IGBT Modul 1700V

Simvol

Tavsif

GD400SGT170C2S

Birliklar

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C = 25°C

@ T C =80 °C

700

A

400

Ман m (1)

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

800

A

Ман F

Diod doimiy oldinga oqim

400

A

Ман Fm

Diodning maksimal oldinga burilishi ijara

800

A

P D

Maksimal quvvat J = 175°C

3000

W

T SC

Qisqa uzilish vaqtini saqlab turish @ T J = 125 °C

10

μs

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

T STG

Saqlanish harorat oraliqi

-40 dan +125 gacha

°C

Ман 2t-qiymat,Diode

V R =0V, t=10ms, T J = 125 °C

25500

A 2s

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Oʻrnatish vring

Quvvat terminali vint:M4

Kuch terminalining viski:M6

1.1 gacha 2.0

2,5 gacha 5.0

N.M

O'rnatish Varaq:M6

3,0 dan 5.0

N.M

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V (BR )CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

V GE =0V, Ман C = 14mA, T J =25 °C

1700

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 °C

3.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi

Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 °C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 16mA,V CE =V GE , T J =25 °C

5.2

5.8

6.4

V

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 400A,V GE =15V, T J =25 °C

2.00

2.45

V

Ман C = 400A,V GE =15V, T J = 125°C

2.40

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 400A,

278

ns

T R

O'sish vaqti

R g = 3,6Ω,V GE = ± 15 V,

81

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

T J =25 °C

802

ns

T F

Pasayish vaqti

V CC = 900V,I C = 400A, R g = 3,6Ω,V GE = ± 15 V, T J =25 °C

119

ns

E включено

Oʻchirilgan oʻchirish

Yoʻqotish

104

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

86

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 400A, R g = 3,6Ω,V GE = ± 15 V, T J = 125°C

302

ns

T R

O'sish vaqti

99

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1002

ns

T F

Pasayish vaqti

198

ns

E включено

Oʻchirilgan oʻchirish

Yoʻqotish

136

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

124

mJ

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

36

NF

C o'qish

Chiqarish quvvati

1.5

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.2

NF

Ман SC

SC ma'lumotlari

T s C ≤ 10μs, V GE =15V,

T J = 125 °C V CC = 1000 V, V MET ≤ 1700V

1600

A

R Gint

Ichki Darvozali Qarshilik tansiq

1.9

Ω

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC + EE ’

Modulning oʻzidan saqlanishi o Chiptani terminalga oʻtkazish

T C =25 °C

0.18

M Ω

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 400A

T J =25 °C

1.80

2.20

V

T J = 125°C

1.90

Q R

Diod orqaga

Qaytarib olish haqi

Ман F = 400A,

V R =900 V,

di/dt=-4250A/μs, V GE =- 15V

T J =25 °C

99

μC

T J = 125°C

172

Ман RM

Diodning yuqori nuqtasi

Qayta tiklanish Jorov

T J =25 °C

441

A

T J = 125°C

478

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

53

mJ

T J = 125°C

97

Simvol

Parametr

Tip.

Max.

Birliklar

R θ JC

Qatlamga ulanish (IGBT qismi, pe) r Moduli)

0.05

K/W

R θ JC

Modul bo'yicha junction-to-case (diod qism) e)

0.09

K/W

R θ CS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog' koʻrsatilgan)

0.035

K/W

Og'irlik

Og'irlik из Modul

300

g