IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

GD1200HFL120C3S

Birliklar

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман C

Kollektor oqimi @ T C =25 °C

@ T C = 100°C

1900

1200

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

2400

A

Ман F

Diodning doimiy oldinga chizilishi ijara

1200

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

2400

A

P D

Maksimal quvvat J = 1 75°C

6.41

кВт

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

°C

T joʻp

Maksimal bogʻlanish harorati

-40 dan +150 gacha

°C

T STG

Saqlanish harorati Diapazon

-40 dan +125 gacha

°C

V ISO

Izolyatsiya Kuchlanishi RMS,f=50Hz,t=1 Min

4000

V

M

terminalga ulanish vringli kuchi, Burg'u M4

1.8 gacha 2.1

terminalga ulanish vringli kuchi, Burg'u M8

8.0 dan 10

N.M

Montaj vringli kuch M6 shrub

4.25 dan 5.75 gacha

g

vaznining Modul

1500

g

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V (BR )CES

Kollektor-tarqatuvchi

Жорайвий чораларни босим

T J =25 °C

1200

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan

Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 °C

5.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 °C

400

nA

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C =48,0 mA ,V CE = V GE , T J =25 °C

5.4

7.4

V

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga

Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C = 1200A,V GE =15V, T J =25 °C

1.95

2.40

V

Ман C = 1200A,V GE =15V, T J = 125 °C

2.10

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 1200A, R Gon =2. 1Ω,R Goff =4.5Ω, V GE =±15 V,T J =25 °C

200

ns

T R

O'sish vaqti

135

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1050

ns

T F

Pasayish vaqti

130

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

136

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

160

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C = 1200A, R Gon =2. 1Ω,R Goff =4.5Ω, V GE =±15 V,T J = 125°C

220

ns

T R

O'sish vaqti

190

ns

T D (o'chirilgan )

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

1150

ns

T F

Pasayish vaqti

140

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish

Yoʻqotish

184

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish

Yoʻqotish

208

mJ

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V, f=1Mhz,

V GE =0V

84.8

NF

C res

Orqaga oʻtish

Kalitlik

3.76

NF

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

T J = 125 °C, V CC = 900V, V MET ≤ 1200V

4500

A

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

2.7

Ω

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modulning oʻrni

qarshilik,

Chiptani terminalga oʻtkazish

0.18

mΩ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod

kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F = 1200A

T J =25 °C

1.65

2.20

V

T J = 125 °C

1.75

Q R

Qayta tiklangan

Muammaloq

Ман F = 1200A,

V R = 600 V,

R Gon =2. 1Ω,

V GE = 15V

T J =25 °C

400

μC

T J = 125 °C

680

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

T J =25 °C

1400

A

T J = 125 °C

1840

E rek

Qayta tiklanish energiya

T J =25 °C

160

mJ

T J = 125 °C

296

Simvol

Parametr

Tip.

Max.

Birliklar

R θ JC

Jons-to-Case (IGB boʻyicha) T)

23.4

K/kW

R θ JC

Qisqasi bilan bogʻlanish (har D yod)

46.1

K/kW

R θ CS

Qopqoqdan sinkgacha (O'tkazuvchan yog 'ilovasi) yolgʻonchi)

6

K/kW