IGBT Modul 1200V

Simvol

tavsif

qiymatlari

birligi

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

v

ic

Jildning oqimi @ Tc=25oc

@ Tc=100oc

769

400

a

im

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1 ms

800

a

pd

Maksimal quvvatni yoʻq qilish @ Tvj= 175oc

2272

v

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

tvjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

oc

tvjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

oc

tSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-40 dan +125 gacha

oc

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS,f=50Hz,t=1 daqiqa

2500

v

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic= 400A,VGE=15V,Oʻzlashtirishtvj=25oc

Oʻzlashtirish

1.85

2.30

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic= 400A,VGE=15V,Oʻzlashtirishtvj= 125oc

Oʻzlashtirish

2.25

Oʻzlashtirish

ic= 400A,VGE=15V,Oʻzlashtirishtvj= 150oc

Oʻzlashtirish

2.35

Oʻzlashtirish

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic= 16.00mA,vo=vGE,tvj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilgan

joriy

vo=vCES,vGE=0V,

tvj=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishiOʻzlashtirishjoriy

vGE=vGES,vo=0V,tvj=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

rGint

Ichki darvoza qarshiligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.5

Oʻzlashtirish

Ω

cies

Kirish sig'imi

vo=25V,f=100kHz,OʻzlashtirishvGE=0V

Oʻzlashtirish

43.2

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

1.18

Oʻzlashtirish

NF

qg

Darvoza zaryadi

vGE=-Oʻzlashtirish15...+15V

Oʻzlashtirish

3.36

Oʻzlashtirish

μC

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 400A,Oʻzlashtirishrg= 2Ω,Mens= 45nH,

vGE=±15V,tvj=25oc

Oʻzlashtirish

288

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

72

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

314

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

55

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

43.6

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

12.4

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 400A,Oʻzlashtirishrg= 2Ω,Mens= 45nH,

vGE=±15V,tvj= 125oc

Oʻzlashtirish

291

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

76

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

351

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

88

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

57.6

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

17.1

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 400A,Oʻzlashtirishrg= 2Ω,Mens= 45nH,

vGE=±15V,tvj= 150oc

Oʻzlashtirish

293

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

78

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

365

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

92

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

62.8

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

18.6

Oʻzlashtirish

mJ

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tp≤ 10 μs,vGE=15V,

tvj= 150oC,Vcc=800V,OʻzlashtirishvMET≤ 1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1500

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

Oʻzlashtirish

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if= 400A,VGE=0V,Tvj= 25oc

Oʻzlashtirish

1.85

2.30

Oʻzlashtirish

v

if= 400A,VGE=0V,Tvj= 125oc

Oʻzlashtirish

1.90

Oʻzlashtirish

if= 400A,VGE=0V,Tvj= 150oc

Oʻzlashtirish

1.95

Oʻzlashtirish

qr

Qayta tiklangan

toʻlov

Oʻzlashtirish

vr= 600V,If= 400A,

-di/dt=4130A/μs,VGE=-Oʻzlashtirish15V,Mens= 45nH,tvj=25oc

Oʻzlashtirish

38.8

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

252

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

Oʻzlashtirish

11.2

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qayta tiklangan

toʻlov

Oʻzlashtirish

vr= 600V,If= 400A,

- Oʻzingizningdi/dt= 3860A/μs,vGE=-Oʻzlashtirish15V,Mens= 45nH,tvj= 125oc

Oʻzlashtirish

61.9

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

255

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

Oʻzlashtirish

18.7

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qayta tiklangan

toʻlov

Oʻzlashtirish

vr= 600V,If= 400A,

- Oʻzingizningdi/dt= 3720A/μs,vGE=-Oʻzlashtirish15V,Mens= 45nH,tvj= 150oc

Oʻzlashtirish

75.9

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

257

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

Oʻzlashtirish

20.5

Oʻzlashtirish

mJ

Simvol

parametr

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

20

nH

rCC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

Oʻzlashtirish

0.35

Oʻzlashtirish

mΩ

rtJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha)T)

Qoplamaga bog'lanish (di uchun)oʻqilgan)

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.066

0.115

K/W

Oʻzlashtirish

rtCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (harIGBT)

Korpusdan Isitgichga (per Diode)

Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga)(oʻqilgan)

Oʻzlashtirish

0.031

0.055

0.010

Oʻzlashtirish

K/W

m

terminalga ulanish vringli kuchi,OʻzlashtirishM6 shrubOʻzlashtirishMontaj vringli kuchOʻzlashtirishM6 shrub

2.5

3.0

Oʻzlashtirish

5.0

5.0

n.m.

g

og'irligiOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishmodul

Oʻzlashtirish

300

Oʻzlashtirish

g