IGBT Modul 1200V

Simvol

tavsif

GD800SGT120C3S

birliklar

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

v

ic

Joriy toʻplamtc=25°C

@ Tc=80°C

1350

800

a

im

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1ms

1600

a

if

Diodning doimiy oldinga chizilishiijara

@ Tc=80°C

800

a

ifm

Diodning maksimal oldingi oqimi tp= 1 ms

1600

a

pd

Maksimal quvvatni yoʻq qilish @ TJ= 175°C

4.44

kV

tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

tjoʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

°C

tSTG

saqlash haroratimasofasi

-40 dan +125 gacha

°C

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS,f=50Hz,t=1daqiqa

2500

v

oʻrnatishOʻzlashtirishaylanish vring

Signal terminalning viski:M4

1.8 gachaOʻzlashtirish2.1

Oʻzlashtirish

Kuch terminalining viski:M8

8.0 danOʻzlashtirish10

n.m.

O'rnatish viski:M6

4.25 dan 5.75 gacha

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

v(br) bilanCES

Kollektor-tarqatuvchi

uzilish kuchlanmasi

tJ=25°C

1200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilgan

joriy

vo=vCES,vGE=0V,tJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishiOʻzlashtirishjoriy

vGE=vGES,vo=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=32mA,vo=vGE,OʻzlashtirishtJ=25°C

5.0

5.8

6.5

v

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic=800A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.70

2.15

Oʻzlashtirish

v

ic=800A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 125°C

Oʻzlashtirish

2.00

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic=800A,Oʻzlashtirish

rGon= 3,6Ω,

rGoff=0.91Ω,

vGE=± 15V,TJ=25°C

Oʻzlashtirish

250

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

190

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

90

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

130

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

58.1

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

85.4

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic=800A,OʻzlashtirishrGon= 3,6Ω,

rGoff=0.91Ω,

vGE=± 15V,TJ= 125°C

Oʻzlashtirish

260

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

200

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

810

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

210

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

85.5

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

126

Oʻzlashtirish

mJ

cies

Kirish sig'imi

vo=25V, f=1Mhz,

vGE=0V

Oʻzlashtirish

57.7

Oʻzlashtirish

NF

co'qish

Chiqarish quvvati

Oʻzlashtirish

3.02

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

2.62

Oʻzlashtirish

NF

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tp≤ 10 μs,VGE=15OʻzlashtirishV,

tJ= 125°C,vcc= 900V,Oʻzlashtirish

vMET≤ 1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

3200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

qg

Darvoza zaryadi

vcc= 600V,Ic=800A,OʻzlashtirishvGE= - 15Oʻzlashtirish_ _ _ _ _ _ _ _ _+15V

Oʻzlashtirish

7.4

Oʻzlashtirish

μC

rGint

Ichki darvoza qarshiligioʻtish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.78

Oʻzlashtirish

Ω

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

15

Oʻzlashtirish

nH

Oʻzlashtirish

rCC+EE

Modulning oʻrni

qarshilik,

Chiptani terminalga oʻtkazish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.10

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

mΩ

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if=800A

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.65

2.10

v

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

1.65

Oʻzlashtirish

qr

Qayta tiklangan

toʻlov

if=800A,

vr= 600 V,

rg= 3,6Ω,

vGE= 15V

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

48.6

Oʻzlashtirish

μC

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

91.2

Oʻzlashtirish

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

340

Oʻzlashtirish

a

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

440

Oʻzlashtirish

erek

Qayta tiklanishenergiya

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

21.8

Oʻzlashtirish

mJ

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

41.3

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Tip.

maksimal

birliklar

rθJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha)T)

Oʻzlashtirish

33.8

K/kW

rθJC

Qisqasi bilan bogʻlanish (har Dyod)

Oʻzlashtirish

57.4

K/kW

rθCS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog 'ilovasi)yolgʻonchi)

6

Oʻzlashtirish

K/kW

og'irligi

og'irligiOʻzlashtirishmodul

1500

Oʻzlashtirish

g