Yüksek Frekans Thyristor

Ben T(AV)

1260A

V DRM V RRM

1200V 1400V

Tq

12 ~ 28 μs

Sembolik

Karakteristik

Test koşulları

Tj( °C )

değer

birim

min

Tür

max

IT(AV)

Ortalama açık durum akımı

180° yarım sinüs dalgası 50Hz Çift taraflı soğutmalı,

TC=55 。C

125

1260

A

VDRM VRRM

Tekrarlayan zirve açık durum voltajı Tekrarlayan zirve ters voltaj

tp=10ms

125

1100

1400

V

Idrm Irrm

Tekrarlanan zirve durum dışı akım Tekrarlanan zirve ters akım

VDRM'de VRRM'de

125

80

mA

ITSM

Ani açık durum akımı

10ms yarım sinüs dalgası VR=0.6VRRM

125

16.3

kA

I2t

Birleştirme koordinasyonu için I2t

1328

A2s*103

VTO

Sınır Voltajı

125

1.65

V

rt

Açık durum eğim direnci

0.36

mΩ

VTM

Zirve açık durum voltajı

ITM=2400A, F=24kN

25

3.20

V

dv/dt

Kapalı durum voltajının kritik artış hızı

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Açık durumdaki akımın kritik artış hızı

VDM=% 67 VDRM, 2000A'ya kadar

Kapı darbesi tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

Geri Kazanım Yükü

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

87

100

μC

Tq

Devre anahtarlamalı kapama süresi

ITM=1000A, tp=4000μs, VR=100V dv/dt=30V/μs, di/dt=-20A/μs

125

12

28

μs

IGT

Kapı tetikleme akımı

VA=12V, IA=1A

25

30

250

mA

Vgt

Kapı tetikleme voltajı

0.8

3.0

V

IH

Tutma akımı

20

400

mA

İL

Kilitleme akımı

500

mA

VGD

Tetiklenmeyen kapı voltajı

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Termal direnç Kesişimden kasaya

1800 sinüste, çift taraf soğutulmuş 24kN'lik bir sıkıştırma kuvveti

0.020

。C /W

Rth(c-h)

Termal direnç kasa ile ısı emici arasında

0.005

Fm

Montaj kuvveti

19

26

kN

Tvj

Çapraz sıcaklık

-40

125

。C

TSTG

Saklama sıcaklığı

-40

140

。C

Wt

Ağırlık

440

G

Çizelge

KT50cT