IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

GD1200HFT120C3S

Birliklar

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

V

Ман C

@ T C =25 °C

@ T C =80 °C

1800

A

1200

Ман m (1)

Pulsli kollektor oqimi t P = 1ms

2400

A

Ман F

Diod doimiy oldinga oqim

1200

A

Ман Fm

Diodning maksimal oldinga burilishi ijara

2400

A

P D

Maksimal quvvat J = 150°C

5.2

кВт

T J

Maksimal bogʻlanish harorati

150

°C

T STG

Saqlanish harorat oraliqi

-40 dan +125 gacha

°C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

O'rnatish

Signal terminalining Varaq:M4

Elektr tarmogʻi terminallari Varaq:M8

1.8 gacha 2.1

8.0 dan 10

N.M

Момент

O'rnatish Varaq:M6

4.25 dan 5.75

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V (BR )CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

T J =25 °C

1200

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V,

T J =25 °C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi

Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V,

T J =25 °C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C = 48 mA ,V CE = V GE , T J =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 1200A,V GE =15V, T J =25 °C

1.70

2.15

V

Ман C = 1200A,V GE =15V, T J = 125°C

2.00

2.45

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =- 15...+15V

11.5

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 1200A,

R Gon = 2,4Ω,

R Goff =0.82Ω,

V GE = ± 15V,T J =25 °C

600

ns

T R

O'sish vaqti

230

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

820

ns

T F

Pasayish vaqti

150

ns

E включено

Oʻchirish Oʻzgaruvchan yoʻqotish

/

mJ

E o'chirilgan

O'chirishni o'chirish yo'qotilishi

/

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 1200A,

R Gon = 2,4Ω,

R Goff =0.82Ω,

V GE = ± 15V,T J = 125°C

660

ns

T R

O'sish vaqti

220

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

960

ns

T F

Pasayish vaqti

180

ns

E включено

Oʻchirish Oʻzgaruvchan yoʻqotish

246

mJ

E o'chirilgan

O'chirishni o'chirish yo'qotilishi

191

mJ

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

86.1

NF

C o'qish

Chiqarish quvvati

4.50

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

3.90

NF

Ман SC

SC ma'lumotlari

T s C ≤ 10 μs, V GE =15V, T J = 125 °C V CC = 900V,

V MET ≤ 1200V

4800

A

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC + EE ’

Modulning o'zlashtiruvchi qarshiligi e) Chiptani terminalga oʻtkazish

T C =25 °C

0.18

M Ω

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 1200A

T J =25 °C

1.65

2.15

V

T J = 125°C

1.65

2.15

Q R

Diod orqaga

Qaytarib olish haqi

Ман F = 1200A,

V R = 600 V,

R Gon = 2,4Ω,

V GE =- 15V

T J =25 °C

69

μC

T J = 125°C

129

Ман RM

Diodning yuqori nuqtasi

Qayta tiklanish Jorov

T J =25 °C

485

A

T J = 125°C

623

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

32

mJ

T J = 125°C

60

Simvol

Parametr

Tip.

Max.

Birliklar

R θ JC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

24

K/kW

R θ JC

Qoplamaga bog'lanish (di uchun) oʻqilgan)

43

K/kW

R θ CS

Qopqoqdan cho'kishgacha

(O'tkazuvchan yog'qo'llanilgan, har Modul)

6

K/kW

Og'irlik

vaznining Modul

1500

g