IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

GD1200SGT120A3S

Birimler

VCES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

VGES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

BenC

Toplayıcı Akımı @tC=25°C

@ TC=80°C

2100

1200

A

BenCM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı tP=1Bayan

2400

A

BenF

Diyot Sürekli İleri Kurkira

1200

A

BenFm

Diyot Maksimum İleri Akımı tP=1ms

2400

A

PD

Maksimum güç Dağılımı @ Tj=175°C

7.61

kw

tjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

°C

tSTG

Depolama SıcaklığıMenzil

-40'tan +125'e kadar

°C

VISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montaj Tork

Sinyal Terminal Vida:M4

1.8 ile 2.1

Güç Terminal Vida:M8

8.0'dan 10

N.M

Montaj Vida:M6

4.25 ile 5.75

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V(BR)CES

Kollektör-Emiter

Kırılma Voltajı

tj=25°C

1200

V

BenCES

Toplayıcı Kes-OFF

akım

VCE=VCES,VGE=0V,tj=25°C

5.0

mA

BenGES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

VGE=VGES,VCE=0V, tj=25°C

400

NA

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

VGE(th)

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

BenC= 48mA,VCE=VGE, tj=25°C

5.0

5.8

6.5

V

VCE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

BenC= 1200A,VGE=15V, tj=25°C

1.70

2.15

V

BenC= 1200A,VGE=15V, tj=125°C

2.00

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

tD(ON)

Açma Gecikme Zamanı

VCC=600V,IC=1200A,

rGit=1.8Ω,rGoff=0,62Ω,VGE=±15V,Tj=25°C

550

ns

tr

Kalkma zamanı.

230

ns

tD(OFF)

Kapalı Gecikme süresi

830

ns

tF

Sonbahar zamanı

160

ns

EON

Aç Anahtarlama Kayıp

/

mJ

EOFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

/

mJ

tD(ON)

Açma Gecikme Zamanı

VCC=600V,IC= 1200A,    

rGit= 1.8Ω,RGoff=0,62Ω,VGE=±15V,Tj=125°C

650

ns

tr

Kalkma zamanı.

240

ns

tD(OFF)

Kapalı Gecikme süresi

970

ns

tF

Sonbahar zamanı

190

ns

EON

Aç Anahtarlama Kayıp

246

mJ

EOFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

189

mJ

Cies

Girdi Kapasitesi

VCE=25V,f=1MHz,

VGE=0V

85.5

NF

C- Evet.

Çıkış Kapasitesi

4.48

NF

Cres

Geriye dönüştürme

Kapasite

3.87

NF

BenSC

SC Verileri

tP≤ 10μs,VGE=15 V,

tj=125°C,

VCC=900V, VCEM≤ 1200V

4800

A

rGint

İç Kapı

direnç

1.9

Ω

LCE

Savrulan endüktansa

15

nH

rCC+EE

Modül Kurşun

Direniş,

Çip'e terminal

0.10

mΩ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

VF

Diyot ileriye

Voltaj

BenF= 1200A

tj=25°C

1.65

2.05

V

tj=125°C

1.65

Qr

Geri kazanılmış

şarj

BenF= 1200A,

Vr=600V,

rGit=0,6Ω,

VGE=-15V

tj=25°C

112

μC

tj=125°C

224

BenRM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

tj=25°C

850

A

tj=125°C

1070

E- Bilmiyorum.

Ters Çıkarmaenerji

tj=25°C

48.0

mJ

tj=125°C

96.0

Sembolik

Parametre

Tipik.

Max.

Birimler

rθJC

İlişki (İGB başına)T)

19.7

K/kW

rθJC

Çapraz-Kase (D başına)(iod)

31.3

K/kW

rθCS

Kürsüden Lavaboya (Yönetici yağ uygulaması)yalan söyledi)

8

K/kW

Ağırlık

Ağırlık     Modül

1050

G