IGBT Modul 1700V

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

v

ic

Jildning oqimi @ Tc=25oc

@ Tc=80oc

1050

800

a

im

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1 ms

1600

a

pd

Maksimal quvvatni yoʻq qilish @ TJ= 175oc

4.85

kV

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

vRRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1700

v

if

Diodning doimiy oldinga chizilishiijara

800

a

ifm

Diodning maksimal oldingi oqimi tp= 1 ms

1600

a

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

oc

tjoʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

oc

tSTG

saqlash haroratimasofasi

-40 dan +125 gacha

oc

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS,f=50Hz,t=1daqiqa

4000

v

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic=800A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

2.50

2.95

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic=800A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 125oc

Oʻzlashtirish

3.00

Oʻzlashtirish

ic=800A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 150oc

Oʻzlashtirish

3.10

Oʻzlashtirish

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=32.0mA,vo=vGE,OʻzlashtirishtJ=25oc

5.4

Oʻzlashtirish

7.4

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilgan

joriy

vo=vCES,vGE=0V,

tJ=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishiOʻzlashtirishjoriy

vGE=vGES,vo=0V,tJ=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

cies

Kirish sig'imi

vo=25V, f=1Mhz,

vGE=0V

Oʻzlashtirish

54.0

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

1.84

Oʻzlashtirish

NF

qg

Darvoza zaryadi

vGE=-Oʻzlashtirish15...+15V

Oʻzlashtirish

6.2

Oʻzlashtirish

μC

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 900V,Ic=800A,Oʻzlashtirishrg=Oʻzlashtirish1.5Ω,

vGE=±15V,tJ=25oc

Oʻzlashtirish

235

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

110

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

390

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

145

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

216

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

152

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 900V,Ic=800A,Oʻzlashtirishrg=Oʻzlashtirish1.5Ω,

vGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125oc

Oʻzlashtirish

250

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

120

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

475

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

155

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

280

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

232

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 900V,Ic=800A,Oʻzlashtirish

rg=Oʻzlashtirish1.5Ω,

vGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish150oc

Oʻzlashtirish

254

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

125

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

500

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

160

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

312

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

256

Oʻzlashtirish

mJ

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tp≤ 10 μs,VGE=15V,

tJ= 150oC,Vcc=Oʻzlashtirish1000 V, vMET≤ 1700V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

2480

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Oʻzlashtirish

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if=800A,VGE=0V, TJ=25oc

Oʻzlashtirish

1.80

2.25

Oʻzlashtirish

v

if=800A,VGE=0V, TJ=Oʻzlashtirish125oc

Oʻzlashtirish

1.95

Oʻzlashtirish

if=800A,VGE=0V, TJ=Oʻzlashtirish150oc

Oʻzlashtirish

1.90

Oʻzlashtirish

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

vcc= 900V,If=800A,

-di/dt=8400A/μs,VGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

232

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

720

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishenergiya

Oʻzlashtirish

134

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

vcc= 900V,If=800A,

-di/dt=8400A/μs,VGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125oc

Oʻzlashtirish

360

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

840

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishenergiya

Oʻzlashtirish

222

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

vcc= 900V,If=800A,

-di/dt=8400A/μs,VGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish150oc

Oʻzlashtirish

424

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

880

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishenergiya

Oʻzlashtirish

259

Oʻzlashtirish

mJ

Simvol

parametr

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

20

Oʻzlashtirish

nH

rCC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi,Terminaldan Chipga

Oʻzlashtirish

0.37

Oʻzlashtirish

mΩ

rθJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha)T)

Qisqasi bilan bogʻlanish (har Dyod)

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

30.9

49.0

K/kW

rθCS

Qopqoqdan sinkgacha (IGBT bo'yicha)

Qopqoqdan sinkgacha (diod bo'yicha)

Oʻzlashtirish

19.6

31.0

Oʻzlashtirish

K/kW

rθCS

Qopqoqdan cho'kishgacha

Oʻzlashtirish

6.0

Oʻzlashtirish

K/kW

Oʻzlashtirish

m

terminalga ulanish vringli kuchi,OʻzlashtirishBurg'u M4Oʻzlashtirishterminalga ulanish Tork,OʻzlashtirishBurg'u M8OʻzlashtirishMontaj vringli kuchOʻzlashtirishM6 shrub

1.8

8.0

4.25

Oʻzlashtirish

2.1

10

5.75

Oʻzlashtirish

n.m.

g

og'irligiOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishmodul

Oʻzlashtirish

1500

Oʻzlashtirish

g