IGBT Modul 1200V

Simvol

tavsif

GD400SGL120C2S

birliklar

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

v

ic

Jildning oqimi @ Tc=25°C

@ Tc=Oʻzlashtirish100°C

650

a

400

im1.

Pulsatsiyali kollektorli kurren

800

a

if

Diod doimiy oldinga oqim

400

a

ifm

Diodning maksimal oldinga burilishiijara

800

a

pd

Maksimal quvvatJ=Oʻzlashtirish175°C

3000

v

ts

Qisqa uzilish vaqtini saqlab turish @ TJ= 125°C

10

μs

tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

tJ

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

°C

tSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-40 dan +125 gacha

°C

i2t-qimmat, diod

vr=0V, t=10ms, TJ= 125°C

27500

a2s

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

Oʻrnatish vring

Kuch terminalining viski:M6

2,5 gachaOʻzlashtirish5

n.m.

oʻrnatishOʻzlashtirishVaraq:M6

3OʻzlashtirishgachaOʻzlashtirish6

n.m.

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

BVCES

Kollektor-tarqatuvchi

uzilish kuchlanmasi

tJ=25°C

1200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilganOʻzlashtirishjoriy

vo=vCES,vGE=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittor

oqim

vGE=vGES,vo=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittor

Chiziqli kuchlanishni

ic= 8mA,vo=vGE,OʻzlashtirishtJ=25°C

5.0

6.2

7.0

v

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

yigʻuvchiga

Emitent to'yinganligi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic= 400A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.9

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic= 400A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

2.1

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

vcc= 600V,Ic= 400A,

rg=4Ω, VGEOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish±15V,

Oʻzlashtirish

100

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

60

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

420

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

vcc= 600V,Ic= 400A,

rg=4Ω, VGEOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish±15V,

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

60

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

Oʻchirish

Oʻzgaruvchan yoʻqotish

Oʻzlashtirish

33

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Aylaning- Oʻzingizningo'chirilgan

Oʻzgaruvchan yoʻqotish

Oʻzlashtirish

42

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 400A,

rg=4Ω, VGEOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish±15V,

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

120

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

60

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

490

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

75

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

Oʻchirish

Oʻzgaruvchan yoʻqotish

Oʻzlashtirish

35

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Aylaning- Oʻzingizningo'chirilgan

Oʻzgaruvchan yoʻqotish

Oʻzlashtirish

46

Oʻzlashtirish

mJ

cies

Kirish sig'imi

Oʻzlashtirish

voOʻzlashtirish=25V, f=1MHz,

vGEOʻzlashtirish=0V

Oʻzlashtirish

30

Oʻzlashtirish

NF

co'qish

Chiqarish quvvati

Oʻzlashtirish

4

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga

Olib o'tish quvvati

Oʻzlashtirish

3

Oʻzlashtirish

NF

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tsc≤10 μs, VGE=15OʻzlashtirishV,

tJ= 125°C, Vcc= 900V,

vMET≤1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1900

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

rGint

Ichki darvoza

qarshilik

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.5

Oʻzlashtirish

Ω

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

20

nH

Oʻzlashtirish

rcc+EEOʻzlashtirish'

Modulning oʻrni

qarshilik,

Chiptani terminalga oʻtkazish

Oʻzlashtirish

tc=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.18

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

mΩ

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if= 400A

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

2.1

2.2

v

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

2.2

2.3

qr

Diod orqaga

Qaytarib olish haqi

Oʻzlashtirish

if= 400A,

vr= 600 V,

di/dt=-4000A/μs,OʻzlashtirishvGE=-Oʻzlashtirish15V

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

40

Oʻzlashtirish

μC

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

48

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

irm

Diodning yuqori nuqtasi

Qayta tiklanishOʻzlashtirishjoriy

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

320

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

400

Oʻzlashtirish

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

12

Oʻzlashtirish

mJ

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

20

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Tip.

maksimal

birliklar

rθJC

Qatlamga ulanish (IGBT qismi, pe)r Moduli)

Oʻzlashtirish

0.05

K/W

rθJC

Modul bo'yicha junction-to-case (diod qism)e)

Oʻzlashtirish

0.09

K/W

rθCS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog'koʻrsatilgan)

0.035

Oʻzlashtirish

K/W

og'irligi

og'irligiOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishmodul

300

Oʻzlashtirish

g