IGBT Modul 1700V

Simvol

Tavsif

GD400HFT170C2SN

Birliklar

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

700

400

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

800

A

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

@ T C =80 °C

400

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

800

A

P D

Maksimal quvvat J = 1 75°C

2632

W

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

°C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

O'rnatish Момент

Kuch terminalining viski:M6

O'rnatish viski:M6

2,5 gacha 5.0

3,0 dan 5.0

N.M

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V (BR )CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

T J =25 °C

1700

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 °C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 °C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 16.0 mA,V CE =V GE , T J =25 °C

5.2

5.8

6.4

V

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 400A,V GE =15V, T J =25 °C

2.00

2.45

V

Ман C = 400A,V GE =15V, T J = 125 °C

2.40

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 400A, R g = 3,6Ω,V GE =±15V, T J =25 °C

281

ns

T R

O'sish vaqti

79

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

795

ns

T F

Pasayish vaqti

120

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

104

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

86

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 400A, R g = 3,6Ω,V GE =±15V, T J = 125 °C

299

ns

T R

O'sish vaqti

102

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

998

ns

T F

Pasayish vaqti

202

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

136

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

124

mJ

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

35.3

NF

C o'qish

Chiqarish quvvati

1.46

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

1.17

NF

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

T J = 125 °C, V CC = 1000 V, V MET ≤ 1700V

1600

A

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

1.9

Ω

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning oʻrni

qarshilik,

Chiptani terminalga oʻtkazish

0.35

mΩ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 400A

T J =25 °C

1.80

2.20

V

T J = 125 °C

1.90

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

Ман F = 400A,

V R = 900V,

R g = 3,6Ω,

V GE = 15V

T J =25 °C

100

μC

T J = 125 °C

170

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

T J =25 °C

440

A

T J = 125 °C

480

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

54.0

mJ

T J = 125 °C

95.0

Simvol

Parametr

Tip.

Max.

Birliklar

R θ JC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

0.057

K/W

R θ JC

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.110

K/W

R θ CS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog' koʻrsatilgan)

0.035

K/W

Og'irlik

Og'irlik Modul

300

g