IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

GD630HFL120C2S

Birliklar

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C = 25°C

@ T C =80 °C

945

A

630

Ман m (1)

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

1260

A

Ман F

Diod doimiy oldinga oqim

@ T C =80 °C

630

A

Ман Fm

Diodning maksimal oldinga burilishi ijara

1260

A

P D

Maksimal quvvat J = 150°C

4167

W

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

150

°C

T STG

Saqlanish harorat oraliqi

-40 dan +125 gacha

°C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

O'rnatish Момент

Elektr tarmogʻi terminallari Varaq:M6

O'rnatish Varaq:M6

2,5 gacha 5.0

3,0 dan 5.0

N.M

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V (BR )CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

T J =25 °C

1200

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 °C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi

Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 °C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 16.0 mA,V CE =V GE , T J =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =630A,V GE =15V, T J =25 °C

2.35

2.80

V

Ман C =630A,V GE =15V, T J = 125°C

2.73

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =630A, R g =2.5Ω,V GE = ± 15V, T J =25 °C

210

ns

T R

O'sish vaqti

102

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

600

ns

T F

Pasayish vaqti

80

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

75.2

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

37.8

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =630A, R g =2.5Ω,V GE = ± 15V, T J = 125°C

230

ns

T R

O'sish vaqti

103

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

705

ns

T F

Pasayish vaqti

103

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

102.9

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

63.0

mJ

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

29.7

NF

C o'qish

Chiqarish quvvati

2.08

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.36

NF

Ман SC

SC ma'lumotlari

T s C ≤ 10 μs, V GE =15V, T J = 125°C V CC = 600 V,

V MET ≤ 1200V

1800

A

R Gint

Ichki Darvozali Qarshilik tansiq

0.5

Ω

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

18

nH

R CC + EE ’

Modulning oʻzidan saqlanishi o Chiptani terminalga oʻtkazish

T C =25 °C

0.32

M Ω

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F =630A

T J =25 °C

2.00

2.40

V

T J = 125°C

2.20

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

Ман F =630A,

V R = 600 V,

R g = 2,5Ω,

V GE =- 15V

T J =25 °C

80

μC

T J = 125°C

130

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

T J =25 °C

336

A

T J = 125°C

433

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

24.4

mJ

T J = 125°C

49.6

Simvol

Parametr

Tip.

Max.

Birliklar

R θ JC

Jons-to-Case (IG boʻyicha) BT)

0.030

K/W

R θ JC

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.048

K/W

R θ CS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog' koʻrsatilgan)

0.035

K/W

Og'irlik

Og'irlik из Modul

340

g