Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1700V

IGBT Modülü 1700V

anasayfa  / Ürünler / IGBT modülü / IGBT Modülü 1700V

GD650HFX170P1S,IGBT Modülü,STARPOWER

1700V 650A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD650HFX170P1S
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtımeylem

IGBT modülü, STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1700V 650A

Özellikler

  • Düşük VCE(sat) Çukur IGBT Teknoloji
  • 10 μs Kısa devre kapasitesiİletişim
  • VCE(sat) ile pozitif Sıcaklık katsayı
  • Maksimum Çapraz sıcaklık 175OC
  • Yeniden üretimi için genişletilmiş diyotoperasyon
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak
  • Yüksek güç ve ısı döngüsü kapasabilBu

 

Tipik Uygulamalar

  • Yüksek Güçlü Değiştiricisi
  • Rüzgar ve Güneş Enerjisi
  • Çekim Sürücüsü

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler tC=25OC Tabii ki aksi takdirde Not

IGBT

Sembolik

Açıklama

değer

birim

VCES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

VGES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

BenC

Toplayıcı Akımı @ TC=25OC

@ TC= 100OC

1073

650

A

BenCM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı tP=1ms

1300

A

PD

Maksimum güç Dağılımı @ Tj=175OC

4.2

kw

 

Diyot

 

Sembolik

Açıklama

değer

birim

VRRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1700

V

BenF

Diyot Sürekli İleri Kurkira

650

A

BenFm

Diyot Maksimum İleri Akımı tP=1ms

1300

A

Modül

Sembolik

Açıklama

değer

birim

tjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

OC

tYapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

OC

tSTG

Depolama SıcaklığıMenzil

-40 ile +150 arasında

OC

VISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 dakikada.

4000

V

IGBT Özellikler tC=25OC Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

 

 

VCE (sat)

 

 

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

BenC=650A,VGE=15V, tj=25OC

 

1.90

2.35

 

 

V

BenC=650A,VGE=15V, tj=125OC

 

2.35

 

BenC=650A,VGE=15V, tj=150OC

 

2.45

 

VGE(th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

BenC=24.0mA,VCE=VGE, tj=25OC

5.6

6.2

6.8

V

BenCES

Toplayıcı Kes-OFF

akım

VCE=VCES,VGE=0V,

tj=25OC

 

 

5.0

mA

BenGES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

VGE=VGES,VCE=0V,tj=25OC

 

 

400

NA

rGint

İç kapı direnci- Ne?

 

 

2.3

 

Ω

Cies

Girdi Kapasitesi

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

 

72.3

 

NF

Cres

Geriye dönüştürme

Kapasite

 

1.75

 

NF

QG

Geçit Ücreti

VGE- Hayır. 15...+15V

 

5.66

 

μC

tD(ON)

Açma Gecikme Zamanı

 

 

VCC=900V,IC=650A,     rGit= 1.8Ω,RGoff=2.7Ω,VGE=±15V,Tj=25OC

 

468

 

ns

tr

Kalkma zamanı.

 

86

 

ns

tD(OFF)

Kapalı Gecikme süresi

 

850

 

ns

tF

Sonbahar zamanı

 

363

 

ns

EON

 Anahtarlama

Kayıp

 

226

 

mJ

EOFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

 

161

 

mJ

tD(ON)

Açma Gecikme Zamanı

 

 

VCC=900V,IC=650A,     rGit= 1.8Ω,RGoff=2.7Ω,VGE=±15V,Tj= 125OC

 

480

 

ns

tr

Kalkma zamanı.

 

110

 

ns

tD(OFF)

Kapalı Gecikme süresi

 

1031

 

ns

tF

Sonbahar zamanı

 

600

 

ns

EON

 Anahtarlama

Kayıp

 

338

 

mJ

EOFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

 

226

 

mJ

tD(ON)

Açma Gecikme Zamanı

 

 

VCC=900V,IC=650A,     rGit= 1.8Ω,RGoff=2.7Ω,VGE=±15V,Tj= 150OC

 

480

 

ns

tr

Kalkma zamanı.

 

120

 

ns

tD(OFF)

Kapalı Gecikme süresi

 

1040

 

ns

tF

Sonbahar zamanı

 

684

 

ns

EON

 Anahtarlama

Kayıp

 

368

 

mJ

EOFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

 

242

 

mJ

 

BenSC

 

SC Verileri

tP≤ 10μs,VGE=15V,

tj=150OC,VCC= 1000V,VCEM≤1700V

 

 

2600

 

 

A

Diyot Özellikler tC=25OC Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

 

VF

Diyot ileriye

Voltaj

BenF=650A,VGE=0V,Tj=25OC

 

1.85

2.30

 

V

BenF=650A,VGE=0V,Tj= 125OC

 

1.98

 

BenF=650A,VGE=0V,Tj= 150OC

 

2.02

 

Qr

Geri Alınan Ücret

Vr=900V,IF=650A,

-di/dt=5980A/μs,VGE- Hayır. 15Vtj=25OC

 

176

 

μC

BenRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

 

765

 

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarmaenerji

 

87.4

 

mJ

Qr

Geri Alınan Ücret

Vr=900V,IF=650A,

-di/dt=5980A/μs,VGE- Hayır. 15V tj= 125OC

 

292

 

μC

BenRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

 

798

 

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarmaenerji

 

159

 

mJ

Qr

Geri Alınan Ücret

Vr=900V,IF=650A,

-di/dt=5980A/μs,VGE- Hayır. 15V tj= 150OC

 

341

 

μC

BenRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

 

805

 

A

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarmaenerji

 

192

 

mJ

NTC Özellikler tC=25OC Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

r25

Rating direnci

 

 

5.0

 

ΔR/R

Değişim ile ilgili r100

tC= 100 OC,R100= 493.3Ω

-5

 

5

%

P25

Güç

dağılım

 

 

 

20.0

mW

B25/50

B değeri

r2=R25exp[B25/501/T2-

1/(298.15K))]

 

3375

 

k

B25/80

B değeri

r2=R25exp[B25/801/T2-

1/(298.15K))]

 

3411

 

k

B25/100

B değeri

r2=R25exp[B25/1001/T2-

1/(298.15K))]

 

3433

 

k

Modül Özellikler tC=25OC Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

LCE

Savrulan endüktansa

 

18

 

nH

rCC+EE

Modül Kurşun Direnci,Çip'e terminal

 

0.30

 

r- Yürü

İlişki (İGB başına)T)

Çapraz-Kase (D başına)(iod)

 

 

35.8

71.3

K/kW

 

rthCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (herIGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p)Diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (herModül)

 

13.5

26.9

4.5

 

K/kW

 

m

Terminal Bağlantı Döner, M4 vida Terminal BağlantısıTork, M8 vida Montaj Döner, M5 vida

1.8

8.0

3.0

 

2.1

10.0

6.0

 

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

 

810

 

G

 

Çizelge

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Name
Company Name
Message
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Name
Company Name
Message
0/1000