IGBT Modul 1200V

Simvol

tavsif

GD300SGL120C2S

birliklar

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

v

ic

Jildning oqimi @ Tc=25°C

@ Tc=Oʻzlashtirish100°C

600

a

300

im1.

Pulsatsiyali kollektorli kurren

600

a

if

Diod doimiy oldinga oqim

300

a

ifm

Diodning maksimal oldinga burilishiijara

600

a

pd

Maksimal quvvatJ=Oʻzlashtirish175°C

3000

v

ts

Qisqa uzilish vaqtini saqlab turish @ TJ= 125°C

10

μs

tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

tJ

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

°C

tSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-40 dan +125 gacha

°C

i2t-qimmat, diod

vr=0V, t=10ms, TJ= 125°C

19000

a2s

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

Oʻzlashtirish

Oʻrnatish vring

Signal terminaliningOʻzlashtirishVaraq:M4

1.Oʻzlashtirish1 danOʻzlashtirish2.0

n.m.

Kuch terminalining viski:M6

2,5 gachaOʻzlashtirish5.0

Oʻzlashtirish

oʻrnatishOʻzlashtirishVaraq:M6

3OʻzlashtirishgachaOʻzlashtirish6

n.m.

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

BVCES

Kollektor-tarqatuvchi

uzilish kuchlanmasi

tJ=25°C

1200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilganOʻzlashtirishjoriy

vo=vCES,vGE=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishi

joriy

vGE=vGES,vo=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=Oʻzlashtirish12 mA,Vo=VGE,tJ=25°C

5

6.2

7.0

v

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic= 300A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.9

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic= 300A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

2.1

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

vcc= 600V,Ic= 300A,

Oʻzlashtirish

90

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

rg= 4,7Ω, VGEOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish±15OʻzlashtirishV,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

55

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

460

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 300A,

rg= 4,7Ω, VGEOʻzlashtirish=Oʻzlashtirish±15OʻzlashtirishV,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

55

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

Oʻchirilgan oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

28

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

25

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 300A,rg= 4,7Ω, VGEOʻzlashtirish=±15OʻzlashtirishV,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

110

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

60

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

500

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

60

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

Oʻchirilgan oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

31

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

27

Oʻzlashtirish

mJ

cies

Kirish sig'imi

Oʻzlashtirish

voOʻzlashtirish=25V, f=1MHz,

vGEOʻzlashtirish=0V

Oʻzlashtirish

21

Oʻzlashtirish

NF

co'qish

Chiqarish quvvati

Oʻzlashtirish

1.5

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

0.9

Oʻzlashtirish

NF

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tsc≤10 μs, VGE=15OʻzlashtirishV, OʻzlashtirishtJ= 125°C, Vcc= 900V,OʻzlashtirishvMET≤1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1300

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

20

nH

rcc+EEOʻzlashtirish'

Modulning o'zlashtiruvchi qarshiligie)OʻzlashtirishChiptani terminalga oʻtkazish

tc=25°C

Oʻzlashtirish

0.18

Oʻzlashtirish

mΩ

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if=300A

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

2.0

2.4

v

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

2.2

2.5

qr

Diod orqaga

Qaytarib olish haqi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

if= 300A,

vr= 600 V,

di/dt=-2400A/μs,OʻzlashtirishvGE=-Oʻzlashtirish15V

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

27

Oʻzlashtirish

μC

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

50

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

irm

Diodning yuqori nuqtasi

Qayta tiklanishOʻzlashtirishjoriy

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

120

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

170

Oʻzlashtirish

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

9

Oʻzlashtirish

mJ

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

20

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Tip.

maksimal

birliklar

rθJC

Qatlamga ulanish (IGBT qismi, pe)r Moduli)

Oʻzlashtirish

0.06

K/W

rθJC

Modul bo'yicha junction-to-case (diod qism)e)

Oʻzlashtirish

0.12

K/W

rθCS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog'koʻrsatilgan)

0.035

Oʻzlashtirish

K/W

og'irligi

og'irligiOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishmodul

310

Oʻzlashtirish

g