IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

GD600SGL120C2S

Birimler

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

± 20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C = 25°C

@ T C = 100°C

950

A

600

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

1200

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Akım

600

A

Ben Fm

Diyotun En Yüksek İleri Kur kira

1200

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j = 175°C

3750

W

t SC

Kısa devre Zamanı geldi.

10

μs

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

°C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

°C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

°C

Ben 2t-değeri, Diyot

V r =0V,t=10ms,T j =125 °C

74000

A 2S

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montaj Torku

Sinyal Terminalı Vuruş: M4

1.1'e 2.0

Güç Terminali Vida:M6

2.5'e 5.0

N.M

Montaj Vuruş: M6

3.0'a 5.0

Ağırlık

Ağırlık ile ilgili Modül

300

G

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V (BR )CES

Kollektör-Emiter

Kırılma Voltajı

t j =25 °C

1200

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları

akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı

Voltaj

Ben C =24 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =600A,V GE =15V, t j =25 °C

1.9

V

Ben C =600A,V GE =15V, t j = 125°C

2.1

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =600A, r G =3Ω,

V GE = ± 15 V, t j =25 °C

200

ns

t r

Kalkma zamanı.

62

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

510

ns

t F

Sonbahar zamanı

V CC =600V,I C =600A, r G =3Ω,

V GE = ± 15 V, t j =25 °C

60

ns

E ON

Açma Anahtarlama

Kayıp

39

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

48

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =600A,

r G =3Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125°C

210

ns

t r

Kalkma zamanı.

65

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

600

ns

t F

Sonbahar zamanı

75

ns

E ON

Açma Anahtarlama

Kayıp

45

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

60

mJ

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V, f=1MHz,

V GE =0V

41.0

NF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

3.1

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

2.0

NF

Ben SC

SC Verileri

t S C ≤ 10 μs,V GE =15V, t j =125 °C ,

V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC + EE ’

Modül uç direnci e, Çip'e terminal

t C =25 °C

0.18

m Ω

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =600A

t j =25 °C

1.8

2.4

V

t j = 125°C

1.9

2.5

Q r

Diyot Ters

Geri Kazanım Yükü

Ben F =600A,

V r =600V,

di/dt=-6000A/μs, V GE - Hayır. 15V

t j =25 °C

65

μC

t j = 125°C

100

Ben RM

Diyot zirvesi

Ters Çıkarma akım

t j =25 °C

450

A

t j = 125°C

510

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

t j =25 °C

35

mJ

t j = 125°C

42

Sembolik

Parametre

Tipik.

Max.

Birimler

r θ JC

Çekim-Kase (IGBT Parçası, pe) r Modülü)

0.04

°C /W

r θ JC

Junction-to-Case (Diyot Parçası, Modül başına (le)

0.09

°C /W

r θ CS

Case-to-Sink (Yönetici yağ) (Devamını oku)

0.035

°C /W