GD200HFK120C8SN, IGBT Moduli, STARPOWER

IGBT Modul 1200V

GD200HFK120C8SN, IGBT Moduli, STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFK120C8SN

Kirish
Koʻrinish
Ekvivalent sxemasi

Kirish

Qisqacha kirish soʻzlari

IGBT moduli ,STARPOWER tomonidan ishlab chiqilgan. 1200V 200A. Oʻrtacha

Xususiyatlar

NPT IGBT texnologiyasi
O'zgartirish yo'qotishining pastligi
10 μs qisqa uzilish qobiliyati
Past induktivlik bilan qoplangan
VCE (sat) musbat harorat koeffitsiyenti bilan
Tez va yumshoq orqaga qaytarib olish parallelga qarshi FWD
DBC texnologiyasi yordamida izolyatsiya qilingan mis po'stlang'ich

Oddiy qoʻllanmalar

Motorli harakatlantiruvchi inverter
AC va DC servo harakatlantiruvchi kuchaytirgich
Avariyasiz energiya taminot tizimi

Absolyut Maksimal Baholashlar T C =25 O C agar boshqa belgilangan

IGBT

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V CES	Kollektor-emitter kuchlanishi	1200	V
V GES	Chiqargichning kuchlanishi	±20	V
Ман C	Kollektor oqimi @ T C =25 O C @ T C =80 O C	300 200	A
Ман m	Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms	400	A
P D	Maksimal quvvat J = 150 O C	1157	W

Diod

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
V RRM	Takrorlanadigan yuqori teglik teskari kuchlanmasi	1200	V
Ман F	Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara	200	A
Ман Fm	Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms	400	A

Modul

Simvol	Tavsif	Qiymatlari	BIT
T jmax	Maksimal bogʻlanish harorati	150	O C
T joʻp	Ishlanish boʻgʻinlari harorati	-40 dan +125 gacha	O C
T STG	Saqlanish harorati Diapazon	-40 dan +125 gacha	O C
V ISO	Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min	2500	V

IGBT Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	BIT
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C =200A,V GE =15V, T J =25 O C		2.15	2.60	V
V Oʻzbekiston Respublikasi	Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi	Ман C =200A,V GE =15V, T J = 125 O C		2.65		V
V GE (th )	Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch	Ман C =2.0 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C	4.8	5.7	6.3	V
Ман CES	Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov	V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C			5.0	mA
Ман GES	Darvoza emittorining oqishi Jorov	V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C			400	nA
R Gint	Ichki darvoza qarshiligi oʻtish			1.0		Ω
C ies	Kirish sig'imi	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		12.9		NF
C res	Orqaga oʻtish Kalitlik	V CE =25V, f=1Mhz, V GE =0V		0.82		NF
Q g	Darvoza zaryadi	V GE =- 15...+15V		2.05		μC
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =200A, R g =5.1Ω,V GE =±15V, T J =25 O C		373		ns
T R	O'sish vaqti			104		ns
T D (o'chirilgan )	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			459		ns
T F	Pasayish vaqti			168		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			12.9		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			17.1		mJ
T D (включено )	O'chirish kechikish vaqti	V CC = 600V,I C =200A, R g =5.1Ω,V GE =±15V, T J = 125O C		373		ns
T R	O'sish vaqti			105		ns
T D (o'chirilgan )	Oʻchirish Kechiktirish vaqti			475		ns
T F	Pasayish vaqti			197		ns
E включено	Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish			17.4		mJ
E o'chirilgan	Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish			23.7		mJ
Ман SC	SC ma'lumotlari	T P ≤ 10 μs,V GE =15V, T J = 125 O C,V CC = 900V, V MET ≤ 1200V		1500		A

Diod Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Sinov sharoitlari	Min.	Tip.	Max.	Birliklar
V F	Oldinga chiquvchi diod kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch	Ман C =200A,V GE =0V,T J =25 O C		1.65	2.05	V
V F	Oldinga chiquvchi diod kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch	Ман C =200A,V GE =0V,T J = 125 O C		1.65		V
Q R	Qayta tiklangan Muammaloq	V R = 600V,I F =200A, -di⁄dt=2300A⁄μs,V GE =- 15V T J =25 O C		17.7		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			145		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			8.1		mJ
Q R	Qayta tiklangan Muammaloq	V R = 600V,I F =200A, -di⁄dt=2300A⁄μs,V GE =- 15V T J = 125 O C		34.0		μC
Ман RM	Yuqori pogʻonalar orqaga Qayta tiklash oqimi			190		A
E rek	Qayta tiklanish energiya			16.7		mJ

Modul Xususiyatlari T C =25 O C agar boshqa belgilangan

Simvol	Parametr	Min.	Tip.	Max.	BIT
L CE	Yolgʻizlik induktansiyasi			22	nH
R CC+EE	Modulning o'zlashtiruvchi qarshiligi e, Terminal va Chip orasida		0.65		mΩ
R tJC	Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T) Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)			0.108 0.230	K/W
R tCH	Issiqlik sinkiga boʻlgan boʻshliq (har IGBT) Korpusdan Isitgichga (pe r Diode) Qopqoqdan issiqlik sinkigacha (M ga) (oʻqilgan)		0.135 0.288 0.046		K/W
M	terminalga ulanish vringli kuchi, Screw M5 Montaj vringli kuch M6 shrub	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
g	Og'irlik из Modul		200		g