1800	a
pd	Maksimal quvvatni yoʻq qilish @ TJ= 150oc	7.40	kV

Diod

Oʻzlashtirish

Simvol	tavsif	qiymat	birligi
vRRM	Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi	1200	v
if	Diodning doimiy oldinga chizilishiijara	900	a
ifm	Diodning maksimal oldingi oqimi tp= 1 ms	1800	a

modul

Oʻzlashtirish

Simvol	tavsif	qiymat	birligi
tjmax	Maksimal bogʻlanish harorati	150	oc
tjoʻp	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	-40 dan +125 gacha	oc
tSTG	saqlash haroratimasofasi	-40 dan +125 gacha	oc
voʻlchash	Izolatsiya kuchlanmasi RMS,f=50Hz,t=1 daqiqa	4000	v

IGBTOʻzlashtirishxususiyatlariOʻzlashtirishtc=25ocOʻzlashtirishagarOʻzlashtirishaks holdaOʻzlashtirishqayd etilgan

Oʻzlashtirish

Simvol	parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	maksimal	birligi
Oʻzlashtirish vOʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	ic=800A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25oc	Oʻzlashtirish	2.90	3.35	Oʻzlashtirish v
Oʻzlashtirish vOʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	ic=800A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 125oc	Oʻzlashtirish	3.60	Oʻzlashtirish	Oʻzlashtirish v
vGE(o'n) bilan	Darvoza emittorining chegarasiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch	ic=Oʻzlashtirish16.0 mA,Vo=VGE, TJ=25oc	5.0	6.1	7.0	v
iCES	KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilgan joriy	vo=vCES,vGE=0V, tJ=25oc	Oʻzlashtirish	Oʻzlashtirish	5.0	mA
iGES	Darvoza emittorining oqishiOʻzlashtirishjoriy	vGE=vGES,vo=0V,tJ=25oc	Oʻzlashtirish	Oʻzlashtirish	400	n
cies	Kirish sig'imi	vo=25V, f=1Mhz, vGE=0V	Oʻzlashtirish	53.1	Oʻzlashtirish	NF
cres	Orqaga oʻtish Kalitlik	vo=25V, f=1Mhz, vGE=0V	Oʻzlashtirish	3.40	Oʻzlashtirish	NF
qg	Darvoza zaryadi	vGE=-Oʻzlashtirish15...+15V	Oʻzlashtirish	8.56	Oʻzlashtirish	μC
td(bilan) bilan	O'chirish kechikish vaqti	Oʻzlashtirish Oʻzlashtirish vcc= 900V,Ic=800A,Oʻzlashtirishrg=Oʻzlashtirish1,3Ω, vGE=±15V,tJ=25oc	Oʻzlashtirish	90	Oʻzlashtirish	ns
tr	O'sish vaqti		Oʻzlashtirish	81	Oʻzlashtirish	ns
td(o'chirilgan) bilan	OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti		Oʻzlashtirish	500	Oʻzlashtirish	ns
tf	Pasayish vaqti		Oʻzlashtirish	55	Oʻzlashtirish	ns
ebilan	OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish Yoʻqotish		Oʻzlashtirish	36.8	Oʻzlashtirish	mJ
eo'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish		Oʻzlashtirish	41.3	Oʻzlashtirish	mJ
td(bilan) bilan	O'chirish kechikish vaqti	Oʻzlashtirish Oʻzlashtirish vcc= 900V,Ic=800A,Oʻzlashtirishrg=Oʻzlashtirish1,3Ω, vGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125oc	Oʻzlashtirish	115	Oʻzlashtirish	ns
tr	O'sish vaqti		Oʻzlashtirish	92	Oʻzlashtirish	ns
td(o'chirilgan) bilan	OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti		Oʻzlashtirish	550	Oʻzlashtirish	ns
tf	Pasayish vaqti		Oʻzlashtirish	66	Oʻzlashtirish	ns
ebilan	OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish Yoʻqotish		Oʻzlashtirish	52.5	Oʻzlashtirish	mJ
eo'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish		Oʻzlashtirish	59.4	Oʻzlashtirish	mJ
Oʻzlashtirish is	Oʻzlashtirish SC ma'lumotlari	tp≤ 10 μs,VGE=15V, tJ= 125oC,Vcc= 900V,OʻzlashtirishvMET≤ 1200V	Oʻzlashtirish	Oʻzlashtirish 5200	Oʻzlashtirish	Oʻzlashtirish a

DiodOʻzlashtirishxususiyatlariOʻzlashtirishtc=25ocOʻzlashtirishagarOʻzlashtirishaks holdaOʻzlashtirishqayd etilgan

Oʻzlashtirish

Simvol	parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	maksimal	birligi
vf	Oldinga chiquvchi diod kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch	if=800A,VGE=0V,TJ=25oc	Oʻzlashtirish	1.95	2.40	v
vf	Oldinga chiquvchi diod kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch	if=800A,VGE=0V,TJ=Oʻzlashtirish125oc	Oʻzlashtirish	1.95	Oʻzlashtirish	v
qr	Qaytarib olinadigan to'lov	vcc= 900V,If=800A, -di/dt=9500A/μs,VGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=25oc	Oʻzlashtirish	56	Oʻzlashtirish	μC
irm	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi		Oʻzlashtirish	550	Oʻzlashtirish	a
erek	Qayta tiklanishenergiya		Oʻzlashtirish	38.7	Oʻzlashtirish	mJ
qr	Qaytarib olinadigan to'lov	vcc= 900V,If=800A, -di/dt=9500A/μs,VGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125oc	Oʻzlashtirish	148	Oʻzlashtirish	μC
irm	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi		Oʻzlashtirish	920	Oʻzlashtirish	a
erek	Qayta tiklanishenergiya		Oʻzlashtirish	91.8	Oʻzlashtirish	mJ

Oʻzlashtirish

modulOʻzlashtirishxususiyatlariOʻzlashtirishtc=25ocOʻzlashtirishagarOʻzlashtirishaks holdaOʻzlashtirishqayd etilgan

Oʻzlashtirish

Simvol	parametr	Min.	Tip.	maksimal	birligi
Meno	Yolgʻizlik induktansiyasi	Oʻzlashtirish	12	Oʻzlashtirish	nH
rCC+EE	Modulning o'rinli qarshiligi,Terminaldan Chipga	Oʻzlashtirish	0.19	Oʻzlashtirish	mΩ
rθJC	Jons-to-Case (IGB boʻyicha)T) Qisqasi bilan bogʻlanish (har Dyod)	Oʻzlashtirish	Oʻzlashtirish	16.9 26.2	K/kW
rθCS	Qopqoqdan sinkgacha (IGBT bo'yicha) Qopqoqdan sinkgacha (diod bo'yicha)	Oʻzlashtirish	19.7 30.6	Oʻzlashtirish	K/kW
rθCS	Qopqoqdan cho'kishgacha	Oʻzlashtirish	6.0	Oʻzlashtirish	K/kW
Oʻzlashtirish m	terminalga ulanish vringli kuchi,OʻzlashtirishBurg'u M4Oʻzlashtirishterminalga ulanish Tork,OʻzlashtirishBurg'u M8OʻzlashtirishMontaj vringli kuchOʻzlashtirishM6 shrub	1.8 8.0 4.25	Oʻzlashtirish	2.1 10 5.75	Oʻzlashtirish n.m.
g	og'irligiOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishmodul	Oʻzlashtirish	1500	Oʻzlashtirish	g