GD450HFL170C2S,IGBT Modul,STARPOWER

1700V 450A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD450HFL170C2S

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli , STARPOWER tomonidan ishlab chiqarilgan. 1700V 450A.

Xususiyatlar

Oddiy Qo'llanish sohaları

Absolyut Maksimal Baholashlar T C =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
VCES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1700	V
VGES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
IC	Kollektor Tok @ TC=25oC @ TC=95oC	683 450	A
ICM	Pulsli Kollektor Tok tp=1ms	900	A
PD	Maksimal quvvat yo'qotilishi T =175oC	2678	W

Diod

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
V RRM	Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi	1700	V
Ман F	Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara	450	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	900	A

Modul

Simvol	Tavsif	qiymat	BIT
T jmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	O C
T joʻp	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	-40 dan +150 gacha	O C
T STG	Saqlanish harorati Diapazon	-40 dan +125 gacha	O C
V ISO	Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min	4000	V

IGBT Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
VCE(sat)	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC		2.00	2.45	V
		IC=450A,VGE=15V, Tj=125oC		2.40
		IC=450A,VGE=15V, Tj=150oC		2.50
VGE (oʻn)	Darvozani-emitterning chegara kuchlanishi	IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC	5.4	6.1	7.4	V
ICES	Kollektorning kesilishi Jorov	VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25oC			5.0	mA
IGES	Gate-Emitter oqim oqishi	VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25oC			400	nA
RGint	Ichki darvoza qarshiligi			0.3		Ω
Cies	Kirish sig'imi	VCE=25V, f=1Mhz, VGE=0V		30.0		NF
Cres	Orqaga oʻtish Kalitlik	VCE=25V, f=1Mhz, VGE=0V		1.08		NF
Qg	Darvoza zaryadi	VGE=-15...+15V		2.70		μC
td(on)	O'chirish kechikish vaqti	VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC		504		ns
tr	O'sish vaqti			183		ns
td(off)	O'chirish kechikish vaqti			616		ns
tf	Pasayish vaqti			188		ns
EON	Oʻchirilgan oʻchirish Yoʻqotish			126		mJ
Eof	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			89		mJ
td(on)	O'chirish kechikish vaqti	VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC		506		ns
tr	O'sish vaqti			194		ns
td(off)	O'chirish kechikish vaqti			704		ns
tf	Pasayish vaqti			352		ns
EON	Oʻchirilgan oʻchirish Yoʻqotish			162		mJ
Eof	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			124		mJ
td(on)	O'chirish kechikish vaqti	VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC		510		ns
tr	O'sish vaqti			198		ns
td(off)	O'chirish kechikish vaqti			727		ns
tf	Pasayish vaqti			429		ns
EON	Oʻchirilgan oʻchirish Yoʻqotish			174		mJ
Eof	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			132		mJ
ISC	SC ma'lumotlari	tP≤10μs,VGE=15V, Tj= 150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V		1440		A

Diod Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V F	Oldinga chiquvchi diod kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch	Ман F = 450A,V GE =0V,T J =25 O C		1.87	2.32	V
		Ман F = 450A,V GE =0V,T J = 125O C		2.00
		Ман F = 450A,V GE =0V,T J = 150O C		2.05
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 900V,I F = 450A, -di/dt=3000A/μs,V GE = 15V T J =25 O C		107		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			519		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			75		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 900V,I F = 450A, -di/dt=3000A/μs,V GE = 15V T J = 125O C		159		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			597		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			113		mJ
Q R	Qaytarib olinadigan to'lov	V R = 900V,I F = 450A, -di/dt=3000A/μs,V GE = 15V T J = 150O C		170		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			611		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			119		mJ

Modul Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	BIT
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi			20	nH
R CC+EE	Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha		0.35		mΩ
R tJC	Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T) Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)			0.056 0.112	K/W
R tCH	Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p) er Diod) Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)		0.105 0.210 0.035		K/W
M	terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch M6 shrub	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	Og'irlik из Modul		300		g