IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

± 30

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

655

400

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1ms

800

A

P D

Maksimal quvvat J = 175 O C

2205

W

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

V

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

300

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

600

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

650

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 O C

@ T C = 70 O C

515

400

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1ms

800

A

P D

Maksimal quvvat J = 175 O C

1304

W

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

V RRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

650

V

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

400

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

800

A

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

O C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

O C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 400A,V GE =15V, T J =25 O C

1.70

2.15

V

Ман C = 400A,V GE =15V, T J = 125 O C

1.95

Ман C = 400A,V GE =15V, T J = 150 O C

2.00

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 16.0 mA,V CE =V GE , T J =25 O C

5.0

5.7

6.5

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T J =25 O C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

0.6

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =30V,f=1MHz,

V GE =0V

40.5

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.14

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =15V

2.22

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g = 2.0Ω,

V GE =±15V, T J =25 O C

408

ns

T R

O'sish vaqti

119

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

573

ns

T F

Pasayish vaqti

135

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

10.5

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

36.2

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g = 2.0Ω,

V GE =±15V, T J = 125O C

409

ns

T R

O'sish vaqti

120

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

632

ns

T F

Pasayish vaqti

188

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

13.2

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

53.6

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 400A, R g = 2.0Ω,

V GE =±15V, T J = 150O C

410

ns

T R

O'sish vaqti

123

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

638

ns

T F

Pasayish vaqti

198

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

14.4

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

56.1

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs,V GE =15V,

T J = 150 O C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

1600

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 300A,V GE =0V,T J =25 O C

1.65

2.10

V

Ман F = 300A,V GE =0V,T J = 125O C

1.65

Ман F = 300A,V GE =0V,T J = 150O C

1.65

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

V R = 600V,I F = 300A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =- 15V T J =25 O C

34.0

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

280

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

19.5

mJ

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

V R = 600V,I F = 300A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =- 15V T J = 125O C

55.6

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

350

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

29.8

mJ

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

V R = 600V,I F = 300A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =- 15V T J = 150O C

63.6

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

368

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

34.0

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 400A,V GE =15V, T J =25 O C

1.45

1.90

V

Ман C = 400A,V GE =15V, T J = 125 O C

1.60

Ман C = 400A,V GE =15V, T J = 150 O C

1.70

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 6,4 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C

5.1

5.8

6.4

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T J =25 O C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

1.0

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

12.7

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

0.73

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

4.30

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 300 V,I C = 400A, R g = 1.8Ω,

V GE =±15V, T J =25 O C

102

ns

T R

O'sish vaqti

79

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

458

ns

T F

Pasayish vaqti

49

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

2.88

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

12.9

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 300 V,I C = 400A, R g = 1.8Ω,

V GE =±15V, T J = 125O C

111

ns

T R

O'sish vaqti

80

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

505

ns

T F

Pasayish vaqti

70

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

4.20

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

16.0

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 300 V,I C = 400A, R g = 1.8Ω,

V GE =±15V, T J = 150O C

120

ns

T R

O'sish vaqti

80

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

510

ns

T F

Pasayish vaqti

80

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

4.50

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

17.0

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤6μs, V GE =15V,

T J = 150 O C,V CC = 360 V, V MET ≤ 600V

2000

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 400A,V GE =0V,T J =25 O C

1.55

2.00

V

Ман F = 400A,V GE =0V,T J = 125O C

1.50

Ман F = 400A,V GE =0V,T J = 150O C

1.45

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

V R = 300 V,I F = 400A,

-di/dt=5500A/μs,V GE =- 15V T J =25 O C

18.2

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

215

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

3.58

mJ

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

V R = 300 V,I F = 400A,

-di/dt=5500A/μs,V GE =- 15V T J = 125O C

29.8

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

280

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

7.26

mJ

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

V R = 300 V,I F = 400A,

-di/dt=5500A/μs,V GE =- 15V T J = 150O C

34.2

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

300

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

8.30

mJ

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

R tJC

T1 uchun junction-to-Case ( T2 IGBT)

Qoplamaga bog'lanish (D1,D2 Dio uchun) de)

T3 uchun junction-to-case ( T4 IGBT)

Qoplamaga bog'lanish (D3,D4 Dio uchun) de)

0.068

0.138

0.115

0.195

K/W

R tCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har T1,T2 IGBT)

Issiqlik sinkiga bo'lgan bo'shliq (har D1,D2 uchun) Diod)

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har T3,T4 IGBT)

Issiqlik sinkiga bo'lgan qolip (har D3,D4 uchun) Diod)

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har Modul)

0.136

0.276

0.230

0.391

0.028

K/W

M

Montaj vringli kuch M6 shrub

terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5

3.0

2.5

6.0

5.0

N.M