IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

GD200SGL120C2S

Birliklar

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C = 25°C

@ T C = 100°C

400

A

200

Ман m (1)

Pulsatsiyali kollektorli kurre n

400

A

Ман F

Diod doimiy oldinga oqim

200

A

Ман Fm

Diodning maksimal oldinga burilishi ijara

400

A

P D

Maksimal quvvat J = 175°C

1875

W

T SC

Qisqa uzilish vaqtini saqlab turish @ T J = 125 °C

10

μs

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

T J

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

°C

T STG

Saqlanish harorat oraliqi

-40 dan +125 gacha

°C

Ман 2t-qimmat, diod

V R =0V, t=10ms, T J = 125 °C

6900

A 2s

V ISO

Izolatsiya kuchlanmasi RMS, f=50Hz, t=1min

2500

V

Oʻrnatish vring

Kuch terminalining viski:M6

2,5 gacha 5

N.M

O'rnatish Varaq:M6

3 ga 6

N.M

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

BV CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

T J =25 °C

1200

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 °C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi

Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 °C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C =4 mA ,V CE = V GE , T J =25 °C

5

6.2

7.0

V

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =200A,V GE =15V, T J =25 °C

1.8

V

Ман C =200A,V GE =15V, T J = 125°C

2.0

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =200A,

R g =5Ω, V GE = ± 15V,

110

ns

T R

O'sish vaqti

60

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

T J =25 °C

360

ns

T F

Pasayish vaqti

V CC = 600V,I C =200A,

R g =5Ω, V GE = ± 15V,

T J =25 °C

60

ns

E включено

Oʻchirilgan oʻchirish Yoʻqotish

18

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

15

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =200A,

R g =5Ω,V GE = ± 15 V,

T J = 125°C

120

ns

T R

O'sish vaqti

60

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

420

ns

T F

Pasayish vaqti

70

ns

E включено

Oʻchirilgan oʻchirish Yoʻqotish

21

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

18

mJ

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1MHz,

V GE =0V

18.0

NF

C o'qish

Chiqarish quvvati

1.64

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

0.72

NF

Ман SC

SC ma'lumotlari

T s C ≤ 10 μs, V GE =15 V,

T J = 125 °C , V CC = 900V,

V MET ≤ 1200V

1080

A

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC + EE ’

Modulning oʻrni

muqavimat, terminal ga CHIP

T C =25 °C

0.18

M Ω

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F =200A

T J =25 °C

2.0

2.2

V

T J = 125°C

2.2

2.3

Q R

Diod orqaga

Qaytarib olish haqi

Ман F =200A,

V R = 600 V,

di/dt=-6000A/μs, V GE =- 15V

T J =25 °C

24

μC

T J = 125°C

32

Ман RM

Diodning yuqori nuqtasi

Qayta tiklanish Jorov

T J =25 °C

240

A

T J = 125°C

280

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

6

mJ

T J = 125°C

10

Simvol

Parametr

Tip.

Max.

Birliklar

R θ JC

Qatlamga ulanish (IGBT qismi, pe) r Moduli)

0.08

K/W

R θ JC

Modul bo'yicha junction-to-case (diod qism) e)

0.17

K/W

R θ CS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog' koʻrsatilgan)

0.035

K/W

Og'irlik

Og'irlik из Modul

310

g