IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

GD450HFT120C6S_G8

Birliklar

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

± 30

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 °C

@ T C =100 °C

660

450

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

900

A

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

450

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

900

A

P D

Maksimal quvvat J = 17 5°C

2083

W

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

°C

T STG

Saqlanish harorat oraliqi

-40 dan +125 gacha

°C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

M

terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5

3,0 dan 6.0

3,0 dan 6.0

N.M

g

Og'irlik из Modul

910

g

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V (BR )CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

T J =25 °C

1200

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 °C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 °C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 450A, R g =1.5Ω,

V GE =±15V, T J =25 °C

360

ns

T R

O'sish vaqti

140

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

550

ns

T F

Pasayish vaqti

146

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

11.5

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

48.0

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 450A, R g =1.5Ω,

V GE =±15V, T J = 125 °C

374

ns

T R

O'sish vaqti

147

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

623

ns

T F

Pasayish vaqti

178

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

17.9

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

64.5

mJ

C ies

Kirish sig'imi

V CE =30V,f=1MHz,

V GE =0V

39.0

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.26

NF

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T J = 125 °C V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

1800

A

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

0.67

Ω

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning oʻrni

qarshilik,

Chiptani terminalga oʻtkazish

1.10

mΩ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 450A

T J =25 °C

1.65

2.25

V

T J = 125 °C

1.65

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

Ман F = 450A,

V R = 600 V,

R g =1.5Ω,

V GE = 15V

T J =25 °C

41.6

μC

T J = 125 °C

77.5

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

T J =25 °C

241

A

T J = 125 °C

325

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

23.2

mJ

T J = 125 °C

43.1

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish из R 100

R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuchni yoʻq qilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

Simvol

Parametr

Tip.

Max.

Birliklar

R θ JC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

0.072

K/W

R θ JC

Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

0.110

K/W

R θ CS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog' qo'yilgan)

0.005

K/W