GD200HFT120C2S_T4F, IGBT Moduli, STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFT120C2S_T4F

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,STARPOWER tomonidan ishlab chiqilgan. 1200V 200A. Oʻrtacha

Xususiyatlar

Oddiy qoʻllanmalar

Absolyut Maksimal Baholashlar T C =25 °C agar boshqa belgilangan

Simvol	Tavsif	GD200HFT120C2S_T4F	Birliklar
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман C	Kollektor oqimi @ T C =25 °C @ T C = 100°C	300 200	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	400	A
Ман F	Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara	200	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	400	A
P D	Maksimal quvvat J = 1 75°C	1119	W
T jmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	°C
T joʻp	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	-40 dan +150 gacha	°C
T STG	Saqlanish harorati Diapazon	-40 dan +125 gacha	°C
V ISO	Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min	4000	V
O'rnatish Момент	Kuch terminalining viski:M6 O'rnatish viski:M6	2,5 gacha 5.0 3,0 dan 5.0	N.M
Og'irlik	vaznining Modul	300	g

Elektr Xususiyatlari из IGBT T C =25 °C agar boshqa belgilangan

Xususiyatlari

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V (BR )CES	Kollektor-tarqatuvchi Жорайвий чораларни босим	T J =25 °C	1200			V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 °C			5.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 °C			400	nA

Xususiyatlar toʻgʻrisida

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch	Ман C =7.6 mA ,V CE = V GE , T J =25 °C	5.1	5.8	6.4	V
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C =200A,V GE =15V, T J =25 °C		2.05	2.45	V
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C =200A,V GE =15V, T J = 125 °C		2.40		V

Xususiyatlarni oʻzgartirish

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =200A, R g =4.7Ω,V GE =±15V, T J =25 °C		362		ns
T R	O'sish vaqti			112		ns
T D (o'chirilgan )	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			378		ns
T F	Pasayish vaqti			115		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			17.4		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			9.50		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =200A, R g =4.7Ω,V GE =±15V, T J = 125°C		364		ns
T R	O'sish vaqti			113		ns
T D (o'chirilgan )	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			405		ns
T F	Pasayish vaqti			125		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			21.5		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			15.4		mJ
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		12.3		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		0.69		NF
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤ 10 μs,V GE =15 V, T J = 125 °C, V CC = 900V, V MET ≤ 1200V		800		A
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi oʻtish			3.8		Ω
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi				20	nH
R CC+EE	Modulning oʻrni qarshilik, Chiptani terminalga oʻtkazish			0.35		mΩ

Elektr Xususiyatlari из Diod T C =25 °C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari		Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V F	Oldinga chiquvchi diod kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch	Ман F =200A	T J =25 °C		1.95	2.35	V
V F	Oldinga chiquvchi diod kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch	Ман F =200A	T J = 125 °C		2.05		V
Q R	Qayta tiklangan Muammaloq	Ман F =200A, V R = 600 V, R g =4.7Ω, V GE = 15V	T J =25 °C		10.1		μC
Q R	Qayta tiklangan Muammaloq		T J = 125 °C		21.5		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi		T J =25 °C		113		A
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi		T J = 125 °C		170		A
E rek	Qayta tiklanish energiya		T J =25 °C		5.07		mJ
E rek	Qayta tiklanish energiya		T J = 125 °C		13.6		mJ

Issiqlik xususiyati ics

Simvol	Parametr	Tip.	Max.	Birliklar
R θ JC	Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)		0.134	K/W
R θ JC	Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)		0.194	K/W
R θ CS	Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog 'ilovasi) yolgʻonchi)	0.035		K/W