IGBT Modul 1200V

Simvol

tavsif

qiymatlari

birligi

vCES

Kollektor-emitter kuchlanishi

1200

v

vGES

Chiqargichning kuchlanishi

± 20

v

iCN

Ishga tushirilgan Kollektor Current

1000

a

ic

Jildning oqimi @ Tf=75oc

765

a

iCRM

TakroriyOʻzlashtirishPikOʻzlashtirishKollektorOʻzlashtirishjoriyOʻzlashtirishtpOʻzlashtirishcheklanganOʻzlashtirishtomonidanOʻzlashtirishtvjop

2000

a

pd

Maksimal Quvvat Yo'qotishkoʻrsatilganOʻzlashtirish@tf=75oc ,tJ= 175oc

1515

v

Simvol

tavsif

qiymatlari

birligi

vRRM

Takroriy Pik Qaytish Voltyoshi

1200

v

ifn

Ishga tushirilgan Kollektor Current

1000

a

if

Diod Davomiy Oldinga Current

765

a

iFRM

TakroriyOʻzlashtirishPikOʻzlashtirishOldingaOʻzlashtirishjoriyOʻzlashtirishtpOʻzlashtirishcheklanganOʻzlashtirishtomonidanOʻzlashtirishtvjop

2000

a

iFSM

O'tkazish Oldin Tok  tp=10ms  @ Tvj=25oc   @ Tvj= 150oc

4100

3000

a

i2t

i2t-qiymat,tp=10ms@tvj=25oC  @ Tvj= 150oc

84000

45000

a2s

Simvol

tavsif

qiymat

birligi

tjmax

Maksimal bogʻlanish harorati

175

oc

tvjop

Ishlanish boʻgʻinlari harorati

-40 dan +150 gacha

oc

tSTG

saqlash haroratlari oralig'i

-40 dan +125 gacha

oc

voʻlchash

Izolyatsiya Voltaji  RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vOʻzbekiston Respublikasi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Kollektordan emitentgaOʻzlashtirishToʻyinganlik kuchlanmasi

ic=1000A,VGE=15V,Oʻzlashtirishtvj=25oc

Oʻzlashtirish

1.45

1.90

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

v

ic=1000A,VGE=15V,Oʻzlashtirishtvj= 125oc

Oʻzlashtirish

1.65

Oʻzlashtirish

ic=1000A,VGE=15V,Oʻzlashtirishtvj= 175oc

Oʻzlashtirish

1.80

Oʻzlashtirish

vGE(o'n) bilan

Darvoza emittorining chegarasiOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

ic=24.0mA,vo=vGE,Oʻzlashtirishtvj=25oc

5.5

6.3

7.0

v

iCES

KollektorOʻzlashtirishkesish- Oʻzingizningo'chirilganjoriy

vo=vCES,vGE=0V,Oʻzlashtirishtvj=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

1.0

mA

iGES

Darvoza emittorining oqishiOʻzlashtirishjoriy

vGE=vGES,vo=0V,tvj=25oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

400

n

rGint

Ichki darvoza qarshiligioʻtish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.5

Oʻzlashtirish

Ω

cies

Kirish sig'imi

vo=25V,f=100kHz,OʻzlashtirishvGE=0V

Oʻzlashtirish

51.5

Oʻzlashtirish

NF

cres

Orqaga oʻtishOʻzlashtirishKalitlik

Oʻzlashtirish

0.36

Oʻzlashtirish

NF

qg

Darvoza zaryadi

vGE=-15...+15V

Oʻzlashtirish

13.6

Oʻzlashtirish

μC

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic=900A,Oʻzlashtirish

rg=0.51Ω, Ls=40nH,OʻzlashtirishvGE=-8V/+15V,

tvj=25oc

Oʻzlashtirish

330

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

140

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

842

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

84

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

144

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

87.8

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic=900A,Oʻzlashtirish

rg=0.51Ω, Ls=40nH,OʻzlashtirishvGE=-8V/+15V,

tvj= 125oc

Oʻzlashtirish

373

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

155

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

915

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

135

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

186

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

104

Oʻzlashtirish

mJ

td(bilan) bilan

O'chirish kechikish vaqti

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

vcc= 600V,Ic=900A,Oʻzlashtirish

rg=0.51Ω, Ls=40nH,OʻzlashtirishvGE=-8V/+15V,

tvj= 175oc

Oʻzlashtirish

390

Oʻzlashtirish

ns

tr

O'sish vaqti

Oʻzlashtirish

172

Oʻzlashtirish

ns

td(off)

OʻchirishOʻzlashtirishKechiktirish vaqti

Oʻzlashtirish

950

Oʻzlashtirish

ns

tf

Pasayish vaqti

Oʻzlashtirish

162

Oʻzlashtirish

ns

ebilan

OʻchirishOʻzlashtirishoʻzgartirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

209

Oʻzlashtirish

mJ

eo'chirilgan

Oʻchirishni oʻchirishOʻzlashtirishYoʻqotish

Oʻzlashtirish

114

Oʻzlashtirish

mJ

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

is

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

SC ma'lumotlari

tp≤8μs,VGE=15V,

tvj= 150oC,Vcc=800V,Oʻzlashtirish

vMETOʻzlashtirish≤1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

3200

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

tp≤6μs,VGE=15V,

tvj= 175oC,Vcc=800V,Oʻzlashtirish

vMETOʻzlashtirish≤1200V

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

3000

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

a

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birliklar

Oʻzlashtirish

vf

Oldinga chiquvchi diodOʻzlashtirishkuchlanuvchi kuchlanuvchi kuch

if=1000A,VGE=0V,Tvj=25oc

Oʻzlashtirish

1.60

2.05

Oʻzlashtirish

v

if=1000A,VGE=0V,Tvj= 125oc

Oʻzlashtirish

1.70

Oʻzlashtirish

if=1000A,VGE=0V,Tvj= 175oc

Oʻzlashtirish

1.60

Oʻzlashtirish

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

vr= 600V,If=900A,

-di/dt=4930A/μs,VGE=-8V,Mens=40nH,tvj=25oc

Oʻzlashtirish

91.0

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

441

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

Oʻzlashtirish

26.3

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

vr= 600V,If=900A,

-di/dt=4440A/μs,VGE=-8V,Mens=40nH,

tvj= 125oc

Oʻzlashtirish

141

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

493

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

Oʻzlashtirish

42.5

Oʻzlashtirish

mJ

qr

Qaytarib olinadigan to'lov

Oʻzlashtirish

vr= 600V,If=900A,

-di/dt=4160A/μs,VGE=-8V,Mens=40nH,

tvj= 175oc

Oʻzlashtirish

174

Oʻzlashtirish

μC

irm

Yuqori pogʻonalar orqaga

Qayta tiklash oqimi

Oʻzlashtirish

536

Oʻzlashtirish

a

erek

Qayta tiklanishOʻzlashtirishenergiya

Oʻzlashtirish

52.4

Oʻzlashtirish

mJ

Simvol

parametr

Sinov sharoitlari

Min.

Tip.

maksimal

birligi

r25

Reyting qarshiligi

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

5.0

Oʻzlashtirish

kΩ

∆R/R

Og'ishOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishr100

tc=100Oʻzlashtirishoc,R100=493.3Ω

-5

Oʻzlashtirish

5

%

p25

kuchlanish

tarqalish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

20.0

mW

b25/50

B-qiymat

r2=R25exp[B25/50(1/T2- OʻzingizningOʻzlashtirish1/(298.15K))]

Oʻzlashtirish

3375

Oʻzlashtirish

k

b25/80

B-qiymat

r2=R25exp[B25/80(1/T2- OʻzingizningOʻzlashtirish1/(298.15K))]

Oʻzlashtirish

3411

Oʻzlashtirish

k

b25/100

B-qiymat

r2=R25exp[B25/100(1/T2- OʻzingizningOʻzlashtirish1/(298.15K))]

Oʻzlashtirish

3433

Oʻzlashtirish

k

Simvol

parametr

Min.

Tip.

maksimal

birligi

Meno

Yolgʻizlik induktansiyasi

Oʻzlashtirish

20

Oʻzlashtirish

nH

rcc+EEOʻzlashtirish'

Modul O'tkazuvchanlik Qarshiligi, Terminaldan Chipgacha

Oʻzlashtirish

0.80

Oʻzlashtirish

mΩ

Oʻzlashtirish

rthJF

Junction- Oʻzingizninggacha- OʻzingizningsovutishOʻzlashtirishSuyuqlik(perIGBT) bilanJunction-to-Cooling Fluid (D bo'yichayod)Oʻzlashtirish△V/△t=10.0dm3/daqiqa,tf=75oc

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

0.066Oʻzlashtirish0.092

K/W

m

terminalga ulanish vringli kuchi,OʻzlashtirishM6 shrubOʻzlashtirishMontaj vringli kuchOʻzlashtirishScrew M5

3.0Oʻzlashtirish3.0

Oʻzlashtirish

6.0Oʻzlashtirish6.0

n.m.

g

og'irligiOʻzlashtirishboʻlganOʻzlashtirishmodul

Oʻzlashtirish

400

Oʻzlashtirish

g

p

Maksimal bosimOʻzlashtirishsovutish sxemasida

Oʻzlashtirish

Oʻzlashtirish

3

bar

∆p

Bosim tushishi Sovutish Circuit

∆V/∆t=10.0dm3/min;Tf=25oC;SovutishOʻzlashtirishSuyuqlik=50% Suv/50% Etilen Glykol

Oʻzlashtirish

47

Oʻzlashtirish

mbar