IGBT Modul 1700V

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1700

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

v

ic

Jildning oqimi @ Tc=25oC   @ Tc=Oʻzlashtirish100oc

493

300

a

im

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp= 1 ms

600

a

pd

Maksimal quvvatni yoʻq qilish @ TOʻzlashtirish= 175oc

1829

v

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

vRRM

Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi

1700

v

if

Diodning doimiy oldinga chizilishiijara

300

a

ifm

Diodning maksimal oldingi oqimi tp= 1 ms

600

a

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

oc

tjoʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

oc

tSTG

saqlash haroratimasofasi

-40 dan +125 gacha

oc

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS,f=50Hz,t=1daqiqa

4000

v

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentgaOʻzlashtirishToʻyinganlik kuchlanmasi

ic= 300A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

1.85

2.20

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic= 300A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 125oc

Oʻzlashtirish

2.25

Oʻzlashtirish

ic= 300A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 150oc

Oʻzlashtirish

2.35

Oʻzlashtirish

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=Oʻzlashtirish12,0 mA,Vo=VGE,tJ=25oc

5.6

6.2

6.8

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilganjoriy

vo=vCES,vGE=0V,tJ=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishiOʻzlashtirishjoriy

vGE=vGES,vo=0V,tJ=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

rGint

Ichki darvoza qarshiligioʻtish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

2.5

Oʻzlashtirish

Ω

cies

Kirish sig'imi

vo=25V, f=1Mhz,OʻzlashtirishvGE=0V

Oʻzlashtirish

36.1

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtishOʻzlashtirishKalitlik

Oʻzlashtirish

0.88

Oʻzlashtirish

NF

qg

Darvoza zaryadi

vGE= - 15Oʻzlashtirish…+15V

Oʻzlashtirish

2.83

Oʻzlashtirish

μC

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

vcc= 900V,Ic= 300A,OʻzlashtirishrGon=3.3Ω,

rGoff=4.7Ω,OʻzlashtirishvGE=±15V,

tJ=25oc

Oʻzlashtirish

213

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

83

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

621

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

350

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

79.2

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

70.2

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

vcc= 900V,Ic= 300A,OʻzlashtirishrGon=3.3Ω,

rGoff=4.7Ω,OʻzlashtirishvGE=±15V,

tJ=Oʻzlashtirish125oc

Oʻzlashtirish

240

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

92

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

726

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

649

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

104

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

108

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

vcc= 900V,Ic= 300A,OʻzlashtirishrGon=3.3Ω,rGoff=4.7Ω,Oʻzlashtirish

vGE=±15V,tJ=Oʻzlashtirish150oc

Oʻzlashtirish

248

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

95

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

736

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

720

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

115

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

116

Oʻzlashtirish

mJ

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tp≤ 10 μs,VGE=15V,

tJ= 150oC,Vcc=Oʻzlashtirish1000 V, vMET≤ 1700V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

Oʻzlashtirish

vf

Oldinga chiquvchi diodkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if= 300A,VGE=0V,TJ=25oc

Oʻzlashtirish

1.80

2.25

Oʻzlashtirish

v

if= 300A,VGE=0V,TJ=Oʻzlashtirish125oc

Oʻzlashtirish

1.90

Oʻzlashtirish

if= 300A,VGE=0V,TJ=Oʻzlashtirish150oc

Oʻzlashtirish

1.95

Oʻzlashtirish

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

vr= 900V,If= 300A,

-di/dt=3300A/μs,VGE= 15VOʻzlashtirishtJ=25oc

Oʻzlashtirish

82.5

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

407

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishenergiya

Oʻzlashtirish

46.6

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

vr= 900V,If= 300A,

-di/dt=3300A/μs,VGE= 15VOʻzlashtirishtJ= 125oc

Oʻzlashtirish

138

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

462

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishenergiya

Oʻzlashtirish

92.2

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

vr= 900V,If= 300A,

-di/dt=3300A/μs,VGE= 15VOʻzlashtirishtJ= 150oc

Oʻzlashtirish

154

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

460

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishenergiya

Oʻzlashtirish

109

Oʻzlashtirish

mJ

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

r25

Reyting qarshiligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

Oʻzlashtirish

kΩ

ΔR/R

Og'ishOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishr100

tc=Oʻzlashtirish100OʻzlashtirishoC,R100=493.3Ω

-5

Oʻzlashtirish

5

%

p25

kuchlanish

tarqalish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

20.0

mW

b25/50

B-qiymat

r2=R25exp[B25/50(1/T2- OʻzingizningOʻzlashtirish1/(298.15K))]

Oʻzlashtirish

3375

Oʻzlashtirish

k

b25/80

B-qiymat

r2=R25exp[B25/80(1/T2- OʻzingizningOʻzlashtirish1/(298.15K))]

Oʻzlashtirish

3411

Oʻzlashtirish

k

b25/100

B-qiymat

r2=R25exp[B25/100(1/T2- OʻzingizningOʻzlashtirish1/(298.15K))]

Oʻzlashtirish

3433

Oʻzlashtirish

k

Simvol

parametr

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

20

Oʻzlashtirish

nH

rCC+EE

Modulning o'rinli qarshiligi,Terminaldan Chipga

Oʻzlashtirish

1.10

Oʻzlashtirish

mΩ

rtJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha)T) Junction-to-Case (per Dyod)

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.082Oʻzlashtirish0.129

K/W

Oʻzlashtirish

rtCH

Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (harIGBT)    Case-to-Heatsink (per Diod)    Case-to-Heatsink (perModul)

Oʻzlashtirish

0.029Oʻzlashtirish0.046Oʻzlashtirish0.009

Oʻzlashtirish

K/W

m

terminalga ulanish vringli kuchi,OʻzlashtirishM6 shrubOʻzlashtirishMontaj vringli kuchOʻzlashtirishScrew M5

3.0Oʻzlashtirish3.0

Oʻzlashtirish

6.0Oʻzlashtirish6.0

n.m.

g

og'irligiOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishmodul

Oʻzlashtirish

350

Oʻzlashtirish

g