IGBT Modul 1700V

Simvol

Tavsif

GD300SGL170C2S

Birliklar

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 °C

@ T C = 100°C

460

300

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

600

A

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

300

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

600

A

P D

Maksimal quvvat J = 1 75°C

2273

W

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

°C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

°C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t= 1 daqiqa

4000

V

M

terminalga ulanish vringli kuchi, Burg'u M4

1.1 gacha 2.0

terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub

2,5 gacha 5.0

N.M

Montaj vringli kuch M6 shrub

3,0 dan 5.0

g

vaznining Modul

300

g

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V (BR )CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

T J =25 °C

1700

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 °C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 °C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C =24.0 mA ,V CE = V GE , T J =25 °C

5.4

6.2

7.4

V

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 300A,V GE =15V, T J =25 °C

2.50

2.95

V

Ман C = 300A,V GE =15V, T J = 125 °C

3.00

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 300A, R g =4.7Ω,V GE =±15V, T J =25 °C

464

ns

T R

O'sish vaqti

157

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

421

ns

T F

Pasayish vaqti

290

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

108

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

55.2

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 900V,I C = 300A, R g =4.7Ω,V GE =±15V, T J = 125°C

483

ns

T R

O'sish vaqti

161

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

465

ns

T F

Pasayish vaqti

538

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

128

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

83.7

mJ

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

20.4

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

0.72

NF

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

T J = 125 ℃,V CC = 1300 V, V MET ≤ 1700V

960

A

Q g

Darvoza zaryadi

V CC = 900V,I C = 300A, V GE = - 15 ﹍+15V

2.4

μC

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning oʻrni

qarshilik,

Chiptani terminalga oʻtkazish

0.18

mΩ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F =300A

T J =25 °C

1.80

2.25

V

T J = 125 °C

1.95

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

Ман F = 300A,

V R = 900V,

R g =4.7Ω,

V GE = 15V

T J =25 °C

70.3

μC

T J = 125 °C

108

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

T J =25 °C

209

A

T J = 125 °C

238

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

40.7

mJ

T J = 125 °C

65.1

Simvol

Parametr

Tip.

Max.

Birliklar

R θ JC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

0.066

K/W

R θ JC

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.105

K/W

R θ CS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog 'ilovasi) yolgʻonchi)

0.035

K/W