GD900HFA120C6S,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =90 O C

900

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

1800

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 O C

3409

W

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

900

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

1800

A

Ben FSM

Akım ileri dalgalanma t P =10ms @ t j =25 O C @ T j =150 O C

4100

3000

A

Ben 2t

Ben 2t-değeri,t P =10ms @ T j =25 O C

@ T j =150 O C

84000

45000

A 2S

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =900A,V GE =15V, t j =25 O C

1.40

1.85

V

Ben C =900A,V GE =15V, t j =125 O C

1.60

Ben C =900A,V GE =15V, t j =175 O C

1.65

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =24.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

0.5

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

51.5

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

0.36

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15...+15V

13.6

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =900A, r G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

t j =25 O C

330

ns

t r

Kalkma zamanı.

140

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

842

ns

t F

Sonbahar zamanı

84

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

144

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

87.8

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =900A, r G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

t j =125 O C

373

ns

t r

Kalkma zamanı.

155

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

915

ns

t F

Sonbahar zamanı

135

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

186

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

104

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =900A, r G =0.51Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

t j =175 O C

390

ns

t r

Kalkma zamanı.

172

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

950

ns

t F

Sonbahar zamanı

162

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

209

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

114

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤8μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

3200

A

t P ≤6μs,V GE =15V,

t j =175 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

3000

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =900A,V GE =0V,T j =25 O C

1.55

2.00

V

Ben F =900A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.65

Ben F =900A,V GE =0V,T j =1 75O C

1.55

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,t j =25 O C

91.0

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

441

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

26.3

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,t j =125 O C

141

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

493

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

42.5

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,t j =175 O C

174

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

536

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

52.4

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

r 25

Rating direnci

5.0

KΩ

∆R/R

Değişim ile ilgili r 100

t C =100 O C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

k

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.80

mΩ

r - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.044

0.076

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kasa-Soğutucu (pe r Diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.028

0.049

0.009

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

350

G