IGBT Modul 1200V

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

BIT

V CES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

V

V GES

Chiqargichning kuchlanishi

±20

V

Ман CN

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

1000

A

Ман C

Kollektor oqimi @ T F =75 O C

765

A

Ман m

Pulsli kollektor oqimi t P = 1 ms

2000

A

P D

Maksimal Quvvat Yo'qotish атион @ T F =75 O C ,T J = 175 O C

1515

W

Simvol

Tavsif

Qiymatlari

BIT

V RRM

Takroriy Pik Qaytish Volt yoshi

1200

V

Ман ФН

Ishga tushirilgan Kollektor Cu rrent

1000

A

Ман F

Diod Davomiy Oldinga Cu rrent

765

A

Ман Fm

Diode maksimal oldinga oqim t P = 1 ms

2000

A

Ман FSM

To'lqin Oldinga Hozirgi T P =10ms @ T J =25 O C @T J =150C

4100

3000

A

Ман 2T

Ман 2t-qiymati,t P =10ms@T J =25C @T J =150C

84000

45000

A 2s

Simvol

Tavsif

qiymat

BIT

T jmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

O C

T joʻp

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

O C

T STG

Saqlanish harorat oraliqi

-40 dan +125 gacha

O C

V ISO

Izolyatsiya kuchlanishi RMS,f=50Hz,t= 1 daqiqa

2500

V

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

V Oʻzbekiston Respublikasi

Kollektordan emitentga Toʻyinganlik kuchlanmasi

Ман C =1000A,V GE =15V, T J =25 O C

1.45

1.90

V

Ман C =1000A,V GE =15V, T J = 125 O C

1.65

Ман C =1000A,V GE =15V, T J = 175 O C

1.80

V GE (th )

Darvoza emittorining chegarasi kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман C =24.0 mA ,V CE = V GE , T J =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

Ман CES

Kollektor Кесиш -o'chirilgan Jorov

V CE = V CES ,V GE =0V, T J =25 O C

1.0

mA

Ман GES

Darvoza emittorining oqishi Jorov

V GE = V GES ,V CE =0V, T J =25 O C

400

nA

R Gint

Ichki darvoza qarshiligi oʻtish

0.5

Ω

C ies

Kirish sig'imi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

51.5

NF

C res

Orqaga oʻtish Kalitlik

0.36

NF

Q g

Darvoza zaryadi

V GE =-15...+15V

13.6

μC

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =900A, R g =0.51Ω, L s =40nH, V GE =-8V/+15V,

T J =25 O C

330

ns

T R

O'sish vaqti

140

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

842

ns

T F

Pasayish vaqti

84

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

144

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

87.8

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =900A, R g =0.51Ω, L s =40nH, V GE =-8V/+15V,

T J = 125 O C

373

ns

T R

O'sish vaqti

155

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

915

ns

T F

Pasayish vaqti

135

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

186

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

104

mJ

T D (включено )

O'chirish kechikish vaqti

V CC = 600V,I C =900A, R g =0.51Ω, L s =40nH, V GE =-8V/+15V,

T J = 175 O C

390

ns

T R

O'sish vaqti

172

ns

T d(off)

Oʻchirish Kechiktirish vaqti

950

ns

T F

Pasayish vaqti

162

ns

E включено

Oʻchirish Aylantirish Yoʻqotish

209

mJ

E o'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirish Yoʻqotish

114

mJ

Ман SC

SC ma'lumotlari

T P ≤8μs, V GE =15V,

T J = 150 O C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

3200

A

T P ≤6μs, V GE =15V,

T J = 175 O C,V CC =800V, V MET ≤ 1200V

3000

A

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

Birliklar

V F

Oldinga chiquvchi diod kuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

Ман F =1000A,V GE =0V,T J = 25O C

1.60

2.05

V

Ман F =1000A,V GE =0V,T J = 125 O C

1.70

Ман F =1000A,V GE =0V,T J = 175 O C

1.60

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,T J =25 O C

91.0

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

441

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

26.3

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,T J = 125 O C

141

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

493

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

42.5

mJ

Q R

Qaytarib olinadigan to'lov

V R = 600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,T J = 175 O C

174

μC

Ман RM

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

536

A

E rek

Qayta tiklanish energiya

52.4

mJ

Simvol

Parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

Max.

BIT

R 25

Reyting qarshiligi

5.0

kΩ

∆R/R

Og'ish из R 100

T C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Quvvat

Bo'shilish

20.0

mW

B 25/50

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-qiymat

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Simvol

Parametr

Min.

Tip.

Max.

BIT

L CE

Yolgʻizlik induktansiyasi

20

nH

R CC+EE

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

0.80

mΩ

R thJF

Junction -ga -Тезиқлаштириш Suyuqlik (perIGBT )Kesi-uzatish suyuqligiga (per Di oʻqilgan) △ V/ △ t=10.0 dm 3/Min ,T F =75 O C

0.066 0.092

K/W

M

terminalga ulanish vringli kuchi, M6 shrub Montaj vringli kuch Screw M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

g

Og'irlik из Modul

400

g