GD200HFL120C8SN, IGBT Moduli, STARPOWER

GD200HFL120C8SN,IGBT Moduli,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFL120C8SN

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,STARPOWER tomonidan ishlab chiqilgan. 1200V 200A. Oʻrtacha

Xususiyatlar

Oddiy qoʻllanmalar

Absolyut Maksimal Baholashlar T C =25 °C agar boshqa belgilangan

Simvol	Tavsif	GD200HFL120C8SN	Birliklar
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман C	Kollektor oqimi @ T C =25 °C @ T C = 100°C	400 200	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	400	A
Ман F	Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara	200	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	400	A
P D	Maksimal quvvat J = 1 75°C	1724	W
T jmax	Maksimal bogʻlanish harorati	175	°C
T joʻp	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	-40 dan +150 gacha	°C
T STG	Saqlanish harorati Diapazon	-40 dan +125 gacha	°C
V ISO	Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min	2500	V
O'rnatish Момент	Kuch terminalining viski:M5 Чеклиш винти:M5	2,5 gacha 3.5 2,5 gacha 3.5	N.M

Elektr Xususiyatlari из IGBT T C =25 °C agar boshqa belgilangan

Xususiyatlari

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V (BR )CES	Kollektor-tarqatuvchi Жорайвий чораларни босим	T J =25 °C	1200			V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 °C			5.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 °C			400	nA

Xususiyatlar toʻgʻrisida

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch	Ман C =8.0 mA ,V CE = V GE , T J =25 °C	5.0	6.2	7.0	V
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C =200A,V GE =15V, T J =25 °C		1.90	2.35	V
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C =200A,V GE =15V, T J = 125 °C		2.10		V

Xususiyatlarni oʻzgartirish

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =200A, R g =3.3Ω,V GE =±15V, T J =25 °C		365		ns
T R	O'sish vaqti			79		ns
T D (o'chirilgan )	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			396		ns
T F	Pasayish vaqti			165		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			8.00		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			14.0		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =200A, R g =3.3Ω,V GE =±15V, T J = 125 °C		372		ns
T R	O'sish vaqti			83		ns
T D (o'chirilgan )	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			420		ns
T F	Pasayish vaqti			293		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			11.0		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			22.3		mJ
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		14.9		NF
C o'qish	Chiqarish quvvati			1.04		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik			0.68		NF
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤ 10 μs,V GE =15 V, T J = 125 °C, V CC = 900V, V MET ≤ 1200V		1200		A
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi oʻtish			1.0		Ω
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi				22	nH
R CC+EE	Modulning oʻrni qarshilik, Chiptani terminalga oʻtkazish			0.65		mΩ

Elektr Xususiyatlari из Diod T C =25 °C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari		Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V F (чип)	Oldinga chiquvchi diod kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch	Ман F =200A	T J =25 °C		1.80	2.25	V
V F (чип)	Oldinga chiquvchi diod kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch	Ман F =200A	T J = 125 °C		1.85		V
Q R	Qayta tiklangan Muammaloq	Ман F =200A, V R = 600 V, R g =3.3Ω, V GE = 15V	T J =25 °C		17.2		μC
Q R	Qayta tiklangan Muammaloq		T J = 125 °C		35.3		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi		T J =25 °C		160		A
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi		T J = 125 °C		213		A
E rek	Qayta tiklanish energiya		T J =25 °C		11.2		mJ
E rek	Qayta tiklanish energiya		T J = 125 °C		21.2		mJ

Issiqlik xususiyati ics

Simvol	Parametr	Tip.	Max.	Birliklar
R θ JC	Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)		0.087	K/W
R θ JC	Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)		0.160	K/W
R θ CS	Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog 'ilovasi) yolgʻonchi)	0.046		K/W
Og'irlik	Og'irlik Modul	200		g