IGBT Modülü 1700V

GD650HFX170P1S,IGBT Modülü,STARPOWER

1700V 650A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD650HFX170P1S

Giriş
Çizelge

Giriş

Kısa tanıtım eylem

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1700V 650A

Özellikler

Düşük V CE (sat ) Çukur IGBT TEKNOLOJİ
10 μs Kısa devre kapasitesi İletişim
V CE (sat ) ile pozitif Sıcaklık katsayı
Maksimum Çapraz sıcaklık 175O C
Yeniden üretimi için genişletilmiş diyot operasyon
İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak
Yüksek güç ve ısı döngüsü kapasabil Bu

Tipik Uygulamalar

Yüksek Güçlü Değiştiricisi
Rüzgar ve Güneş Enerjisi
Çekim Sürücüsü

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde Not

IGBT

Sembolik	Açıklama	değer	Birim
V CES	Toplayıcı-Sütücü Voltajı	1700	V
V GES	Kapı-Emitör Voltajı	±20	V
Ben C	Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C @ T C = 100O C	1073 650	A
Ben CM	Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms	1300	A
P D	Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 O C	4.2	kw

Diyot

Sembolik	Açıklama	değer	Birim
V RRM	Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı	1700	V
Ben F	Diyot Sürekli İleri Kur kira	650	A
Ben Fm	Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms	1300	A

Modül

Sembolik	Açıklama	değer	Birim
t jmax	En yüksek kavşak sıcaklığı	175	O C
t Yapma	Hareket noktası sıcaklığı	-40 ile +150 arasında	O C
t STG	Depolama Sıcaklığı Menzil	-40 ile +150 arasında	O C
V ISO	İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.	4000	V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birim
V CE (sat)	Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı	Ben C =650A,V GE =15V, t j =25 O C		1.90	2.35	V
		Ben C =650A,V GE =15V, t j =125 O C		2.35
		Ben C =650A,V GE =15V, t j =150 O C		2.45
V GE (th )	Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj	Ben C =24.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Ben CES	Toplayıcı Kes -OFF akım	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			5.0	mA
Ben GES	Geçit-Emitör Sızıntıları akım	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
r Gint	İç kapı direnci - Ne?			2.3		Ω
C ies	Girdi Kapasitesi	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		72.3		NF
C res	Geriye dönüştürme Kapasite	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		1.75		NF
Q G	Geçit Ücreti	V GE - Hayır. 15...+15V		5.66		μC
t D (ON )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =900V,I C =650A, r Git = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE =±15V,T j =25 O C		468		ns
t r	Kalkma zamanı.			86		ns
t D (OFF )	Kapalı Gecikme süresi			850		ns
t F	Sonbahar zamanı			363		ns
E ON	Aç Anahtarlama Kayıp			226		mJ
E OFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			161		mJ
t D (ON )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =900V,I C =650A, r Git = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE =±15V,T j = 125O C		480		ns
t r	Kalkma zamanı.			110		ns
t D (OFF )	Kapalı Gecikme süresi			1031		ns
t F	Sonbahar zamanı			600		ns
E ON	Aç Anahtarlama Kayıp			338		mJ
E OFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			226		mJ
t D (ON )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =900V,I C =650A, r Git = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE =±15V,T j = 150O C		480		ns
t r	Kalkma zamanı.			120		ns
t D (OFF )	Kapalı Gecikme süresi			1040		ns
t F	Sonbahar zamanı			684		ns
E ON	Aç Anahtarlama Kayıp			368		mJ
E OFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			242		mJ
Ben SC	SC Verileri	t P ≤ 10μs,V GE =15V, t j =150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V		2600		A

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birim
V F	Diyot ileriye Voltaj	Ben F =650A,V GE =0V,T j =25 O C		1.85	2.30	V
		Ben F =650A,V GE =0V,T j = 125O C		1.98
		Ben F =650A,V GE =0V,T j = 150O C		2.02
Q r	Geri Alınan Ücret	V r =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V GE - Hayır. 15V t j =25 O C		176		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			765		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			87.4		mJ
Q r	Geri Alınan Ücret	V r =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V GE - Hayır. 15V t j = 125O C		292		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			798		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			159		mJ
Q r	Geri Alınan Ücret	V r =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V GE - Hayır. 15V t j = 150O C		341		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			805		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			192		mJ

NTC Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birim
r 25	Rating direnci			5.0		KΩ
ΔR/R	Değişim ile ilgili r 100	t C = 100 O C,R 100= 493.3Ω	-5		5	%
P 25	Güç dağılım				20.0	mW
B 25/50	B değeri	r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	B değeri	r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	B değeri	r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	Birim
L CE	Savrulan endüktansa		18		nH
r CC+EE	Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal		0.30		mΩ
r - Yürü	İlişki (İGB başına) T) Çapraz-Kase (D başına) (iod)			35.8 71.3	K/kW
r thCH	Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kürsüden ısı fıskiyesine (p) Diyot) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)		13.5 26.9 4.5		K/kW
m	Terminal Bağlantı Döner, M4 vida Terminal Bağlantısı Tork, M8 vida Montaj Döner, M5 vida	1.8 8.0 3.0		2.1 10.0 6.0	N.M
G	Ağırlık ile ilgili Modül		810		G