IGBT Modul 1700V

Simvol

Tavsif

GD300HFT170C2S

Birliklar

VCES

Kollektor-tarqatuvchi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

1700

V

VGFlar

Darvoza emittor kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

±20

V

IC

Kollektor Jorov @Tc=25°C

@Tc=80°C

550

A

300

ICM(1)

Pulsatsiya qilingan Kollektor Jorov tp= 1ms

600

A

Ir

Diod Davomiy Oldinga Jorov

300

A

IM

Diod Maksimal Oldinga Jorov

600

A

PP

Maksimal Quvvat Bo'shilish @Tj=175°C

2083

W

TSC

Qisqa CIRCUIT Qattiqroq turing vaqt @Tj = 125°C

10

μs

Tjmax

Maksimal Junction Harorat

175

°C

TSTG

Saqlash Harorat Diapazon

-40 +125 gacha

°C

I2t qiymati, diod

VR = 0V, t = 10ms, Tj = 125°C

14500

A2s

VISO

Yolgʻizlik kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

O'rnatish Момент

Quvvat Terminal Qulupna :M6

2.5 ga 5.0

N.M

O'rnatish Varaq:M6

3.0 ga 5.0

N.M

Simvol

Parametr

Sinov Shartlar

Min .

Typ .

Maksimal .

Birliklar

Bvcrlar

Kollektor-tarqatuvchi

buzilish kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

VGe = 0V,Ic = 4,0mA, T=25°C

1700

V

ICES

Kollektor Kesish Jorov

VCE=VCES,VGE=0V, Tj = 25°C

3.0

mA

Grs

Darvoza emittor oqish Jorov

VGr=VGes,Vcn=0V, T=25°C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov Shartlar

Min .

Tip.

Maksimal .

Birliklar

Vcπ(h)

Darvoza emittor Chegara kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ie=12.0mA, Vcr=VGE T=25°C

5.2

5.8

6.4

V

VCE(sat)

Kollektor ga Emiter to'yingan kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ic=300A, VGr=15V, T=25°C

2.0

V

IC = 300A, VGr = 15 V. T=125°C

2.4

Simvol

Parametr

Sinov Shartlar

Min .

Tip.

Maksimal .

Birliklar

yil)

Oʻchirish Kechiktirish vaqt

Vcc = 900V, IC = 300A, Ra=4.72

Vae=± 15V, T=25°C

281

ns

T

O'sish vaqt

82

ns

ta o)

Oʻchirish Kechiktirish vaqt

801

ns

tr

Qulash vaqt

Vcc = 900V, IC = 300A,

Rc = 4,72

V=± 15V

T=25°C

121

ns

EON

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

70

mJ

Efr

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

65

mJ

ta ((on)

Oʻchirish Kechiktirish vaqt

Vcc = 900V, IC = 300A,

RG = 4,72

Vc=±15V T=125°C

303

ns

T

O'sish vaqt

103

ns

ta ((om)

Oʻchirish Kechiktirish vaqt

1002

ns

tr

Qulash vaqt

203

ns

EON

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

105

mJ

Yor

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

94

mJ

Cies

Kirish Kalitlik

VCE=25V, f=1Mhz,

VGr=0V

27.0

NF

Koʻz

Chiqish Kalitlik

1.1

NF

Cres

Orqaga Oʻtkazish

Kalitlik

0.9

NF

ISC

SC Ma'lumotlar

tSC≤10μs,VGE=15V,

T=125°C,

Vcc=1000V

VcrM≤1700V

1200

A

RGint

Ichki Gate Qarshilik CE

2.5

Ω

LCr

Yolgʻiz Induktivlik

20

nH

RcC"+EE"

Modul Yetakchi qarshilik, Terminal ga CHIP

TC=25°C

0.35

m2

Simvol

Parametr

Sinov Shartlar

Min .

Tip.

Maksimal .

Birliklar

Vr

Diod Oldinga

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Iq=300A

Tj = 25°C

1.8

V

Ti=125°C

1.9

Q

Diod Orqaga

Qaytish Muammaloq

Ir=300A,

VR=900V,

di/dt=-3600A/μs,

VGr=-15V

T=25°C

77

μC

Tj = 125°C

131

IRM

Diod Pik

Orqaga Qaytish Jorov

Tj = 25°C

351

A

T=125°C

383

Eree

Orqaga Qaytish energiya

Tj = 25°C

40

mJ

Tj = 125°C

72

Simvol

Parametr

Tip.

Maksimal .

Birliklar

Raqq

Junction -ga -Vazifa (IGBT Qism , uchun 1/2 Modu o)

0.072

K/W

Raqq

Junction -ga -Vazifa (Diod Qism , P er 1/2 Modul)

0.13

K/W

Roc

Qopqoqdan cho'kishgacha (O'tkazuvchan yogʻ qoʻllanilgan)

0.035

K/W

Og'irlik

Og'irlik из Modul

300

g