IGBT Modul 1200V

Simvol

tavsif

GD3600SGT120C4S

birliklar

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

v

ic

@ Tc=25°C

@ Tc=80°C

4800

a

3600

im1.

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp=Oʻzlashtirish1ms

7200

a

if

Diod doimiy oldinga oqim

3600

a

ifm

Diodning maksimal oldinga burilishiijara

7200

a

pd

Maksimal quvvatJ= 175°C

16.7

kV

tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

tSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-40 dan +125 gacha

°C

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

oʻrnatish

Signal terminaliningOʻzlashtirishVaraq:M4

1.8 gachaOʻzlashtirish2.1

Oʻzlashtirish

Kuch terminalining viski:M8

8.0 danOʻzlashtirish10

n.m.

aylanish vring

oʻrnatishOʻzlashtirishVaraq:M6

4.25 danOʻzlashtirish5.75

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

v(br) bilanCES

Kollektor-tarqatuvchi

uzilish kuchlanmasi

tJ=25°C

1200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilganOʻzlashtirishjoriy

vo=vCES,vGE=0V,tJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishi

joriy

vGE=vGES,vo=0V,tJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=145mA,vo=vGE,tJ=25°C

5.0

5.8

6.5

v

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic= 3600A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.70

2.15

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic= 3600A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 125°C

Oʻzlashtirish

2.00

2.45

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

qg

Darvoza zaryadi

vGE=-Oʻzlashtirish15...+15V

Oʻzlashtirish

35.0

Oʻzlashtirish

μC

rGint

Ichki Gate Rezistor

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

0.5

Oʻzlashtirish

Ω

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 3600A,OʻzlashtirishrGon= 0,8Ω,

rGoff= 0,2Ω,

vGE=±15V,TJ=25°C

Oʻzlashtirish

600

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

235

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

825

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

145

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishOʻzgaruvchan yoʻqotish

Oʻzlashtirish

/

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

O'chirishni o'chirish yo'qotilishi

Oʻzlashtirish

/

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 3600A,OʻzlashtirishrGon= 0,8Ω,

rGoff= 0,2Ω,

vGE=±15V,TJ= 125°C

Oʻzlashtirish

665

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

215

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

970

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

180

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishOʻzgaruvchan yoʻqotish

Oʻzlashtirish

736

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

O'chirishni o'chirish yo'qotilishi

Oʻzlashtirish

569

Oʻzlashtirish

mJ

cies

Kirish sig'imi

Oʻzlashtirish

vo=25V, f=1Mhz, vGE=0V

Oʻzlashtirish

258

Oʻzlashtirish

NF

co'qish

Chiqarish quvvati

Oʻzlashtirish

13.5

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

11.7

Oʻzlashtirish

NF

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tsc≤10 μs, VGE=15V, OʻzlashtirishtJ= 125°CVcc= 900V,OʻzlashtirishvMET≤1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

14000

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

10

Oʻzlashtirish

nH

rcc+EEOʻzlashtirish'

Modulning o'rinli qarshiligi,Chiptani terminalga oʻtkazish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.12

Oʻzlashtirish

mΩ

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if= 3600A

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.65

2.15

v

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

1.65

2.15

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

if= 3600A,

vr= 600 V,

rGon= 0,8Ω,

vGE=-Oʻzlashtirish15V

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

360

Oʻzlashtirish

μC

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

670

Oʻzlashtirish

irm

Qayta tiklanishOʻzlashtirishjoriy

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

2500

Oʻzlashtirish

a

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

3200

Oʻzlashtirish

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

97

Oʻzlashtirish

mJ

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

180

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Tip.

maksimal

birliklar

rθJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha)T)

Oʻzlashtirish

9.0

K/kW

rθJC

Qatlamga bog'lanish (dion uchun)de)

Oʻzlashtirish

15.6

K/kW

rθCS

Qopqoqdan cho'kishgacha

(Tashlab berilgan o'tkazuvchan yog'(M) ga(oʻqilgan)

4

Oʻzlashtirish

K/kW

og'irligi

og'irligiOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishmodul

2250

Oʻzlashtirish

g