IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

GD2400SGL120C3SN

Birliklar

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 °C

@ T C = 100°C

3550

2400

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

4800

A

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

2400

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

4800

A

P D

Maksimal quvvat J = 1 75°C

12.8

кВт

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

°C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

°C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

O'rnatish Момент

Signal terminalning viski:M4

1.8 gacha 2.1

Kuch terminalining viski:M8

8.0 dan 10

N.M

O'rnatish viski:M6

4.25 dan 5.75

Og'irlik

vaznining Modul

1500

g

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V (BR )CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

T J =25 °C

1200

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 °C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 °C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 96 mA ,V CE = V GE , T J =25 °C

5.4

7.4

V

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 2400A,V GE =15V, T J =25 °C

1.95

2.40

V

Ман C = 2400A,V GE =15V, T J = 125 °C

2.10

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 2400A, R Gon = 1.0Ω,

R Goff =2.3Ω,

V GE =± 15V,T J =25 °C

188

ns

T R

O'sish vaqti

131

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1040

ns

T F

Pasayish vaqti

132

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

272

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

320

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 2400A, R Gon = 1.0Ω,

R Goff =2.3Ω,

V GE =± 15V,T J = 125 °C

214

ns

T R

O'sish vaqti

184

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1125

ns

T F

Pasayish vaqti

138

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

268

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

416

mJ

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

TBD

NF

C o'qish

Chiqarish quvvati

TBD

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

TBD

NF

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

T J = 150 ℃,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

9000

A

Q g

Darvoza zaryadi

V CC = 600V,I C = 2400A, V GE = - 15 ﹍+15V

TBD

μC

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

1.3

Ω

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

12

nH

R CC+EE

Modulning oʻrni

qarshilik,

Chiptani terminalga oʻtkazish

0.19

mΩ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 2400A

T J =25 °C

1.80

2.20

V

T J = 125 °C

1.75

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

Ман F = 2400A,

V R = 600 V,

R g = 1.6Ω,

V GE = 15V

T J =25 °C

246

μC

T J = 125 °C

435

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

T J =25 °C

810

A

T J = 125 °C

1160

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

103

mJ

T J = 125 °C

182

Simvol

Parametr

Tip.

Max.

Birliklar

R θ JC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

11.7

K/kW

R θ JC

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

21.9

K/kW

R θ CS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog 'ilovasi) yolgʻonchi)

6

K/kW