IGBT Modul 1200V

Simvol

tavsif

qiymatlari

birligi

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

v

iCN

Ishga tushirilgan Kollektor Current

600

a

ic

Jildning oqimi @ Tf= 85oc

450

a

im

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1 ms

1200

a

pd

Maksimal Quvvat Yo'qotishkoʻrsatilganOʻzlashtirish@tf=75ocOʻzlashtirishtJ= 175oc

970

v

Simvol

tavsif

qiymatlari

birligi

vRRM

Takrorlanadigan yuqori voltadaGE

1200

v

ifn

Ishga tushirilgan Kollektor Current

600

a

if

Diod Davomiy Oldinga Current

450

a

ifm

Diodning maksimal oldingi oqimi tp= 1 ms

1200

a

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

oc

tjoʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati uzluksiz

Bir davr ichida 10s uchun30 yoshdan oshgan, sodir bo'lganumrining 3000 baravarigachamen

-40 dan +150 gachaOʻzlashtirish

+150 dan +175 gacha

oc

tSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-40 dan +125 gacha

oc

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS,f=50Hz,t=1daqiqa

2500

v

dYovuzlik

Issiqlik sinkiga terminalOʻzlashtirishTerminaldan terminalga

9.0Oʻzlashtirish9.0

mm

daniq

Issiqlik sinkiga terminalOʻzlashtirishTerminaldan terminalga

4.5Oʻzlashtirish4.5

mm

Simvol

tavsif

qiymatlari

birligi

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

v

iCN

Ishga tushirilgan Kollektor Current

600

a

ic

Jildning oqimi @ Tf= 85oc

450

a

im

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1 ms

1200

a

pd

Maksimal Quvvat Yo'qotishkoʻrsatilganOʻzlashtirish@tf=75ocOʻzlashtirishtJ= 175oc

970

v

Simvol

tavsif

qiymatlari

birligi

vRRM

Takrorlanadigan yuqori voltadaGE

1200

v

ifn

Ishga tushirilgan Kollektor Current

600

a

if

Diod Davomiy Oldinga Current

450

a

ifm

Diodning maksimal oldingi oqimi tp= 1 ms

1200

a

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

oc

tjoʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati uzluksiz

Bir davr ichida 10s uchun30 yoshdan oshgan, sodir bo'lganumrining 3000 baravarigachamen

-40 dan +150 gachaOʻzlashtirish

+150 dan +175 gacha

oc

tSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-40 dan +125 gacha

oc

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS,f=50Hz,t=1daqiqa

2500

v

dYovuzlik

Issiqlik sinkiga terminalOʻzlashtirishTerminaldan terminalga

9.0Oʻzlashtirish9.0

mm

daniq

Issiqlik sinkiga terminalOʻzlashtirishTerminaldan terminalga

4.5Oʻzlashtirish4.5

mm

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentgaOʻzlashtirishToʻyinganlik kuchlanmasi

ic= 450A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

1.40

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic= 450A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 150oc

Oʻzlashtirish

1.65

Oʻzlashtirish

ic= 450A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 175oc

Oʻzlashtirish

1.70

Oʻzlashtirish

ic= 600A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

1.60

Oʻzlashtirish

ic= 600A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 150oc

Oʻzlashtirish

1.90

Oʻzlashtirish

ic= 600A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 175oc

Oʻzlashtirish

2.00

Oʻzlashtirish

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic= 15,6mA,vo=vGE,OʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

6.4

Oʻzlashtirish

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilganjoriy

vo=vCES,vGE=0V,OʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishiOʻzlashtirishjoriy

vGE=vGES,vo=0V,tJ=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

rGint

Ichki darvoza qarshiligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1.67

Oʻzlashtirish

Ω

cies

Kirish sig'imi

Oʻzlashtirish

vo=25V,f=100kHz,OʻzlashtirishvGE=0V

Oʻzlashtirish

81.2

Oʻzlashtirish

NF

co'qish

Chiqarish quvvati

Oʻzlashtirish

1.56

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtishOʻzlashtirishKalitlik

Oʻzlashtirish

0.53

Oʻzlashtirish

NF

qg

Darvoza zaryadi

voOʻzlashtirish= 600V,IcOʻzlashtirish= 600A, VGE=-8... +15V

Oʻzlashtirish

5.34

Oʻzlashtirish

μC

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 600A,

rGon=1,0Ω,rGoff= 2,2Ω,OʻzlashtirishMens= 22nH,

vGE=-8V/+15V,OʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

290

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

81

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

895

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

87

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

53.5

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

47.5

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 600A,

rGon=1,0Ω,rGoff= 2,2Ω,OʻzlashtirishMens= 22nH,

vGE=-8V/+15V,OʻzlashtirishtJ= 150oc

Oʻzlashtirish

322

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

103

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

1017

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

171

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

84.2

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

63.7

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 600A,

rGon=1,0Ω,rGoff= 2,2Ω,OʻzlashtirishMens= 22nH,

vGE=-8V/+15V,OʻzlashtirishtJ= 175oc

Oʻzlashtirish

334

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

104

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

1048

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

187

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

89.8

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

65.4

Oʻzlashtirish

mJ

is

SC ma'lumotlari

tp≤6μs,vGE=15V,

tJ= 175oC,Vcc=800V,OʻzlashtirishvMET≤ 1200V

Oʻzlashtirish

2000

Oʻzlashtirish

a

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vf

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oldinga chiquvchi diodOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if= 450A,VGE=0V,TJ=25oc

Oʻzlashtirish

1.80

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

if= 450A,VGE=0V,TJ= 150oc

Oʻzlashtirish

1.75

Oʻzlashtirish

if= 450A,VGE=0V,TJ= 175oc

Oʻzlashtirish

1.70

Oʻzlashtirish

if= 600A,VGE=0V,TJ=25oc

Oʻzlashtirish

1.95

Oʻzlashtirish

if= 600A,VGE=0V,TJ= 150oc

Oʻzlashtirish

1.95

Oʻzlashtirish

if= 600A,VGE=0V,TJ= 175oc

Oʻzlashtirish

1.90

Oʻzlashtirish

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

vr= 600V,If= 600A,

-di/dt=7040A/μs,VGE= 8VOʻzlashtirishMens= 22nH,tJ=25oc

Oʻzlashtirish

22.5

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

304

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

Oʻzlashtirish

10.8

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

vr= 600V,If= 600A,

-di/dt=5790A/μs,VGE= 8VOʻzlashtirishMens= 22nH,tJ= 150oc

Oʻzlashtirish

46.6

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

336

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

Oʻzlashtirish

18.2

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

vr= 600V,If= 600A,

-di/dt=5520A/μs,VGE= 8VOʻzlashtirishMens= 22nH,tJ= 175oc

Oʻzlashtirish

49.8

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

346

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

Oʻzlashtirish

19.8

Oʻzlashtirish

mJ

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

r25

Reyting qarshiligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

Oʻzlashtirish

kΩ

∆R/R

Og'ishOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishr100

tc=100Oʻzlashtirishoc,R100=493.3Ω

-5

Oʻzlashtirish

5

%

p25

kuchlanish

tarqalish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

20.0

mW

b25/50

B-qiymat

r2=R25exp[B25/50(1/T2- OʻzingizningOʻzlashtirish1/(298.15K))]

Oʻzlashtirish

3375

Oʻzlashtirish

k

b25/80

B-qiymat

r2=R25exp[B25/80(1/T2- OʻzingizningOʻzlashtirish1/(298.15K))]

Oʻzlashtirish

3411

Oʻzlashtirish

k

b25/100

B-qiymat

r2=R25exp[B25/100(1/T2- OʻzingizningOʻzlashtirish1/(298.15K))]

Oʻzlashtirish

3433

Oʻzlashtirish

k

Simvol

parametr

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

8

Oʻzlashtirish

nH

rCC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi,Terminaldan Chipga

Oʻzlashtirish

0.75

Oʻzlashtirish

mΩ

△p

△V/△t=10.0dm3/daqiqa,tf=75oc

Oʻzlashtirish

64

Oʻzlashtirish

mbar

p

Sovutish davridagi maksimal bosimcuit

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

2.5

bar

Oʻzlashtirish

rthJF

Junction- Oʻzingizninggacha- OʻzingizningsovutishOʻzlashtirishSuyuqlik(perIGBT) bilanBirlashma-sovuqlash suyuqligi (har Dyod)Oʻzlashtirish△V/△t=10.0dm3/daqiqa,tf=75oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.103Oʻzlashtirish0.140

K/W

m

terminalga ulanish vringli kuchi,OʻzlashtirishScrew M5OʻzlashtirishMontaj vringli kuchOʻzlashtirishBurg'u M4

3.6Oʻzlashtirish1.8

Oʻzlashtirish

4.4Oʻzlashtirish2.2

n.m.

g

og'irligiOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishmodul

Oʻzlashtirish

750

Oʻzlashtirish

g