IGBT Modul 1700V

Simvol

tavsif

GD300HFT170C2S

birliklar

VCES

Kollektor-tarqatuvchiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

1700

v

VGFlar

Darvoza emittorOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

± 20

v

IC

KollektorOʻzlashtirishjoriyOʻzlashtirish@Tc=25°C

@Tc=80°C

550

a

300

ICM(1)

Pulsatsiya qilinganOʻzlashtirishKollektorOʻzlashtirishjoriyOʻzlashtirishtp=1ms

600

a

o

DiodOʻzlashtirishuzluksizOʻzlashtirishOldingaOʻzlashtirishjoriy

300

a

oʻtish

DiodOʻzlashtirishmaksimalOʻzlashtirishOldingaOʻzlashtirishjoriy

600

a

pp

maksimalOʻzlashtirishkuchlanishOʻzlashtirishtarqalishOʻzlashtirish@Tj=175°C

2083

v

TSC

qisqaOʻzlashtirishaylanmaOʻzlashtirishQattiqroq turingOʻzlashtirishvaqtOʻzlashtirish@Tj= 125°C

10

μs

Tjmax

maksimalOʻzlashtirishJunctionOʻzlashtirishharorat

175

°C

TSTG

saqlashOʻzlashtirishharoratOʻzlashtirishmasofasi

-40Oʻzlashtirish+125 gacha

°C

I2t qiymati, diod

VR = 0V, t = 10ms, Tj = 125°C

14500

A2s

VISO

YolgʻizlikOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuchOʻzlashtirishRMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

oʻrnatishOʻzlashtirishaylanish vring

kuchlanishOʻzlashtirishTerminalOʻzlashtirishshpritz:M6

2.5OʻzlashtirishgachaOʻzlashtirish5.0

n.m.

oʻrnatishOʻzlashtirishVaraq:M6

3.0OʻzlashtirishgachaOʻzlashtirish5.0

n.m.

Simvol

parametr

sinashOʻzlashtirishShartlar

daqiqa.

Typ.

maksimal.

birliklar

Bvcrlar

Kollektor-tarqatuvchi

buzilishOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

VGe = 0V,Ic = 4,0mA,OʻzlashtirishT=25°C

1700

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ICES

KollektorOʻzlashtirishKesishOʻzlashtirishjoriy

VCE=VCES,VGE=0V,OʻzlashtirishTj = 25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

3.0

mA

Grs

Darvoza emittorOʻzlashtirishoqishOʻzlashtirishjoriy

VGr=VGes,Vcn=0V,OʻzlashtirishT=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

Simvol

parametr

sinashOʻzlashtirishShartlar

daqiqa.

Tip.

maksimal.

birliklar

Vcπ(h)

Darvoza emittorOʻzlashtirishChegaraOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ie=12.0mA, Vcr=VGEOʻzlashtirishT=25°C

5.2

5.8

6.4

v

Oʻzlashtirish

VCE(sat)

Oʻzlashtirish

KollektorOʻzlashtirishgachaOʻzlashtirishuchishOʻzlashtirishto'yinganOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ic=300A, VGr=15V,OʻzlashtirishT=25°C

Oʻzlashtirish

2.0

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

IC= 300A,VGr= 15 V.T=125°C

Oʻzlashtirish

2.4

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

sinashOʻzlashtirishShartlar

daqiqa.

Tip.

maksimal.

birliklar

yil)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirishOʻzlashtirishvaqt

Vcc = 900V, IC = 300A,Ra=4.72

Vae=± 15V,OʻzlashtirishT=25°C

Oʻzlashtirish

281

Oʻzlashtirish

ns

t

O'sishOʻzlashtirishvaqt

Oʻzlashtirish

82

Oʻzlashtirish

ns

oo)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirishOʻzlashtirishvaqt

Oʻzlashtirish

801

Oʻzlashtirish

ns

tr

QulashOʻzlashtirishvaqt

Oʻzlashtirish

Vcc = 900V, IC = 300A,Oʻzlashtirish

Rc = 4,72

V=± 15V

T=25°C

Oʻzlashtirish

121

Oʻzlashtirish

ns

EON

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

70

Oʻzlashtirish

mJ

Efr

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

65

Oʻzlashtirish

mJ

ta ((on)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirishOʻzlashtirishvaqt

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Vcc = 900V, IC = 300A,

RG = 4,72

Vc=±15VT=125°C

Oʻzlashtirish

303

Oʻzlashtirish

ns

t

O'sishOʻzlashtirishvaqt

Oʻzlashtirish

103

Oʻzlashtirish

ns

ta ((om)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirishOʻzlashtirishvaqt

Oʻzlashtirish

1002

Oʻzlashtirish

ns

tr

QulashOʻzlashtirishvaqt

Oʻzlashtirish

203

Oʻzlashtirish

ns

EON

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

105

Oʻzlashtirish

mJ

Yor

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirish

Yoʻqotish

Oʻzlashtirish

94

Oʻzlashtirish

mJ

Cies

kirishOʻzlashtirishKalitlik

Oʻzlashtirish

VCE=25V, f=1Mhz,

VGr=0V

Oʻzlashtirish

27.0

Oʻzlashtirish

NF

Koʻz

ishlab chiqarishOʻzlashtirishKalitlik

Oʻzlashtirish

1.1

Oʻzlashtirish

NF

Cres

OrqagaOʻzlashtirishOʻtkazish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

0.9

Oʻzlashtirish

NF

Oʻzlashtirish

ish

Oʻzlashtirish

sOʻzlashtirishma'lumotlar

tSC≤10μs,VGE=15V,Oʻzlashtirish

T=125°C,

Vcc=1000V

VcrM≤1700V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

RGint

IchkiOʻzlashtirishGateOʻzlashtirishQarshiliko

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

2.5

Oʻzlashtirish

Ω

LCr

YolgʻizOʻzlashtirishinduktivlik

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

20

nH

RcC"+EE"

modulOʻzlashtirishqoʻrgʻoshinOʻzlashtirishqarshilik,OʻzlashtirishTerminalOʻzlashtirishgachaOʻzlashtirishchip

TC=25°C

Oʻzlashtirish

0.35

Oʻzlashtirish

m2

Simvol

parametr

sinashOʻzlashtirishShartlar

daqiqa.

Tip.

maksimal.

birliklar

vr

DiodOʻzlashtirishOldinga

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Iq=300A

Tj = 25°C

Oʻzlashtirish

1.8

Oʻzlashtirish

v

Ti=125°C

Oʻzlashtirish

1.9

Oʻzlashtirish

q

DiodOʻzlashtirishOrqaga

QaytishOʻzlashtirishtoʻlov

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Ir=300A,

VR=900V,

di/dt=-3600A/μs,

VGr=-15V

T=25°C

Oʻzlashtirish

77

Oʻzlashtirish

μC

Tj = 125°C

Oʻzlashtirish

131

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

IRM

DiodOʻzlashtirishPik

OrqagaOʻzlashtirishQaytishOʻzlashtirishjoriy

Tj = 25°C

Oʻzlashtirish

351

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

T=125°C

Oʻzlashtirish

383

Oʻzlashtirish

Eree

OrqagaOʻzlashtirishQaytishOʻzlashtirishenergiya

Tj = 25°C

Oʻzlashtirish

40

Oʻzlashtirish

mJ

Tj = 125°C

Oʻzlashtirish

72

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Tip.

maksimal.

birliklar

Raqq

Junction- Oʻzingizninggacha- OʻzingizningholatOʻzlashtirish(IGBTOʻzlashtirishQism,OʻzlashtirishuchunOʻzlashtirish1/2OʻzlashtirishModuo)

Oʻzlashtirish

0.072

K/W

Raqq

Junction- Oʻzingizninggacha- OʻzingizningholatOʻzlashtirish(DiodOʻzlashtirishQism,OʻzlashtirishperOʻzlashtirish1/2OʻzlashtirishModul)

Oʻzlashtirish

0.13

K/W

Roc

Qopqoqdan cho'kishgachaOʻzlashtirish(O'tkazuvchanOʻzlashtirishyogʻOʻzlashtirishqoʻllanilgan)

0.035

Oʻzlashtirish

K/W

og'irligi

og'irligiOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishmodul

300

Oʻzlashtirish

g