IGBT Modul 1200V

Simvol

tavsif

GD800HFL120C3S

birliklar

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

v

ic

@ Tc=25°C

@ Tc=80°C

1250

a

800

iCM(1)

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp=Oʻzlashtirish1ms

1600

a

if

Diod doimiy oldinga oqim

800

a

ifm

Diodning maksimal oldingi oqimi

1600

a

pd

Maksimal quvvat @tJ= 150°C

4310

v

ts

Qisqa tutashuvga chidamlilik vaqti    @ TJ= 125°C

10

μs

tJ

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 danOʻzlashtirish+150

°C

tSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-40 danOʻzlashtirish+125

°C

i2t-qimmat, diod

vr=0V, t=10ms, TJ= 125°C

140

ka2s

voʻlchash

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

oʻrnatish

aylanish vring

Elektr tarmogʻi terminallariOʻzlashtirishVaraq:M4

Elektr tarmogʻi terminallariOʻzlashtirishVaraq:M8

1.7 gachaOʻzlashtirish2.3

8.0 danOʻzlashtirish10

n.m.

oʻrnatishOʻzlashtirishVaraq:M6

4.25 danOʻzlashtirish5.75

n.m.

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

BVOʻzlashtirishCES

Kollektor-tarqatuvchi

uzilish kuchlanmasi

tJ=25°C

1200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilganOʻzlashtirishjoriy

vo=VCESVGE=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishi

joriy

vGE=VGESVo=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vGE(th)

Darvoza emittorining chegarasi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=32mA,Vo=VGE,OʻzlashtirishtJ=25°C

5.0

6.2

7.0

v

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic=800A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.8

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic=800A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 125°C

Oʻzlashtirish

2.0

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

qGE

Darvoza zaryadi

ic=800A,Vo= 600 V,

vGE=-15...+15V

Oʻzlashtirish

11.5

Oʻzlashtirish

μC

td ((on)

O'chirish kechikish vaqti

vcc= 600V,Ic=800A,

rGon=3.3Ω,

rGoff=0.39Ω,

vGEOʻzlashtirish=±15V,TJ=25°C

Oʻzlashtirish

600

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

230

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

820

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

150

Oʻzlashtirish

ns

td ((on)

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic=800A,

rGon=3.3Ω,

rGoff=0.39Ω,

vGEOʻzlashtirish=±15V,TJ= 125°C

Oʻzlashtirish

660

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

220

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

960

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

180

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishOʻzgaruvchan yoʻqotish

Oʻzlashtirish

160

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

O'chirishni o'chirish yo'qotilishi

Oʻzlashtirish

125

Oʻzlashtirish

mJ

cies

Kirish sig'imi

Oʻzlashtirish

vo=25V, f=1Mhz,

vGE=0V

Oʻzlashtirish

61.8

Oʻzlashtirish

NF

co'qish

Chiqarish quvvati

Oʻzlashtirish

4.2

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

2.7

Oʻzlashtirish

NF

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tsc≤10 μs, VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 125°C,

vcc= 900V,OʻzlashtirishvMETOʻzlashtirish≤1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

3760

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

20

Oʻzlashtirish

nH

rcc+EE'

Modulning oʻzidan saqlanishioOʻzlashtirishChiptani terminalga oʻtkazish

tc=25°C

Oʻzlashtirish

0.18

Oʻzlashtirish

mΩ

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if=800A

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

2.4

Oʻzlashtirish

v

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

2.2

Oʻzlashtirish

qr

Diod orqaga

Qaytarib olish haqi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

if=800A,

vr= 600 V,

di/dt=-3600A/μs,OʻzlashtirishvGE= 15V

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

37

Oʻzlashtirish

μC

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

90

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

irm

Diodning yuqori nuqtasi

Qayta tiklanishOʻzlashtirishjoriy

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

260

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

400

Oʻzlashtirish

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

9

Oʻzlashtirish

mJ

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

24

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Tip.

maksimal

birliklar

rθJC

Junction-to-Case (IGBT Qismi, har birOʻzlashtirish1/2 Modul)

Oʻzlashtirish

0.029

K/W

rθJC

Junction-to-Case (Diod Qismi, har birOʻzlashtirish1/2 Modul)

Oʻzlashtirish

0.052

K/W

rθCS

Qopqoqdan cho'kishgacha

(O'tkazuvchan yog'qo'llanilgan, har Modul)

0.006

Oʻzlashtirish

K/W

og'irligi

vazniningOʻzlashtirishmodul

1500

Oʻzlashtirish

g