IGBT Modul 1200V

Simvol

tavsif

GD1200HFT120C3S

birliklar

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

v

ic

@ Tc=25°C

@ Tc=80°C

1800

a

1200

im1.

Pulsatsiyali kollektor oqimi tp=Oʻzlashtirish1ms

2400

a

if

Diod doimiy oldinga oqim

1200

a

ifm

Diodning maksimal oldinga burilishiijara

2400

a

pd

Maksimal quvvatJ=Oʻzlashtirish150°C

5.2

kV

tJ

Maksimal bogʻlanish harorati

150

°C

tSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-40 dan +125 gacha

°C

voʻlchash

Izolatsiya kuchlanmasi RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

oʻrnatish

Signal terminaliningOʻzlashtirishVaraq:M4

Elektr tarmogʻi terminallariOʻzlashtirishVaraq:M8

1.8 gachaOʻzlashtirish2.1

8.0 danOʻzlashtirish10

Oʻzlashtirish

n.m.

aylanish vring

oʻrnatishOʻzlashtirishVaraq:M6

4.25 danOʻzlashtirish5.75

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

v(br) bilanCES

Kollektor-tarqatuvchi

uzilish kuchlanmasi

tJ=25°C

1200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilganOʻzlashtirishjoriy

vo=vCES,vGE=0V,Oʻzlashtirish

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishi

joriy

vGE=vGES,vo=0V,Oʻzlashtirish

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasi

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic= 48mA,vo=vGE,OʻzlashtirishtJ=25°C

5.0

5.8

6.5

v

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

ic=Oʻzlashtirish1200A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.70

2.15

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic=Oʻzlashtirish1200A,VGE=15V,OʻzlashtirishtJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

2.00

2.45

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

qg

Darvoza zaryadi

vGE=-Oʻzlashtirish15...+15V

Oʻzlashtirish

11.5

Oʻzlashtirish

μC

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 1200A,Oʻzlashtirish

rGon= 2,4Ω,

rGoff=0.82Ω,

vGE=±15V,TJ=25°C

Oʻzlashtirish

600

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

230

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

820

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

150

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishOʻzgaruvchan yoʻqotish

Oʻzlashtirish

/

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

O'chirishni o'chirish yo'qotilishi

Oʻzlashtirish

/

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic= 1200A,Oʻzlashtirish

rGon= 2,4Ω,

rGoff=0.82Ω,

vGE=±15V,TJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

660

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

220

Oʻzlashtirish

ns

td(o'chirilgan) bilan

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

960

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

180

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishOʻzgaruvchan yoʻqotish

Oʻzlashtirish

246

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

O'chirishni o'chirish yo'qotilishi

Oʻzlashtirish

191

Oʻzlashtirish

mJ

cies

Kirish sig'imi

Oʻzlashtirish

vo=25V, f=1Mhz,

vGE=0V

Oʻzlashtirish

86.1

Oʻzlashtirish

NF

co'qish

Chiqarish quvvati

Oʻzlashtirish

4.50

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtish

Kalitlik

Oʻzlashtirish

3.90

Oʻzlashtirish

NF

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tsc≤10 μs, VGE=15V, OʻzlashtirishtJ= 125°CVcc= 900V,Oʻzlashtirish

vMET≤1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

4800

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

20

Oʻzlashtirish

nH

rcc+EEOʻzlashtirish'

Modulning o'zlashtiruvchi qarshiligie)OʻzlashtirishChiptani terminalga oʻtkazish

tc=25°C

Oʻzlashtirish

0.18

Oʻzlashtirish

mΩ

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

vf

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if=Oʻzlashtirish1200A

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

1.65

2.15

v

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

1.65

2.15

qr

Diod orqaga

Qaytarib olish haqi

Oʻzlashtirish

if=Oʻzlashtirish1200A,

vr= 600 V,

rGon= 2,4Ω,

vGE=-Oʻzlashtirish15V

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

69

Oʻzlashtirish

μC

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

129

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

irm

Diodning yuqori nuqtasi

Qayta tiklanishOʻzlashtirishjoriy

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

485

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

623

Oʻzlashtirish

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

tJ=25°C

Oʻzlashtirish

32

Oʻzlashtirish

mJ

tJ=Oʻzlashtirish125°C

Oʻzlashtirish

60

Oʻzlashtirish

Simvol

parametr

Tip.

maksimal

birliklar

rθJC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha)T)

Oʻzlashtirish

24

K/kW

rθJC

Qoplamaga bog'lanish (di uchun)oʻqilgan)

Oʻzlashtirish

43

K/kW

rθCS

Qopqoqdan cho'kishgacha

(O'tkazuvchan yog'qo'llanilgan, harModul)

6

Oʻzlashtirish

K/kW

og'irligi

vazniningOʻzlashtirishmodul

1500

Oʻzlashtirish

g