IGBT Modul 1200V

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

± 30

v

ic

Jildning oqimi @ Tc=25oc

@ Tc=Oʻzlashtirish100oc

630

400

a

im

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1 ms

800

a

pd

Maksimal quvvatni yoʻq qilish @ TJ= 175oc

2083

v

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

vRRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1200

v

if

Diodning doimiy oldinga chizilishiijara

400

a

ifm

Diodning maksimal oldingi oqimi tp= 1 ms

800

a

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

oc

tjoʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

oc

tSTG

saqlash haroratimasofasi

-40 dan +125 gacha

oc

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS,f=50Hz,t=1daqiqa

4000

v

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic= 400A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

1.70

2.15

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic= 400A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 125oc

Oʻzlashtirish

1.95

Oʻzlashtirish

ic= 400A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 150oc

Oʻzlashtirish

2.00

Oʻzlashtirish

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=Oʻzlashtirish16.0 mA,Vo=VGE, TJ=25oc

5.0

5.7

6.5

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilgan

joriy

vo=vCES,vGE=0V,

tJ=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishiOʻzlashtirishjoriy

vGE=vGES,vo=0V,tJ=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

rGint

Ichki darvoza qarshiligioʻtish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.5

Oʻzlashtirish

Ω

cies

Kirish sig'imi

vo=30V,f=1MHz,

vGE=0V

Oʻzlashtirish

39.6

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

1.20

Oʻzlashtirish

NF

qg

Darvoza zaryadi

vGE=15V

Oʻzlashtirish

2.40

Oʻzlashtirish

μC

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 400A,Oʻzlashtirishrg= 2.0Ω,

vGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

408

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

119

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

573

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

135

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

10.5

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

36.2

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 400A,Oʻzlashtirishrg= 2.0Ω,

vGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125oc

Oʻzlashtirish

409

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

120

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

632

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

188

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

13.2

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

53.6

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 400A,Oʻzlashtirishrg= 2.0Ω,

vGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish150oc

Oʻzlashtirish

410

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

123

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

638

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

198

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

14.4

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

56.1

Oʻzlashtirish

mJ

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tp≤ 10 μs,VGE=15V,

tJ= 150oC,Vcc= 900V,OʻzlashtirishvMET≤ 1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1600

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Oʻzlashtirish

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if= 400A,VGE=0V,TJ=25oc

Oʻzlashtirish

1.80

2.25

Oʻzlashtirish

v

if= 400A,VGE=0V,TJ=Oʻzlashtirish125oc

Oʻzlashtirish

1.85

Oʻzlashtirish

if= 400A,VGE=0V,TJ=Oʻzlashtirish150oc

Oʻzlashtirish

1.85

Oʻzlashtirish

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

vr= 600V,If= 400A,

-di/dt=3350A/μs,VGE=-Oʻzlashtirish15VtJ=25oc

Oʻzlashtirish

40.5

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

259

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishenergiya

Oʻzlashtirish

19.7

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

vr= 600V,If= 400A,

-di/dt=3350A/μs,VGE=-Oʻzlashtirish15VOʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125oc

Oʻzlashtirish

67.9

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

323

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishenergiya

Oʻzlashtirish

32.6

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

vr= 600V,If= 400A,

-di/dt=3350A/μs,VGE=-Oʻzlashtirish15VOʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish150oc

Oʻzlashtirish

77.7

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

342

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishenergiya

Oʻzlashtirish

38.3

Oʻzlashtirish

mJ

Simvol

parametr

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

20

nH

rCC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi,Terminaldan Chipga

Oʻzlashtirish

0.35

Oʻzlashtirish

mΩ

rθJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha)T)

Qisqasi bilan bogʻlanish (har Dyod)

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.072

0.095

K/W

rθCS

Qopqoqdan sinkgacha (IGBT bo'yicha)

Qopqoqdan sinkgacha (diod bo'yicha)

Oʻzlashtirish

0.088

0.116

Oʻzlashtirish

K/W

rθCS

Qopqoqdan cho'kishgacha

Oʻzlashtirish

0.035

Oʻzlashtirish

K/W

m

terminalga ulanish vringli kuchi,OʻzlashtirishM6 shrubOʻzlashtirishMontaj vringli kuchOʻzlashtirishM6 shrub

2.5

3.0

Oʻzlashtirish

5.0

5.0

n.m.

g

og'irligiOʻzlashtirishmodul

Oʻzlashtirish

300

Oʻzlashtirish

g