IGBT Modul 1200V

Simvol

tavsif

GD1600SGL120C3S

birliklar

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

v

ic

@ Tc=25°C

@ Tc=80°C

2500

a

1600

iCM(1)

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp=Oʻzlashtirish1ms

3200

a

if

Diod doimiy oldinga oqim

1600

a

ifm

Diodning maksimal oldingi oqimi

3200

a

pd

Maksimal quvvat @tJ= 150°C

8.3

kV

ts

Qisqa tutashuvga chidamlilik vaqti    @ TJ= 125°C

10

μs

tJ

Maksimal bogʻlanish harorati

150

°C

tSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-40 danOʻzlashtirish+125

°C

i2t-qimmat, diod

vr=0V, t=10ms, TJ= 125°C

300

ka2s

voʻlchash

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

oʻrnatish

aylanish vring

Elektr tarmogʻi terminallariOʻzlashtirishVaraq:M4

Elektr tarmogʻi terminallariOʻzlashtirishVaraq:M8

1.8 gachaOʻzlashtirish2.1

8.0 danOʻzlashtirish10

n.m.

oʻrnatishOʻzlashtirishVaraq:M6

4.25 danOʻzlashtirish5.75

n.m.

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

BVOʻzlashtirishCES

Kollektor-tarqatuvchi

uzilish kuchlanmasi

tJ=25°C

1200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilganOʻzlashtirishjoriy

vo=VCESVGE=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishi

joriy

vGE=VGESVo=0V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vGE(th)

Darvoza emittorining chegarasi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic= 64 mA,Vo=VGE,OʻzlashtirishtJ=25°C

5.0

6.2

7.0

v

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic= 1600A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.8

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic= 1600A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ= 125°C

Oʻzlashtirish

2.0

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

qGE

Darvoza zaryadi

vGE=-15...+15V

Oʻzlashtirish

16.8

Oʻzlashtirish

μC

td ((on)

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 1600A,Oʻzlashtirish

rg=0.82Ω,

vGE=±15V,TJ=25°C

Oʻzlashtirish

225

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

105

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

1100

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

100

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishOʻzgaruvchan yoʻqotish

Oʻzlashtirish

148

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

O'chirishni o'chirish yo'qotilishi

Oʻzlashtirish

186

Oʻzlashtirish

mJ

td ((on)

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 1600A,Oʻzlashtirish

rg=0.82Ω,

vGE=±15V,TJ= 125°C

Oʻzlashtirish

235

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

105

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

1160

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

105

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishOʻzgaruvchan yoʻqotish

Oʻzlashtirish

206

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

O'chirishni o'chirish yo'qotilishi

Oʻzlashtirish

239

Oʻzlashtirish

mJ

cies

Kirish sig'imi

Oʻzlashtirish

vo=25V, f=1Mhz,

vGE=0V

Oʻzlashtirish

119

Oʻzlashtirish

NF

co'qish

Chiqarish quvvati

Oʻzlashtirish

8.32

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

5.44

Oʻzlashtirish

NF

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tsc≤10 μs, VGE=15V,Oʻzlashtirish

tJ= 125°C,

vcc= 900V,OʻzlashtirishvMETOʻzlashtirish≤1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

7000

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

rGint

Ichki Darvozali Qarshiliktansiq

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.1

Oʻzlashtirish

Ω

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

12

Oʻzlashtirish

nH

rcc+EE'

Modulning oʻzlashtirilishince,OʻzlashtirishChiptani terminalga oʻtkazish

tc=25°C

Oʻzlashtirish

0.19

Oʻzlashtirish

mΩ

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if=1600A

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

2.1

Oʻzlashtirish

v

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

2.2

Oʻzlashtirish

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

if= 1600A,

vr= 600 V,

di/dt=-7500A/μs,OʻzlashtirishvGE= 15V

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

73

Oʻzlashtirish

μC

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

175

Oʻzlashtirish

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

510

Oʻzlashtirish

a

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

790

Oʻzlashtirish

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

17

Oʻzlashtirish

mJ

tJ= 125°C

Oʻzlashtirish

46

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Tip.

maksimal

birliklar

rθJC

Birlashma-kassa (IGBT qismi, harModul)

Oʻzlashtirish

15

K/kW

rθJC

Qoplamaga ulanish (diod qismi, M uchun)(oʻqilgan)

Oʻzlashtirish

26

K/kW

rθCS

Qopqoqdan cho'kishgacha

(O'tkazuvchan yog' qo'llanilgan,r Moduli)

6

Oʻzlashtirish

K/kW

og'irligi

vazniningOʻzlashtirishmodul

1500

Oʻzlashtirish

g