IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

GD200HFK60C8SN

Birliklar

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

600

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

283

200

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

400

A

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

200

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

400

A

P D

Maksimal quvvat J = 1 50°C

714

W

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

150

°C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +125 gacha

°C

T STG

Saqlanish harorat oraliqi

-40 dan +125 gacha

°C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

O'rnatish Момент

Kuch terminalining viski:M5

Чеклиш винти:M5

2,5 gacha 3.5

2,5 gacha 3.5

N.M

Og'irlik

vaznining Modul

200

g

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V (BR )CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

T J =25 °C

600

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 °C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 °C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C =500μA, V CE = V GE , T J =25 °C

3.5

4.5

5.5

V

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =200A,V GE =15V, T J =25 °C

1.80

2.25

V

Ман C =200A,V GE =15V, T J = 125 °C

2.10

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 300 V,I C =200A, R g =6.8Ω,V GE =±15V, T J =25 °C

320

ns

T R

O'sish vaqti

123

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

318

ns

T F

Pasayish vaqti

90

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

2.79

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

5.08

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 300 V,I C =200A, R g =6.8Ω,V GE =±15V, T J = 125 °C

339

ns

T R

O'sish vaqti

125

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

344

ns

T F

Pasayish vaqti

113

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

3.00

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

6.95

mJ

C ies

Kirish sig'imi

V CE =30V,f=1MHz,

V GE =0V

16.9

NF

C o'qish

Chiqarish quvvati

0.88

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

0.42

NF

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

T J = 125 °C, V CC = 360 V, V MET ≤ 600V

1800

A

Q g

Darvoza zaryadi

V CC =400V,I C =200A, V GE =15V

0.72

μC

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

2.35

Ω

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

22

nH

R CC+EE

Modulning oʻrni

qarshilik,

Chiptani terminalga oʻtkazish

0.65

mΩ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F =200A

T J =25 °C

1.33

1.78

V

T J = 125 °C

1.30

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

Ман F =200A,

V R = 300 V,

R g =6.8Ω,

V GE = 15V

T J =25 °C

9.3

μC

T J = 125 °C

13.2

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

T J =25 °C

112

A

T J = 125 °C

125

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

2.09

mJ

T J = 125 °C

3.22

Simvol

Parametr

Tip.

Max.

Birliklar

R θ JC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

0.175

K/W

R θ JC

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

0.317

K/W