IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

Değerler

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben Çin

Uygulanan Kolektör Cu Kiralık

600

A

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T F =85 O C

450

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

1200

A

P D

Maksimum Güç Dağıtımı ation @ t F =75 O C t j =175 O C

970

W

Sembolik

Açıklama

Değerler

birim

V RRM

Tekrarlayan Zirve Ters Voltaj GE

1200

V

Ben FN

Uygulanan Kolektör Cu Kiralık

600

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

450

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

1200

A

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Çalışma Eklem Sıcaklığı sürekli

Bir periyotta 10s 30s, oluşum maksimum 3000 kez ömür boyu ben

-40 ile +150 arasında

+150 ile +175

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

D Sürünme

Terminal ile Soğutucu Terminal ile Terminal

9.0 9.0

mm

D şeffaf

Terminal ile Soğutucu Terminal ile Terminal

4.5 4.5

mm

Sembolik

Açıklama

Değerler

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben Çin

Uygulanan Kolektör Cu Kiralık

600

A

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T F =85 O C

450

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

1200

A

P D

Maksimum Güç Dağıtımı ation @ t F =75 O C t j =175 O C

970

W

Sembolik

Açıklama

Değerler

birim

V RRM

Tekrarlayan Zirve Ters Voltaj GE

1200

V

Ben FN

Uygulanan Kolektör Cu Kiralık

600

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

450

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

1200

A

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Çalışma Eklem Sıcaklığı sürekli

Bir periyotta 10s 30s, oluşum maksimum 3000 kez ömür boyu ben

-40 ile +150 arasında

+150 ile +175

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

D Sürünme

Terminal ile Soğutucu Terminal ile Terminal

9.0 9.0

mm

D şeffaf

Terminal ile Soğutucu Terminal ile Terminal

4.5 4.5

mm

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =450A,V GE =15V, t j =25 O C

1.40

V

Ben C =450A,V GE =15V, t j =150 O C

1.65

Ben C =450A,V GE =15V, t j =175 O C

1.70

Ben C =600A,V GE =15V, t j =25 O C

1.60

Ben C =600A,V GE =15V, t j =150 O C

1.90

Ben C =600A,V GE =15V, t j =175 O C

2.00

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =15.6 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

6.4

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci

1.67

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

81.2

NF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

1.56

NF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.53

NF

Q G

Geçit Ücreti

V CE =600V,I C =600A, V GE =-8…+15V

5.34

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =600A,

r Git =1.0Ω, r Goff =2.2Ω, L S =22nH,

V GE =-8V/+15V, t j =25 O C

290

ns

t r

Kalkma zamanı.

81

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

895

ns

t F

Sonbahar zamanı

87

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

53.5

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

47.5

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =600A,

r Git =1.0Ω, r Goff =2.2Ω, L S =22nH,

V GE =-8V/+15V, t j =150 O C

322

ns

t r

Kalkma zamanı.

103

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

1017

ns

t F

Sonbahar zamanı

171

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

84.2

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

63.7

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =600A,

r Git =1.0Ω, r Goff =2.2Ω, L S =22nH,

V GE =-8V/+15V, t j =175 O C

334

ns

t r

Kalkma zamanı.

104

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

1048

ns

t F

Sonbahar zamanı

187

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

89.8

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

65.4

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤6μs, V GE =15V,

t j =175 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

2000

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =450A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

V

Ben F =450A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.75

Ben F =450A,V GE =0V,T j =1 75O C

1.70

Ben F =600A,V GE =0V,T j =25 O C

1.95

Ben F =600A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.95

Ben F =600A,V GE =0V,T j =1 75O C

1.90

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =600A,

-di/dt=7040A/μs,V GE =-8V L S =22 nH ,t j =25 O C

22.5

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

304

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

10.8

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =600A,

-di/dt=5790A/μs,V GE =-8V L S =22 nH ,t j =150 O C

46.6

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

336

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

18.2

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =600A,

-di/dt=5520A/μs,V GE =-8V L S =22 nH ,t j =175 O C

49.8

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

346

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

19.8

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

r 25

Rating direnci

5.0

KΩ

∆R/R

Değişim ile ilgili r 100

t C =100 O C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

8

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.75

mΩ

△ P

△ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,t F =75 O C

64

mbar

P

Soğutma Devresinde Maksimum Basınç - Çabuk

2.5

bar

r thJF

Kavşak -için -Soğutma Sıvı (perIGBT )Birleştirme-soğutma sıvısı (D başına) (iod) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,t F =75 O C

0.103 0.140

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M4 vida

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

750

G