IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C

@ T C =100 O C

1000

600

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

1200

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 O C

3409

W

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

600

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

1200

A

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =600A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Ben C =600A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

Ben C =600A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C = 15.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

0.7

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

62.1

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

1.74

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15...+15V

4.66

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =600A, r G =1.5Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

257

ns

t r

Kalkma zamanı.

96

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

628

ns

t F

Sonbahar zamanı

103

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

37.5

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

51.5

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =600A, r G =1.5Ω,

V GE =±15V, t j =125 O C

268

ns

t r

Kalkma zamanı.

107

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

659

ns

t F

Sonbahar zamanı

144

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

53.5

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

77.3

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =600A, r G =1.5Ω,

V GE =±15V, t j =150 O C

278

ns

t r

Kalkma zamanı.

118

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

680

ns

t F

Sonbahar zamanı

155

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

58.9

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

82.4

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =600A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

Ben F =600A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

Ben F =600A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=5000A/μs,V GE - Hayır. 15V, t j =25 O C

61.4

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

280

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

20.9

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=5000A/μs,V GE - Hayır. 15V, t j = 125O C

114

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

415

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

43.1

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=5000A/μs,V GE - Hayır. 15V, t j = 150O C

128

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

443

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

50.0

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci Nce, terminal chip'e

0.18

mΩ

r - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.044

0.078

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) Diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.016

0.028

0.010

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M4 vida Terminal Bağlantısı Tork, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

300

G