IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

GD800SGT120C3S

Birliklar

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

1350

800

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

1600

A

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

@ T C =80 °C

800

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

1600

A

P D

Maksimal quvvat J = 1 75°C

4.44

кВт

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

°C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

°C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

O'rnatish Момент

Signal terminalning viski:M4

1.8 gacha 2.1

Kuch terminalining viski:M8

8.0 dan 10

N.M

O'rnatish viski:M6

4.25 dan 5.75 gacha

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V (BR )CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

T J =25 °C

1200

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 °C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 °C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C =32 mA ,V CE = V GE , T J =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =800A,V GE =15V, T J =25 °C

1.70

2.15

V

Ман C =800A,V GE =15V, T J = 125 °C

2.00

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =800A,

R Gon = 3,6Ω,

R Goff =0.91Ω,

V GE =± 15V,T J =25 °C

250

ns

T R

O'sish vaqti

190

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

90

ns

T F

Pasayish vaqti

130

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

58.1

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

85.4

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =800A, R Gon = 3,6Ω,

R Goff =0.91Ω,

V GE =± 15V,T J = 125 °C

260

ns

T R

O'sish vaqti

200

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

810

ns

T F

Pasayish vaqti

210

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

85.5

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

126

mJ

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

57.7

NF

C o'qish

Chiqarish quvvati

3.02

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

2.62

NF

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

T J = 125 °C, V CC = 900V,

V MET ≤ 1200V

3200

A

Q g

Darvoza zaryadi

V CC = 600V,I C =800A, V GE = - 15 ﹍+15V

7.4

μC

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

0.78

Ω

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

15

nH

R CC+EE

Modulning oʻrni

qarshilik,

Chiptani terminalga oʻtkazish

0.10

mΩ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F =800A

T J =25 °C

1.65

2.10

V

T J = 125°C

1.65

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

Ман F =800A,

V R = 600 V,

R g = 3,6Ω,

V GE = 15V

T J =25 °C

48.6

μC

T J = 125 °C

91.2

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

T J =25 °C

340

A

T J = 125 °C

440

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

21.8

mJ

T J = 125 °C

41.3

Simvol

Parametr

Tip.

Max.

Birliklar

R θ JC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

33.8

K/kW

R θ JC

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

57.4

K/kW

R θ CS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog 'ilovasi) yolgʻonchi)

6

K/kW

Og'irlik

Og'irlik Modul

1500

g