IGBT Modul 1200V

Simvol

tavsif

GD400HFU120C2S

birliklar

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

v

ic

Jildning oqimi @ Tc=25°C

@ Tc=80°C

660

400

a

im1.

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1 ms

800

a

if

Diod doimiy oldinga oqim

400

a

ifm1.

Diodning maksimal oldinga burilishiijara

800

a

pd

Maksimal quvvatJ=Oʻzlashtirish150°C

2660

v

ts

Qisqa uzilish vaqtini saqlab turish @ TJ= 125°C

10

μs

tJ

Maksimal bogʻlanish harorati

150

°C

tSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-40 dan +125 gacha

°C

voʻlchash

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Oʻrnatish vring

Kuch terminalining viski:M6

2,5 gachaOʻzlashtirish5.0

n.m.

oʻrnatishOʻzlashtirishVaraq:M6

3,0 danOʻzlashtirish6.0

n.m.

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

v(br) bilanCES

Kollektor-tarqatuvchi

uzilish kuchlanmasi

tJ=25°C

1200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilganOʻzlashtirishjoriy

vo=vCES,vGE=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishi

joriy

vGE=vGES,vo=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=4.0mA,vo=vGE,OʻzlashtirishtJ=25°C

4.4

4.9

6.0

v

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic= 400A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

3.10

3.60

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic= 400A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

3.45

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic=400A,   rg= 2,2Ω,VGE=±15OʻzlashtirishV,tJ=25°C

Oʻzlashtirish

680

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

142

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

638

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

99

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

Oʻchirilgan oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

19.0

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

32.5

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic=400A,   rg= 2,2Ω,VGE=±15OʻzlashtirishV,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

690

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

146

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

669

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

108

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

Oʻchirilgan oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

26.1

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

36.7

Oʻzlashtirish

mJ

cies

Kirish sig'imi

Oʻzlashtirish

vo=30V,f=1MHz,

vGE=0V

Oʻzlashtirish

33.7

Oʻzlashtirish

NF

co'qish

Chiqarish quvvati

Oʻzlashtirish

2.99

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

1.21

Oʻzlashtirish

NF

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tpOʻzlashtirish≤10 μs, VGE=15OʻzlashtirishV,OʻzlashtirishtJ=25°C,

vcc= 600 V,OʻzlashtirishvMET≤1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

2600

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

rGint

Ichki Darvozali Qarshiliktansiq

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.5

Oʻzlashtirish

Ω

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

18

nH

rcc+EEOʻzlashtirish'

Modulning oʻzidan saqlanishioOʻzlashtirishChiptani terminalga oʻtkazish

tc=25°C

Oʻzlashtirish

0.32

Oʻzlashtirish

mΩ

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if= 400A

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.95

2.35

v

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

1.85

Oʻzlashtirish

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

if= 400A,

vr= 600OʻzlashtirishV,

di/dt=-2850A/μs,OʻzlashtirishvGE=-Oʻzlashtirish15V

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

24.1

Oʻzlashtirish

μC

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

44.3

Oʻzlashtirish

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

220

Oʻzlashtirish

a

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

295

Oʻzlashtirish

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

13.9

Oʻzlashtirish

mJ

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

24.8

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Tip.

maksimal

birliklar

rθJC

Jons-to-Case (IG boʻyicha)BT)

Oʻzlashtirish

0.047

K/W

rθJC

Qisqasi bilan bogʻlanish (har Dyod)

Oʻzlashtirish

0.096

K/W

rθCS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog'koʻrsatilgan)

0.035

Oʻzlashtirish

K/W

g

vazniningOʻzlashtirishmodul

350

Oʻzlashtirish

g