IGBT Modul 1200V

Simvol

tavsif

GD400SGK120C2S

birliklar

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

Simvol

tavsif

GD400SGK120C2S

birliklar

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

±20 v

v

ic

Jildning oqimi @ Tc=25°C

@ Tc=80°C

550

a

400

iCM(1)

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1 ms

800

a

if

Diodli doimiy oldingi oqimn

400

a

ifm

Diodning maksimal oldingi oqimin

800

a

pd

Maksimal quvvat @tJ= 150°C

2500

v

ts

Qisqa uzilish vaqtini saqlab turish @ TJ= 125°C

10

μs

tJ

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 danOʻzlashtirish+150

°C

tSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-40 danOʻzlashtirish+125

°C

i2t-qimmat, diod

vr=0V, t=10ms, TJ= 125°C

27500

a2s

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

oʻrnatish

aylanish vring

Elektr tarmogʻi terminallariOʻzlashtirishVaraq:M4

Elektr tarmogʻi terminallariOʻzlashtirishVaraq:M6

1.1 gachaOʻzlashtirish2.0

2,5 gachaOʻzlashtirish5.0

n.m.

oʻrnatishOʻzlashtirishVaraq:M6

3,0 danOʻzlashtirish6.0

n.m.

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

BVCES

Kollektor-tarqatuvchi

uzilish kuchlanmasi

tJ=25°C

1200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilganOʻzlashtirishjoriy

vo=VCESVGE=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishi

joriy

vGE=VGESVo=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vGE(th)

Darvoza emittor

Chiziqli kuchlanishni

ic= 5,0 mA, Vo=VGE,

tJ=25°C

4.5

5.1

5.5

v

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic= 400A,VGE= 15V,TJ=25°C

Oʻzlashtirish

2.2

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic= 400A,VGE=15V,

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

2.5

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

td ((on)

O'chirish kechikish vaqti

vcc= 600V,Ic= 400A,

Oʻzlashtirish

258

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

rg= 3,3Ω, VGEOʻzlashtirish=±15V,

Oʻzlashtirish

110

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

tJ= 25°C

Oʻzlashtirish

285

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 400A,

rg= 3,3Ω, VGEOʻzlashtirish=±15V,OʻzlashtirishtJ= 25°C

Oʻzlashtirish

70

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

45

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

26

Oʻzlashtirish

mJ

td ((on)

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 400A,

rg= 3,3Ω, VGEOʻzlashtirish=±15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

260

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

120

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

300

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

80

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

60

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

40

Oʻzlashtirish

mJ

cies

Kirish sig'imi

Oʻzlashtirish

voOʻzlashtirish=25V, f=1,0MHz,

vGEOʻzlashtirish=0V

Oʻzlashtirish

74.7

Oʻzlashtirish

NF

co'qish

Chiqarish quvvati

Oʻzlashtirish

3.3

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

0.64

Oʻzlashtirish

NF

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tsc≤10 μs, VGE=15V,

tJ= 125°C, Vcc= 900V,

vMETOʻzlashtirish≤1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

2400

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

16

Oʻzlashtirish

nH

Oʻzlashtirish

rcc+EE'

Modulning oʻrni

qarshilik,OʻzlashtirishTerminalOʻzlashtirishgachaOʻzlashtirishchip

Oʻzlashtirish

tc=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.50

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

mΩ

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if= 400A

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

2.0

2.3

v

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

2.2

2.5

qr

Diod orqaga

Qaytarib olish haqi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

if= 400A,

vr= 600 V,

di/dt=-4100A/μs,OʻzlashtirishvGE= 15V

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

31

Oʻzlashtirish

μC

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

66

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

irm

Diodning yuqori nuqtasi

Qayta tiklanishOʻzlashtirishjoriy

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

300

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

410

Oʻzlashtirish

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

12

Oʻzlashtirish

mJ

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

28

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Tip.

maksimal

birliklar

rθJC

Birlashma-kassa (IGBT qismi, harOʻzlashtirish1/2 Modul)

Oʻzlashtirish

0.05

K/W

rθJC

Birlashma (diod qismlari, harOʻzlashtirish1/2 Modul)

Oʻzlashtirish

0.08

K/W

rθCS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog'koʻrsatilgan)

0.035

Oʻzlashtirish

K/W

og'irligi

vazniningOʻzlashtirishmodul

340

Oʻzlashtirish

g