IGBT Modul 1200V

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

VCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

VGES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

v

IC

Kollektor oqimi @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

a

ICM

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp=1 ms

800

a

PD

Maksimal quvvat yo'qotilishi  @ T =150oC

2659

v

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

VRRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

v

agar

Diod doimiy oldinga oqim

400

a

MFI

Diodning maksimal oldingi oqimi tp=1 ms

800

a

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

Tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

150

oC

Tjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +125 gacha

oC

TSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-40 dan +125 gacha

oC

VISO

Izolatsiya kuchlanmasi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic= 400A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

2.90

3.35

Oʻzlashtirish

v

ic= 400A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 125oc

Oʻzlashtirish

3.60

Oʻzlashtirish

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=Oʻzlashtirish16.0 mA,Vo=VGE, TJ=25oc

4.5

5.5

6.5

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilgan

joriy

vo=vCES,vGE=0V,

tJ=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishiOʻzlashtirishjoriy

vGE=vGES,vo=0V,tJ=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

rGint

Ichki darvoza qarshiligioʻtish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.6

Oʻzlashtirish

Ω

cies

Kirish sig'imi

vo=25V, f=1Mhz,

vGE=0V

Oʻzlashtirish

26.0

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

1.70

Oʻzlashtirish

NF

qg

Darvoza zaryadi

vGE=-Oʻzlashtirish15...+15V

Oʻzlashtirish

4.2

Oʻzlashtirish

μC

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 400A,Oʻzlashtirishrg= 2,2Ω,

vGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

76

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

57

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

529

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

73

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

5.2

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

23.2

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 400A,rg= 2,2Ω,

vGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125oc

Oʻzlashtirish

81

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

62

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

567

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

81

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

9.9

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

31.7

Oʻzlashtirish

mJ

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tp≤ 10 μs,VGE=15V,

tJ= 125oC,Vcc= 900V,OʻzlashtirishvMET≤ 1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

2800

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if= 400A,VGE=0V,TJ=25oc

Oʻzlashtirish

1.96

2.31

v

if= 400A,VGE=0V,TJ=Oʻzlashtirish125oc

Oʻzlashtirish

1.98

Oʻzlashtirish

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

vr= 600V,If= 400A,

-di/dt=6000A/μs,VGE=-Oʻzlashtirish15VtJ=25oc

Oʻzlashtirish

24.9

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

317

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishenergiya

Oʻzlashtirish

16.0

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

vr= 600V,If= 400A,

-di/dt=6000A/μs,VGE=-Oʻzlashtirish15VOʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125oc

Oʻzlashtirish

35.5

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

391

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishenergiya

Oʻzlashtirish

21.4

Oʻzlashtirish

mJ

Simvol

parametr

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

20

nH

rCC+EE

Modulning oʻzlashtirilishince, terminaldan chipga

Oʻzlashtirish

0.18

Oʻzlashtirish

mΩ

rtJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha)T)

Qoplamaga bog'lanish (di uchun)oʻqilgan)

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.047

0.100

K/W

Oʻzlashtirish

rtCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (harIGBT)

Korpusdan Isitgichga (per Diode)

Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga)(oʻqilgan)

Oʻzlashtirish

0.015

0.031

0.010

Oʻzlashtirish

K/W

m

terminalga ulanish vringli kuchi,OʻzlashtirishM6 shrubOʻzlashtirishMontaj vringli kuchOʻzlashtirishM6 shrub

2.5

3.0

Oʻzlashtirish

5.0

5.0

n.m.

g

og'irligiOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishmodul

Oʻzlashtirish

300

Oʻzlashtirish

g