IGBT Modul 1200V

Simvol

tavsif

GD630HFL120C2S

birliklar

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

v

ic

Jildning oqimi @ Tc=25°C

@ Tc=80°C

945

a

630

im1.

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1 ms

1260

a

if

Diod doimiy oldinga oqim

@ Tc=80°C

630

a

ifm

Diodning maksimal oldinga burilishiijara

1260

a

pd

Maksimal quvvatJ=Oʻzlashtirish150°C

4167

v

tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

150

°C

tSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-40 dan +125 gacha

°C

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

oʻrnatishOʻzlashtirishaylanish vring

Elektr tarmogʻi terminallariOʻzlashtirishVaraq:M6

oʻrnatishOʻzlashtirishVaraq:M6

2,5 gachaOʻzlashtirish5.0

3,0 danOʻzlashtirish5.0

n.m.

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

v(br) bilanCES

Kollektor-tarqatuvchi

uzilish kuchlanmasi

tJ=25°C

1200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilganOʻzlashtirishjoriy

vo=vCES,vGE=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishi

joriy

vGE=vGES,vo=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=Oʻzlashtirish16.0 mA,Vo=VGE,tJ=25°C

5.0

6.2

7.0

v

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic=630A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

2.35

2.80

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic=630A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

2.73

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic=630A, Oʻzlashtirishrg=2.5Ω,VGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

210

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

102

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

600

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

80

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

75.2

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

37.8

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic=630A, Oʻzlashtirishrg=2.5Ω,VGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

230

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

103

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

705

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

103

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

102.9

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

63.0

Oʻzlashtirish

mJ

cies

Kirish sig'imi

Oʻzlashtirish

vo=25V, f=1Mhz,

vGE=0V

Oʻzlashtirish

29.7

Oʻzlashtirish

NF

co'qish

Chiqarish quvvati

Oʻzlashtirish

2.08

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

1.36

Oʻzlashtirish

NF

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tsc≤10 μs, VGE=15V, OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125°CVcc= 600 V,Oʻzlashtirish

vMET≤1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1800

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

rGint

Ichki Darvozali Qarshiliktansiq

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.5

Oʻzlashtirish

Ω

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

18

nH

rcc+EEOʻzlashtirish'

Modulning oʻzidan saqlanishioOʻzlashtirishChiptani terminalga oʻtkazish

tc=25°C

Oʻzlashtirish

0.32

Oʻzlashtirish

mΩ

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if=630A

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

2.00

2.40

v

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

2.20

Oʻzlashtirish

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

if=630A,

vr= 600 V,

rg= 2,5Ω,

vGE=-Oʻzlashtirish15V

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

80

Oʻzlashtirish

μC

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

130

Oʻzlashtirish

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

336

Oʻzlashtirish

a

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

433

Oʻzlashtirish

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

24.4

Oʻzlashtirish

mJ

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

49.6

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Tip.

maksimal

birliklar

rθJC

Jons-to-Case (IG boʻyicha)BT)

Oʻzlashtirish

0.030

K/W

rθJC

Qisqasi bilan bogʻlanish (har Dyod)

Oʻzlashtirish

0.048

K/W

rθCS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog'koʻrsatilgan)

0.035

Oʻzlashtirish

K/W

og'irligi

og'irligiOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishmodul

340

Oʻzlashtirish

g