IGBT Modul 1200V

Simvol

tavsif

GD450HTL120C7S

birliklar

vCES

Kollektor-Emitter Kuchlanishi    @ TJ=25°C

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

v

ic

Jildning oqimi @ Tc=25°C

@ Tc=Oʻzlashtirish100°C

900

450

a

im

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1 ms

900

a

ptot

Jami Quvvat Yo'qotilishi    @ TJ=Oʻzlashtirish175°C

3191

v

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

v(br) bilanCES

Kollektor-tarqatuvchi

uzilish kuchlanmasi

tJ=25°C

1200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilganOʻzlashtirishjoriy

vo=vCES,vGE=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishi

joriy

vGE=vGES,vo=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic= 18,0mA,vo=vGE,tJ=25°C

5.0

6.2

7.0

v

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic= 450A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

2.00

2.45

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic= 450A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

2.20

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

qg

Darvoza zaryadi

vGE=-Oʻzlashtirish15...+15V

Oʻzlashtirish

4.6

Oʻzlashtirish

μC

ebilan

Oʻchirilgan oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 450A, Oʻzlashtirishrg= 2,3Ω,VGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

48

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

28

Oʻzlashtirish

mJ

etot

jamiOʻzlashtirishOʻzgaruvchan yoʻqotish

Oʻzlashtirish

76

Oʻzlashtirish

mJ

ebilan

Oʻchirilgan oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 450A, Oʻzlashtirishrg= 2,3Ω,VGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

66

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

45

Oʻzlashtirish

mJ

etot

jamiOʻzlashtirishOʻzgaruvchan yoʻqotish

Oʻzlashtirish

111

Oʻzlashtirish

mJ

d(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

vcc= 600V,Ic= 450A,rg= 2,3Ω,VGE=Oʻzlashtirish±15OʻzlashtirishV,tJ=25°C

Oʻzlashtirish

205

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

70

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

465

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

50

Oʻzlashtirish

ns

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

vcc= 600V,Ic= 450A,rg= 2,3Ω,VGE=Oʻzlashtirish±15OʻzlashtirishV,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

225

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

70

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

520

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

75

Oʻzlashtirish

ns

cies

Kirish sig'imi

Oʻzlashtirish

vo=25V, f=1Mhz,

vGE=0V

Oʻzlashtirish

31.8

Oʻzlashtirish

NF

co'qish

Chiqarish quvvati

Oʻzlashtirish

2.13

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

1.41

Oʻzlashtirish

NF

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tsc≤10 μs, VGEOʻzlashtirish≤15OʻzlashtirishV,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125°CVcc= 600 V, vMET≤1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

2250

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

rGint

Ichki Darvozali Qarshiliktansiq

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.7

Oʻzlashtirish

Ω

Simvol

tavsif

GD450HTL120C7S

birliklar

vRRM

Kollektor-Emitter Kuchlanishi    @ TJ=25°C

1200

v

if

DC Oldinga Tok    @ Tc=80°C

450

a

iFRM

Takroriy Pik Oldinga Tok    tp= 1 ms

900

a

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if= 450A,vGE=0V

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.80

2.20

v

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

1.90

Oʻzlashtirish

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

vr= 600OʻzlashtirishV,

if= 450A,

rg=2.3Ω,

vGE=-Oʻzlashtirish15V

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

58

Oʻzlashtirish

μC

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

99

Oʻzlashtirish

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

372

Oʻzlashtirish

a

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

492

Oʻzlashtirish

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

22

Oʻzlashtirish

mJ

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

45

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

r25

Reyting qarshiligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

Oʻzlashtirish

kΩ

∆R/R

Og'ishOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishr100

tc=Oʻzlashtirish100°C,R100=493.3Ω

-5

Oʻzlashtirish

5

%

p25

Kuchni yoʻq qilish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

20.0

mW

b25/50

B-qiymat

r2=R25exp[B25/50(1/T2- OʻzingizningOʻzlashtirish1/(298.15K))]

Oʻzlashtirish

3375

Oʻzlashtirish

k

Simvol

parametr

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS,f=50Hz,t=1min

Oʻzlashtirish

2500

Oʻzlashtirish

v

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

20

Oʻzlashtirish

nH

rcc+EEOʻzlashtirish'

Modul O'tkazuvchan Qarshilik,Terminaldan ChipgachaOʻzlashtirish@ Tc=25°C

Oʻzlashtirish

1.1

Oʻzlashtirish

mΩ

rθJC

Jons-to-Case (IG boʻyicha)BT)

Qisqasi bilan bogʻlanish (har Dyod)

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.047

0.078

K/W

rθCS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog'koʻrsatilgan)

Oʻzlashtirish

0.005

Oʻzlashtirish

K/W

tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

175

°C

tSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-40

Oʻzlashtirish

125

°C

oʻrnatish

aylanish vring

Kuch terminalining viski:M5

3.0

Oʻzlashtirish

6.0

n.m.

oʻrnatishOʻzlashtirishVaraq:M6

3.0

Oʻzlashtirish

6.0

n.m.

og'irligi

og'irligiOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishmodul

Oʻzlashtirish

910

Oʻzlashtirish

g