IGBT Modul 1700V

Simvol

tavsif

GD300SGT170C2S

birliklar

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

v

ic

Joriy toʻplamtc=25°C

@ Tc=80°C

550

300

a

im

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1ms

600

a

if

Diodning doimiy oldinga chizilishiijara

@ Tc=80°C

300

a

ifm

Diodning maksimal oldingi oqimi tp= 1 ms

600

a

pd

Maksimal quvvatni yoʻq qilish @ TJ= 175°C

2239

v

tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

tSTG

saqlash haroratimasofasi

-40 dan +125 gacha

°C

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS,f=50Hz,t=1daqiqa

4000

v

oʻrnatishOʻzlashtirishaylanish vring

Quvvat terminali vint:M4

Kuch terminalining viski:M6

1.1 gachaOʻzlashtirish2.0

2,5 gachaOʻzlashtirish5.0

n.m.

O'rnatish viski:M6

3,0 danOʻzlashtirish5.0

n.m.

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

v(br) bilanCES

Kollektor-tarqatuvchi

uzilish kuchlanmasi

tJ=25°C

1700

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilgan

joriy

vo=vCES,vGE=0V,tJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishiOʻzlashtirishjoriy

vGE=vGES,vo=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=Oʻzlashtirish12,0 mA,Vo=VGE,tJ=25°C

5.2

5.8

6.4

v

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic= 300A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

2.00

2.45

Oʻzlashtirish

v

ic= 300A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 125°C

Oʻzlashtirish

2.40

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 900V,Ic= 300A,Oʻzlashtirishrg=4.7Ω,VGE=±15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

281

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

82

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

801

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

121

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

70.0

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

65.0

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 900V,Ic= 300A,Oʻzlashtirishrg=4.7Ω,VGE=±15V,OʻzlashtirishtJ= 125°C

Oʻzlashtirish

303

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

103

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

1002

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

203

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

105

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

94.0

Oʻzlashtirish

mJ

cies

Kirish sig'imi

vo=25V, f=1Mhz,

vGE=0V

Oʻzlashtirish

26.6

Oʻzlashtirish

NF

co'qish

Chiqarish quvvati

Oʻzlashtirish

1.11

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

0.88

Oʻzlashtirish

NF

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tp≤ 10 μs,VGE=15OʻzlashtirishV,

tJ= 125°C,vcc=Oʻzlashtirish1000OʻzlashtirishV, vMET≤ 1700V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

rGint

Ichki darvoza qarshiligioʻtish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

2.1

Oʻzlashtirish

Ω

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

20

nH

Oʻzlashtirish

rCC+EE

Modulning oʻrni

qarshilik,

Chiptani terminalga oʻtkazish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.18

Oʻzlashtirish

mΩ

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if=300A

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.80

2.20

v

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

1.90

Oʻzlashtirish

qr

Qayta tiklangan

toʻlov

if= 300A,

vr= 900V,

rg=4.7Ω,

vGE= 15V

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

77

Oʻzlashtirish

μC

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

131

Oʻzlashtirish

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

351

Oʻzlashtirish

a

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

383

Oʻzlashtirish

erek

Qayta tiklanishenergiya

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

40.0

Oʻzlashtirish

mJ

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

72.0

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Tip.

maksimal

birliklar

rθJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha)T)

Oʻzlashtirish

0.067

K/W

rθJC

Qisqasi bilan bogʻlanish (har Dyod)

Oʻzlashtirish

0.124

K/W

rθCS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog 'ilovasi)yolgʻonchi)

0.035

Oʻzlashtirish

K/W

og'irligi

og'irligiOʻzlashtirishmodul

300

Oʻzlashtirish

g