IGBT Modul 1700V

Simvol

Tavsif

GD600HFT170C3S

Birliklar

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

V

Ман C

@ T C =25 °C

@ T C =80 °C

950

A

600

Ман CM(1)

Pulsli kollektor oqimi t P = 1ms

1200

A

Ман F

Diodli doimiy oldingi oqim n

600

A

Ман Fm

Diodning maksimal oldingi oqimi n

1200

A

P D

Maksimal quvvat @ T J = 175 °C

3571

W

T J

Maksimal bogʻlanish harorati

150

°C

T STG

Saqlanish harorat oraliqi

-40 dan +125

°C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1min

3400

V

O'rnatish

Момент

Elektr tarmogʻi terminallari Varaq:M4

Elektr tarmogʻi terminallari Varaq:M8

1.8 gacha 2.1

8.0 dan 10

N.M

O'rnatish Varaq:M6

4.25 dan 5.75

N.M

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V (BR) CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

T J =25 °C

1700

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE =V CES V GE =0V, T J =25 °C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi

Jorov

V GE =V GES V CE =0V, T J =25 °C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V GE(th)

Darvoza emittorining chegarasi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C =24mA,V CE =V GE , T J =25 °C

5.2

5.8

6.4

V

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 600A,V GE =15V, T J =25 °C

2.00

2.45

V

Ман C = 600A,V GE =15V, T J = 125 °C

2.40

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =-15...+15V

7.0

μC

T d ((on)

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 600A, R Gon = 2,4Ω,

R Goff =3.0Ω,

V GE = ± 15V,T J =25 °C

650

ns

T R

O'sish vaqti

155

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1300

ns

T F

Pasayish vaqti

180

ns

E включено

Oʻchirish Oʻzgaruvchan yoʻqotish

125

mJ

E o'chirilgan

O'chirishni o'chirish yo'qotilishi

186

mJ

T d ((on)

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 600A, R Gon = 2,4Ω,

R Goff =3.0Ω,

V GE = ± 15V,T J = 125 °C

701

ns

T R

O'sish vaqti

198

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1590

ns

T F

Pasayish vaqti

302

ns

E включено

Oʻchirish Oʻzgaruvchan yoʻqotish

186

mJ

E o'chirilgan

O'chirishni o'chirish yo'qotilishi

219

mJ

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

52.8

NF

C o'qish

Chiqarish quvvati

2.20

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.75

NF

Ман SC

SC ma'lumotlari

T s C ≤ 10 μs, V GE =15V,

T J = 125 °C V CC =1000V, V MET ≤ 1700V

2400

A

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi

1.3

Ω

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC + EE ’

Modulning o'rinli qarshiligi, Chiptani terminalga oʻtkazish

0.18

M Ω

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 600A

T J =25 °C

1.80

2.20

V

T J = 125 °C

1.90

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

Ман F = 600A,

V R = 900V,

di/dt=-3800A/μs, V GE = 15V

T J =25 °C

580

μC

T J = 125 °C

640

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

T J =25 °C

160

A

T J = 125 °C

258

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

96

mJ

T J = 125 °C

171

Simvol

Parametr

Tip.

Max.

Birliklar

R θJC

Birlashma-kassa (har IGBT)

42

K/kW

R θJC

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

94

K/kW

R θCS

Qopqoqdan cho'kishgacha

(O'tkazuvchan yog'qo'llanilgan, har Modul)

6

K/kW

Og'irlik

vaznining Modul

1500

g