IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C

@ T C =80 O C

1350

900

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

1800

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =150 O C

7.40

kw

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

900

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

1800

A

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

150

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40'tan +125'e kadar

O C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.

4000

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =800A,V GE =15V, t j =25 O C

2.90

3.35

V

Ben C =800A,V GE =15V, t j =125 O C

3.60

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C = 16.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.0

6.1

7.0

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

53.1

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

3.40

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15...+15V

8.56

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =800A, r G = 1.3Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

90

ns

t r

Kalkma zamanı.

81

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

500

ns

t F

Sonbahar zamanı

55

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

36.8

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

41.3

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =800A, r G = 1.3Ω,

V GE =±15V, t j = 125O C

115

ns

t r

Kalkma zamanı.

92

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

550

ns

t F

Sonbahar zamanı

66

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

52.5

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

59.4

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =125 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

5200

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =800A,V GE =0V,T j =25 O C

1.95

2.40

V

Ben F =800A,V GE =0V,T j = 125O C

1.95

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =900V,I F =800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =±15V, t j =25 O C

56

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

550

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

38.7

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =900V,I F =800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =±15V, t j = 125O C

148

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

920

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

91.8

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

12

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.19

mΩ

r θ JC

İlişki (İGB başına) T)

Çapraz-Kase (D başına) (iod)

16.9

26.2

K/kW

r θ CS

Kavşa-Sink (IGBT başına)

Kasadan Dökmeciye (diyot başına)

19.7

30.6

K/kW

r θ CS

Çuvaldan Dökme

6.0

K/kW

m

Terminal Bağlantı Döner, M4 vida Terminal Bağlantısı Tork, M8 vida Montaj Döner, M6 Çivit

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

1500

G