IGBT Modul 1700V

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

v

ic

Jildning oqimi @ Tc=25oc

@ Tc=Oʻzlashtirish100oc

645

400

a

im

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1 ms

800

a

pd

Maksimal quvvatni yoʻq qilish @ TJ= 175oc

2631

v

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

vRRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1700

v

if

Diodning doimiy oldinga chizilishiijara

400

a

ifm

Diodning maksimal oldingi oqimi tp= 1 ms

800

a

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

oc

tjoʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

oc

tSTG

saqlash haroratimasofasi

-40 dan +125 gacha

oc

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS,f=50Hz,t=1 daqiqa

4000

v

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic= 400A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

2.00

2.45

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic= 400A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 125oc

Oʻzlashtirish

2.40

Oʻzlashtirish

ic= 400A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 150oc

Oʻzlashtirish

2.50

Oʻzlashtirish

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=Oʻzlashtirish16.0 mA,Vo=VGE, TJ=25oc

5.4

6.2

7.4

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilgan

joriy

vo=vCES,vGE=0V,

tJ=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishiOʻzlashtirishjoriy

vGE=vGES,vo=0V,tJ=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

rGint

Ichki darvoza qarshiligioʻtish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.5

Oʻzlashtirish

Ω

cies

Kirish sig'imi

vo=25V, f=1Mhz,

vGE=0V

Oʻzlashtirish

27.0

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

0.92

Oʻzlashtirish

NF

qg

Darvoza zaryadi

vGE=-Oʻzlashtirish15...+15V

Oʻzlashtirish

3.08

Oʻzlashtirish

μC

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 900V,Ic= 400A,Oʻzlashtirishrg= 2,2Ω,VGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

367

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

112

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

523

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

236

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

42.5

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

76.7

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 900V,Ic= 400A,Oʻzlashtirishrg= 2,2Ω,VGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125oc

Oʻzlashtirish

375

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

116

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

599

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

458

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

58.7

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

109

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 900V,Ic= 400A,Oʻzlashtirishrg= 2,2Ω,VGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish150oc

Oʻzlashtirish

377

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

120

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

611

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

560

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

73.0

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

118

Oʻzlashtirish

mJ

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tp≤ 10 μs,VGE=15V,

tJ= 150oC,Vcc=Oʻzlashtirish1000 V, vMET≤ 1700V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Oʻzlashtirish

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if= 400A,VGE=0V,TJ=25oc

Oʻzlashtirish

1.80

2.25

Oʻzlashtirish

v

if= 400A,VGE=0V,TJ=Oʻzlashtirish125oc

Oʻzlashtirish

1.90

Oʻzlashtirish

if= 400A,VGE=0V,TJ=Oʻzlashtirish150oc

Oʻzlashtirish

1.95

Oʻzlashtirish

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

vcc= 900V,If= 400A,

-di/dt=2900A/μs,VGE=-Oʻzlashtirish15V,tJ=25oc

Oʻzlashtirish

101

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

488

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishenergiya

Oʻzlashtirish

71.1

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

vcc= 900V,If= 400A,

-di/dt=2900A/μs,VGE=-Oʻzlashtirish15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125oc

Oʻzlashtirish

150

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

562

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishenergiya

Oʻzlashtirish

106

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

vcc= 900V,If= 400A,

-di/dt=2900A/μs,VGE=-Oʻzlashtirish15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish150oc

Oʻzlashtirish

160

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

575

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishenergiya

Oʻzlashtirish

112

Oʻzlashtirish

mJ

Simvol

parametr

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

20

nH

rCC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi,Terminaldan Chipga

Oʻzlashtirish

0.35

Oʻzlashtirish

mΩ

rtJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha)T)

Qisqasi bilan bogʻlanish (har Dyod)

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.057

0.110

K/W

Oʻzlashtirish

rtCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (harIGBT)

Issiqlik sinkiga boʻlgan qoʻllanma (p)er Diod)

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (harModul)

Oʻzlashtirish

0.106

0.205

0.035

Oʻzlashtirish

K/W

m

terminalga ulanish vringli kuchi,OʻzlashtirishM6 shrubOʻzlashtirishMontaj vringli kuchOʻzlashtirishM6 shrub

2.5

3.0

Oʻzlashtirish

5.0

5.0

n.m.

g

og'irligiOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishmodul

Oʻzlashtirish

300

Oʻzlashtirish

g